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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种低压扩散匹配激光SE的扩散工艺-CN202110302723.7有效
发明人：邹臻峰;李明;赵增超;任鹏;石书清;柳一峰;黄心沿 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种低压扩散匹配激光SE的扩散工艺，包括以下步骤：低浓度氧化；高浓度杂质源扩散氧化沉积，使硅片表面杂质源总量大于PN结深所需的杂质源总量；高浓度杂质源升温扩散氧化沉积，使硅片表面杂质源总量大于本发明低压扩散匹配激光SE的扩散工艺，在不影响生产产能前提下，提高PN结深的一致性和扩散方阻的均匀性和稳定性，有利于提高池转换效率，使用价值高，应用前景好。
一种低压扩散匹配激光 se 工艺

[发明专利]一种基于低压扩散炉的超低浓度POCl3高温扩散方法-CN201610651296.2有效
发明人：孙涌涛;彭兴;董方 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2016-08-10 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于低压扩散炉的超低浓度POCl3高温扩散方法，包括以下步骤（1）进舟；（2）磷沉积；（3）升温推结；（4）降温氧化；（5）出舟。本发明针对现有扩散工艺所存在的技术缺陷，从载气用量、方阻均匀性、稳定性等方面综合考虑，优化了整个扩散工艺，在50~100mBar低压环境下，采用低温沉积、高温分步无氧推进方式，实现了超低POCl3浓度的磷扩散，POCl3浓度只有常规工艺的10%，本发明具有载气用量少、方阻、结深均匀性好、表面死层少等特性，能够明显的提升电池片的开路电压Uoc，降低载气用量和工艺运行时间，保证方阻均匀性、稳定性。
一种基于低压扩散浓度 pocl sub 高温方法

[发明专利]一种晶界扩散工艺用真空反应系统-CN202010792736.2在审
发明人：张永军 -专利权人：北京北方华创磁电科技有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： F27B5/05 文献下载
摘要：本申请涉及晶界扩散工艺技术领域，尤其是涉及一种晶界扩散工艺用真空反应系统，包括能够对工件进行加热的真空炉，真空炉的炉体包括内部中空的炉壳，真空炉的外侧设置有快冷装置，快冷装置包括一端密封的供水管和回水管
一种扩散工艺真空反应系统

[实用新型]一种晶界扩散工艺用真空反应系统-CN202021648959.3有效
发明人：张永军 -专利权人：北京北方华创磁电科技有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： F27B5/05 文献下载
摘要：本申请涉及晶界扩散工艺技术领域，尤其是涉及一种晶界扩散工艺用真空反应系统，包括能够对工件进行加热的真空炉，真空炉的炉体包括内部中空的炉壳，真空炉的外侧设置有快冷装置，快冷装置包括一端密封的供水管和回水管
一种扩散工艺真空反应系统

[发明专利]多晶硅片的磷扩散工艺-CN201110230914.3无效
发明人：顾峰 -专利权人：无锡尚品太阳能电力科技有限公司
申请日： 2011-08-12 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅片的磷扩散工艺，特征是：将制好绒面的多晶硅片清洗干净后放置在扩散炉中进行护散，扩散采用十步扩散步骤：扩散时通入氮气，氮气的通入量为20000ml。多晶硅片扩散后方块电阻为60Ω，将扩散好的多晶硅片加工成电池片。本发明低温扩散能更好的保护扩散炉，延长扩散炉的使用寿命，低温扩散也可以降低电的消耗量，降低太阳能电池的加工成本；通过扩散条件的改变，硅片扩散后的方块电阻比传统工艺提高了10Ω；用本发明所述的扩散工艺做成的电池片的开路电压比以前提高了
多晶硅片扩散工艺

[发明专利]一种制备太阳能电池的扩散工艺-CN201710779452.8有效
发明人：刘志强;费正洪;党继东 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备太阳能电池的扩散工艺，在不同压力状态下多次扩散，以制备多层PN结结构。通过控制压力的变化进行多次扩散，可以控制掺杂元素的掺杂浓度，制备多层PN结结构，该扩散工艺既可以增加PN结内建电场强度，提高开路电压，多层PN结结构的表层N++区或P++区还可以和正银栅线间形成很好的欧姆接触通过控制压力的方法制备多层PN结结构，可以避免扩散温度过高，从而避免掺杂元素的掺杂量过多、结深过深、硅片损坏等问题，提高太阳能电池的转换效率及质量。
一种制备太阳能电池扩散工艺

[发明专利]光电探测器及其制备方法-CN202210837369.2在审
发明人：谢拾玉;许东 -专利权人：上海新微半导体有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明提供一种光电探测器及其制备方法，通过在半导体外延结构的扩散区中先刻蚀形成图形化的沟槽，并在沟槽中选择性生长顶面为凹曲面的曲率型填充扩散层后，结合1次选择性扩散工艺，形成扩散层，避免进行2次或多次选择性扩散的工艺制程，简化工艺流程；在沟槽基础上进行选择性生长后再扩散，可结合刻蚀和选择性生长工艺同时控制扩散层曲率，无需刻蚀较深的台阶，使得沟槽刻蚀更易控制，且可使得扩散层曲率控制更精确，可对扩散层实现纳米级控制精度，获得较平滑的曲率线，以有效抑制边缘击穿；该方法可解决扩散深度不均匀以及扩散工艺控制困难的问题，可满足高性能光电探测器对低暗电流性能、高良率以及低成本的发展需求。
光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于PID自整定的管式扩散炉温区自动校准工艺-CN201410592750.2有效
发明人：金凌云;张志敏;康磊杰;高雪超;刘晓娜 -专利权人：晶澳太阳能有限公司
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： G05D23/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于PID自整定的管式扩散炉温区自动校准工艺，根据炉体中侧热电偶和控温热电偶检测到的温度，利用PID技术对管式扩散炉内温度进行自动校准，实现扩散工艺的温度稳定和温差自动补偿，具体过程包括以下步骤（1）温度T1的稳定阶段；（2）温度T1温差自动补偿阶段；其中温度T1的稳定阶段为恒温设置，温度T1与扩散温度T0的关系为T1=T0，T0为扩散工艺所需要的目标温度。本发明在自动运行工艺中实现了温区温度的自动校准，且可以在同一工艺运行中实现多个温区的校准，替代了手工操作，简化操作流程，提高设备和工艺的可靠性，提高生产效率。
一种基于 pid 扩散炉温自动校准工艺

