“扩散工艺”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1561466个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种降低双面扩散破片率缩短扩散工艺时间的方法-CN201510590327.3在审
发明人：曹江伟;杨晓琴;陈园;王晗 -专利权人：江西展宇新能源股份有限公司
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低双面扩散破片率缩短扩散工艺时间的方法。本发明为将清洗制绒后的硅片进行磷扩散，其特征在于进、出舟时以不同的速度运行，空桨运行时以扩散设备所要求的最大速度运行，缩短扩散运行时间，增加扩散产能。硅片从进、出炉管时以较低的速度运行，降低热应力，降低扩散破片率。
一种降低双面扩散破片缩短工艺时间方法

[发明专利]一种二极管制造的深扩散工艺-CN201210412772.7无效
发明人：陶小鸥;曹孙根 -专利权人：南通康比电子有限公司
申请日： 2012-10-25 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明公开了一种二极管制造的深扩散工艺，主要由以下步骤构成：原硅片清洗、排磷纸、涂硼、双面喷砂、镀镍前清洗、一次镀镍、合金、二次镀镍，其特征在于：所述涂硼工序中硼液配比：乙二醇乙醚:三氧化二硼=10:4；所述在涂硼和双面喷砂之间增加高温扩散工序。
一种二极管制造扩散工艺

[发明专利]一种选择性发射极太阳能电池的扩散工艺方法-CN202011583980.4在审
发明人：厉文斌;赵颖;任勇;何悦 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种选择性发射极太阳能电池的扩散工艺方法，所述方法包括：将前处理后的硅片置于扩散设备中，抽真空后升温，通入氧气进行预氧化；然后升温，通入氧气和携磷源载气，沉积磷源；停止通气，继续升温后维持恒温，进行无源推进处理；然后降温，再次通气后沉积磷源；停止通入携磷源载气进行二次氧化，然后通气再次沉积磷源，得到扩散处理后的硅片。本发明通过对硅片扩散工艺的改进，通过对制备PN结前后磷源沉积浓度的控制，优化表面掺杂浓度和结深，改善蓝光响应，减少硅片内部缺陷；所述方法通过二次氧化能够为后续激光掺杂提供磷源，改善硅片表面沉积磷源浓度的一致性
一种选择性发射极太阳能电池扩散工艺方法

[发明专利]一种太阳能电池的扩散工艺、制备方法及硅片-CN202110713225.1在审
发明人：刘泉;陈太昌;祁嘉铭;陈家健;方贵允 -专利权人：东莞南玻光伏科技有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池的扩散工艺、制备方法及硅片，该扩散工艺包括：在扩散炉管内，将制绒后的硅片通入携带三氯氧磷的小氮，在第一温度下沉积磷源，并在第二温度下通入氧气和大氮进行高温推进得到PN结；通入携带三氯氧磷的小氮，二次沉积磷源，进而在硅片表面形成含低浓度磷源的磷硅玻璃层；通入大氮对进行吹扫，结束扩散，在硅片表面获得含低浓度磷源的发射极。
一种太阳能电池扩散工艺制备方法硅片

[发明专利]一种高效浅结太阳能电池的扩散工艺-CN201210534180.2无效
发明人：鲁伟明;初仁龙;费存勇;王志刚 -专利权人：泰通（泰州）工业有限公司
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效浅结太阳能电池的扩散工艺，包括以下步骤：a.将清洗制绒后的硅片放入管式扩散炉中；b.升温至800-860oC，通入携带有POCl3的N2和O2，保持一定的时间；c.控制温度在800-860oC，停止通入携带有POCl3的N2，保持一定的时间；d.降低温度至室温，取出硅片，扩散完毕。这种高效浅结太阳能电池的扩散工艺，通过调整携带有磷源的氮气和氧气之间的流量，温度和时间，提高了方块电阻，大大降低了发射极中非活性P原子的浓度，从而大大降低了发射极饱和电流密度，显著提高太阳能电池的短波响应
一种高效太阳能电池扩散工艺

