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- [发明专利]半导体器件-CN201080055574.9无效
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舛冈富士雄;中村広记
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新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司
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2010-12-07
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2012-10-03
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H01L21/8244
- 所述6个MOS晶体管分别由用以存取存储器的第1及第2NMOS存取晶体管、用以驱动用来保持存储单元的数据的存储节点的第3及第4NMOS驱动晶体管、及供给用以保持存储单元的数据的电荷的第1及第2PMOS负载晶体管所构成用以存取存储器的第1及第2NMOS存取晶体管,在与衬底垂直的方向阶层地配置有第1扩散层、柱状半导体层及第2扩散层;所述柱状半导体层配置在所述第1扩散层与所述第2扩散层之间,且在所述柱状半导体层的侧壁形成有栅极用以保持存储单元的数据而驱动存储节点的第3及第4NMOS驱动晶体管,在与衬底垂直的方向阶层地配置有第3扩散层、柱状半导体层及第4扩散层,所述柱状半导体层配置在所述第3扩散层与所述第4扩散层之间,且在所述柱状半导体层的侧壁形成有栅极;用以保持存储单元的数据而供给电荷的第1及第2PMOS负载晶体管分别在与衬底垂直的方向阶层地配置有第5扩散层、柱状半导体层及第6扩散层,所述柱状半导体层配置在所述第5扩散层与所述第6扩散层之间,且在所述柱状半导体层的侧壁形成有栅极再者,形成第3及第4NMOS驱动晶体管的第3扩散层的上端与第4扩散层的下端之间的长度,比形成第1及第2NMOS存取晶体管的第1扩散层的上端与第2扩散层的下端之间的长度为短。
- 半导体器件
- [实用新型]一种相变式蒸汽蓄热器-CN202123164299.9有效
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顾高川
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常州微能节能科技有限公司
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2021-12-16
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2022-05-17
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F28D20/02
- 本实用新型公开了一种相变式蒸汽蓄热器,罐体上设有一个或多个排汽口,进汽管的一端位于罐体内,进汽管的另一端穿过罐体并暴露在罐体的外部,蒸汽扩散管位于罐体内,蒸汽扩散管为多个,每个蒸汽扩散管的一端与罐体固定后,在蒸汽扩散管与罐体之间形成有供蒸汽流动的通道;还包括蒸汽分布组件,该蒸汽分布组件包括:蒸汽分布主管,蒸汽分布主管与进汽管的另一端固定;多个蒸汽输出管,这些蒸汽输出管分布在蒸汽分布主管上并与蒸汽分布主管固定,每个蒸汽输出管套有一个蒸汽扩散管,蒸汽输出管的高度小于蒸汽扩散管的高度;固定架,固定架与蒸汽分布主管固定,固定架还与罐体固定。
- 一种相变蒸汽蓄热器
- [发明专利]一种共振排气消声器-CN201410532574.3在审
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鞠焕鹏;李志萍
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诸城市海得威机械有限公司
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2014-10-11
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2015-01-28
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F01N1/08
- 本发明公开了一种共振排气消声器,包括壳体、端盖、隔板、进气扩散管、出气扩散管、中间管,壳体两端分别设置有密封的端盖,在壳体内部分别设置有三块隔板,三块隔板将壳体内部分别分隔成第一腔体、第二腔体、第三腔体和第四腔体,进气扩散管分别贯穿第一腔体两侧的端盖和隔板,使第二腔体与外界连通,在进气扩散管的侧壁上设置有通气孔,出气扩散管分别贯穿第四腔体两侧的端盖和隔板,使第三腔体与外界连通,在出气扩散管的侧壁上设置有通气孔,使第三腔体与第四腔体通过出气扩散管上的通气孔连通,在壳体内部设置有两条贯穿三块隔板的中间管。
- 一种共振排气消声器
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