[实用新型]一种用于纸源立式扩散工艺的扩散舟-CN201620161532.8有效
发明人：梁效峰;韩璐;刘玉涛;王晓捧;谷月清;邢立勋;陈澄;李亚哲 -专利权人：天津中环半导体股份有限公司
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于纸源立式扩散工艺的扩散舟，用于硅整流元件中的纸源扩散工艺。本实用新型的有益效果是：采用本实用新型，提高了每炉扩散时硅片的数量，扩散硅片数量提高1倍以上，每片硅片扩散成本降低了30%以上。
一种用于立式扩散工艺

[发明专利]一种用于太阳能电池的发射极制作工艺-CN201210343324.6有效
发明人：李质磊;袁泽锐;盛雯婷;林洪峰;张凤鸣 -专利权人：天威新能源控股有限公司
申请日： 2012-09-17 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于太阳能电池的发射极制作工艺，包括如下步骤：步骤A：采用扩散工艺在基体硅片（1）表面制作PN结形成表层杂质分布层（2）；步骤B：对步骤A中的表层杂质分布层（2）进行氧化处理，在表层杂质分布层解决常规扩散工艺无法避免产生“死层”的现象，进一步减少表面浓度，提高少子寿命，提高电池的转化效率，降低太阳能电池的生产成本。
一种用于太阳能电池发射极制作工艺

[发明专利]扩散方法及太阳能电池制作方法-CN202310293657.0在审
发明人：冯德魁;简磊;丁留伟;苏晓峰;卞强;董龙辉;李松江;夏斯阳 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本公开实施例中提供扩散方法及太阳能电池制作方法，扩散方法包括至少两步扩散工艺，每步扩散工艺还包括如下步骤：在将硅片放入扩散炉的情况下，向扩散炉中通源以对硅片进行磷扩散，对扩散炉内进行升温，使磷向硅片内部推进，基于升温末端温度对扩散炉内进行降温，并在降温时通入氧气以对硅片进行变温含氧推进，在经过至少两步通源推进过程之后，对扩散炉内进行降温之后，打开扩散炉取出硅片。在变温含氧推进过程中，通过降温，可以降低磷扩散速度，有利于形成浅结，同时提高扩散均匀性。
扩散方法太阳能电池制作方法

[发明专利]一种硼扩散方法及太阳能电池-CN202110961931.8在审
发明人：李云朋;叶枫;袁陨来;王建波 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种硼扩散方法及太阳能电池，涉及光伏技术领域，以制作复合电流密度小且接触电阻率小的硼掺杂层。该硼扩散方法包括如下步骤：提供一硅基底；对硅基底进行整面的第一热扩散工艺，在硅基底上形成第一硼扩散层和硼硅玻璃层；去除硼硅玻璃层；对硅基底进行整面的第二热扩散工艺，使第一硼扩散层的表层掺杂浓度增大转变成第二硼扩散层，第一硼扩散层的其余部分为第三硼扩散层；获得包括第二硼扩散层和第三硼扩散层的硼掺杂层。本发明提供的一种硼扩散方法及太阳能电池用于太阳能电池制造。
一种扩散方法太阳能电池

[发明专利]太阳能电池片湿氧扩散工艺-CN201810620346.X在审
发明人：袁华斌;王晨;符亮;张凯胜;姚伟忠;孙铁囤 -专利权人：常州亿晶光电科技有限公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池片扩散技术领域，尤其涉及一种太阳能电池片湿氧扩散工艺，采用湿氧氧化，能够提高沉积速率，降低时间，提高硅片氧化膜的均匀性。
太阳能电池片扩散工艺湿氧扩散技术领域湿氧氧化均匀性氧化膜硅片沉积

[发明专利]一种太阳能多晶电池P-N结的扩散工艺及前表面处理方法-CN201710874837.2有效
发明人：邹臻峰;程亮;聂世武;李合琛 -专利权人：江西展宇新能源股份有限公司
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：通过四种不同的方式（低表面源低温沉积法，高温混合气体推进法，化学法表面处理法，表面热处理法）依次推进式组合，降低了晶硅太阳能电池扩散层‑磷原子表面浓度，实现彻底消除了扩散表面“死层”，从而大幅度降低晶硅太阳能电池表面复合同时，相对常规扩散工艺，又提高了掺杂浓度，相对常规高方阻扩散工艺，表现为填充因子高，最终实现晶硅太阳能电池转换效率提升0.1‑0.2%。
一种太阳能多晶电池扩散工艺表面处理方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201280003273.0有效
发明人：中泽治雄;荻野正明;栗林秀直;寺西秀明 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2012-02-23 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：通过使用热扩散工艺扩散注入硅晶片的杂质来形成用于确保反向阻断IGBT的反向阻断性能的分离层。用于形成分离层的热扩散工艺在惰性气体气氛中在高于或等于1290°C且低于硅的熔点的温度下进行。
半导体器件制造方法

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