专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]单晶PERC扩散三步通源工艺-CN202310795692.2在审
  • 张洪栋;杨屹帆;魏飞;蒋恒博 - 中润新能源(徐州)有限公司
  • 2023-06-30 - 2023-09-22 - H01L31/18
  • 本发明公开了单晶PERC扩散三步通源工艺,包括下述步骤,S1:进舟:将多个晶硅电池装载在石墨舟运输至扩散炉主体内,并操作扩散炉主体内进行预热;S2:第一步通源,设置流量,向扩散炉主体内内配备500~1600sccm氧气,设置扩散炉主体内内的温度范围为600~800的温度,同时吹扫氮气,进行沉积;S3:第二步通源,设置流量,向扩散炉主体内内配备700~1200sccm氧气,设置扩散炉主体内内的温度范围为600~900的温度,同时吹扫氮气,进行沉积;S4:第三步通源,设置流量,向扩散炉主体内内配备500~1000sccm氧气。本发明实现实现通源量同时分梯度不同流量通源,以用来尽可能多的磷原子以替位式方式扩散到硅片内。且形成不同的梯度,减少填隙式扩散方式的影响。
  • perc扩散三步通源工艺
  • [发明专利]双流气准静态法测量气体扩散系数的方法-CN201210075115.8无效
  • 谭延亮;刘辉;袁红志 - 衡阳师范学院
  • 2012-03-20 - 2012-08-01 - G01N13/00
  • 一种采用双流气准静态法测量气体扩散系数的方法,它采用扩散的管路用于气体扩散扩散的长度为L,扩散的管路两端气压相等,在扩散的两端分别形成第一气流回路A和第二气流回路B。第一气流回路A中的第一气流管安装在扩散的一端,在第一气流管的两端通过管道依次串接有第一气泵、气体罐或放射性气源及第一气体浓度测量装置,组成第一气流回路A,保证该回路中的气体浓度恒定;第二气流回路B中的第二气流管安装在扩散的另一端,第二气流管两端的进出气口与扩散的端口部位形成气体混合腔,在第二气流管的两端通过管道依次串接有第二气泵和第二气体浓度测量装置,组成第二气流回路,用于测量扩散后的气体浓度。
  • 双流静态测量气体扩散系数方法
  • [发明专利]混合气体扩散喷头-CN201010167570.1无效
  • 金士良;陈吉;李毅;丁中久;於骞;屠冉冉;洪跃 - 上海大学
  • 2010-05-06 - 2010-09-01 - B05B1/14
  • 本发明涉及一种混合气体扩散喷头。它包括气体导管、气体缓冲室、喷射扩散器。气体缓冲室连接气体导管和喷射,同时气体缓冲室可做圆周方向的转动,并且可通过调速装置进行调节转速,通过气体缓冲室和喷射的气体进入扩散器后可充分均匀扩散,从扩散器中均匀喷出。气体缓冲室和喷射安装于扩散器内,并且可拆卸。具有结构简单、整体体积相对较小、成本较低、能够保证扩散效果好,且制造工艺相对简单,能适合气体使用。
  • 混合气体扩散喷头
  • [实用新型]一种半导体制备扩散-CN202022209260.3有效
  • 王家武;杨定永;张顺祥;阿凤雄;罗应强 - 云南全控机电有限公司
  • 2020-09-30 - 2021-05-25 - C30B31/06
  • 本实用新型公开了半导体制备技术领域的一种半导体制备扩散炉,包括扩散炉主体,所述扩散炉主体左端设置有石英炉门,所述石英炉门内侧设置有保温桶,所述扩散炉主体内部固定设置有滑道,所述滑道上滑动装配有石英舟,所述石英舟的左边设置有挡板,所述挡板通过吊环挂设在扩散炉主体内壁顶端,所述石英舟上方设置有喷淋,所述石英舟下方设置有排废,所述排废旁边设置有TC,所述喷淋和排废均从扩散炉主体右端穿入,所述扩散炉主体右端中间固定设置有进气管本实用性性通过以上设计优化,结构简单,密封效果好,喷淋喷淋均匀,保温隔热效果好,提高了扩散均匀性,实用性强。
  • 一种半导体制备扩散
  • [发明专利]高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应-CN201510003131.X有效
  • 张广胜;张森;卞鹏;胡小龙 - 无锡华润上华科技有限公司
  • 2015-01-05 - 2018-11-27 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应,包括衬底,还包括形成于衬底上的N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应,以及形成于N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应的漏极的P型金属氧化物半导体场效应;P型金属氧化物半导体场效应的栅极作为高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应的栅极;P型金属氧化物半导体场效应的漏极作为高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应的漏极;N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应的源极作为高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应的源极。上述高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应的工艺简单且成本较低,并具有耐高压性能。
  • 高压横向扩散金属氧化物半导体场效应
  • [实用新型]用于内浮顶罐的进油扩散-CN201120453879.7有效
  • 管凯华 - 管凯华
  • 2011-11-01 - 2012-06-20 - B65D88/34
  • 本实用新型是一种进油扩散,特别涉及一种用于内浮顶罐的进油扩散,内浮顶罐用于存储油类。包括罐壁,所述的罐壁中设有进油扩散,所述的进油扩散包括接,所述的接插接在罐壁中,所述的接通过大小头与接管相连接,所述的接管通过支撑板相支撑,所述的接管的外端部设有向内倾斜的削面。用于内浮顶罐的进油扩散结构简单,使用效果好,支撑强度高。
  • 用于内浮顶罐扩散
  • [发明专利]用于图像传感器的传输结构以及图像传感器-CN201110341943.7有效
  • 巨晓华;饶金华;张克云 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2011-11-02 - 2017-07-11 - H04N5/335
  • 公开了用于图像传感器的传输结构以及图像传感器。本发明提供了一种改进的具有高动态范围的图像传感器。传输结构包括第一传输和第二传输;第一传输的第一浮置扩散区和第二传输的第二浮置扩散区分别置于所述图像传感器的光电二极的两端,并且第一浮置扩散区和第二浮置扩散区之间设置开关。开关开启时,第一浮置扩散区和第二浮置扩散区联通,开关关闭时,第一浮置扩散区和所述第二浮置扩散区隔断。本发明的通过开关的开启/关闭来控制浮置扩散区电容的大小来获取稳定的电子传输后浮置扩散区的压降以获取稳定的终端输出信号,实现具有高动态的图像传感器;两个传输能有效地提高电子转移效率,特别是对于像素尺寸较大的图像传感器
  • 用于图像传感器传输结构以及
  • [实用新型]一种农业种植人工授粉装置-CN202222570370.1有效
  • 李慧丽 - 李慧丽
  • 2022-09-28 - 2023-03-10 - A01H1/02
  • 一种农业种植人工授粉装置,包括后授粉、前授粉、过渡软管、扩散接头、固定卡块、卡位弹簧,所述扩散接头前部具有扩散口,扩散接头内部具有扩散孔,扩散接头后部具有授粉连接槽,前授粉与授粉连接槽相适应,前授粉连接授粉连接槽,前授粉固定插入在授粉连接槽内部,后授粉侧面具有后连接杆,后连接杆前部具有内转动连接台,前授粉侧面具有前连接杆,前连接杆后部具有外转动连接台,外转动连接台与内转动连接台转动连接
  • 一种农业种植人工授粉装置

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