[发明专利]一种全铝背发射极N型单晶电池的制作方法-CN201410476345.4在审
发明人：陆海斌 -专利权人：百力达太阳能股份有限公司
申请日： 2014-09-18 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种全铝背发射极N型单晶电池的制作方法，其特征在于，具体步骤包括：步骤1：在N型单晶硅片的正面制绒，使用磷扩散，刻蚀清洗，镀减反膜；步骤2：在N型单晶硅片的背面印刷全铝背场并烘干；步骤3：在本发明实现了在传统P型电池生产线上生产N型单晶电池，避免了整线设备二次巨额投入、扩散工艺改变等问题，降低N型电池的直接制造成本，降低了N型单晶批量化生产的入门条件，避免了高成本设备投入、扩散工艺改变等问题，降低N型电池的制造成本，配合全铝背结构工艺，提高了其转换效率。
一种全铝背发射极型单晶电池制作方法

[发明专利]一种金属罐体的制备方法-CN201911095651.2有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：佛山市智晓科技服务有限公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属罐体的制备方法，其包括以下步骤：(1)采用碳钢管件，两端口进行收口加工；(2)然后通过铜铁扩散工艺进行表面处理：先通过镀铜工艺在碳钢管件的表面形成铜镀层，然后通过加热使铜镀层全部或部分与碳钢管件的表面相互扩散，使其至少外表面形成抗腐蚀层；(3)在铜铁扩散工艺过程进行中或进行前或进行后，在碳钢管件的两端口内焊接铜内衬管或者焊接延长管和铜内衬管。
一种金属罐制备方法

[实用新型]采用后制绒工艺的太阳能电池-CN200820207825.0无效
发明人：汪钉崇;夏庆峰 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2008-07-31 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶体硅太阳能电池技术领域，特别是一种采用后制绒工艺的太阳能电池。它包括硅片，硅片表面下通过扩散工艺形成的高掺杂区和低掺杂区，将通过扩散工艺形成的高掺杂区和低掺杂区的上层作为制绒层，在高掺杂区和低掺杂区内的制绒层制绒以形成绒层。在理想状态，高掺杂区的截面形状应该是上下宽度一致的，但是在实际生产中，高掺杂区的截面上宽下窄呈现漏斗状，为此在扩散完成后，进行制绒，在制绒过程中，会使高掺杂区一薄层被去除，相应的高掺杂区的厚度降低，高掺杂区的截面此时更接近于上下宽度一致的理性状态
采用后制绒工艺太阳能电池

[发明专利]一种降低选择性发射极太阳能电池发射极串联电阻的方法-CN201110443880.6无效
发明人：张博;张炯;向勇 -专利权人：张博;张炯
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种降低选择性发射极太阳能电池发射极串联电阻的方法，其中，所述方法包括：使用与太阳能硅片极性相反的掺杂源在太阳能硅片上形成图形；对太阳能硅片执行扩散工艺，同时形成轻掺杂浓度的发射极以及在发射极内部的中等掺杂浓度的半导体沟道本发明的方法制作太阳能电池的过程中，经过一次扩散工艺同时形成发射极以及位于发射极内的半导体沟道，无需使用其他热处理过程；半导体沟道的制备具有自对准特性，后续工艺无需使用对准技术。
一种降低选择性发射极太阳能电池串联电阻方法

[外观设计]五管卧式LPCVD炉-CN202130880022.2有效
发明人：宋立禄;刘国霞;张海林 -专利权人：青岛赛瑞达电子科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： 23-03 文献下载
摘要：2.本外观设计产品的用途：用于低压扩散工艺。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
卧式 lpcvd

[发明专利]一种高增益带宽积的光探测器及其制造方法-CN201910616134.9在审
发明人：曾磊;王肇中 -专利权人：武汉光谷量子技术有限公司
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种高增益带宽积的光探测器的制造方法，涉及光探测器技术领域，包括以下步骤：步骤S1，在衬底上，依次生长缓冲层、第一渐变层、有源层、第二渐变层、第一功能层、第二功能层、扩散控制层和顶层形成外延结构；步骤S2，对整个外延结构进行第一次锌扩散工艺，使锌扩散至扩散控制层；步骤S3，遮蔽部分外延结构，对未遮蔽部分外延结构进行第二次锌扩散工艺，使锌扩散至第二渐变层以形成TWSOA，被遮蔽部分外延结构形成WGAPD
外延结构光探测器高增益渐变层遮蔽带宽扩散控制层扩散工艺功能层锌扩散次锌制造增益带宽电极缓冲层衬底顶层刻蚀源层生长

[发明专利]一种烧结硬化用水雾化合金粉末及其制造方法-CN201811009162.6在审
发明人：李江;王洋;修凤玲;卜福昌;纪向军;高扬 -专利权人：鞍钢重型机械有限责任公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： B22F9/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种烧结硬化用水雾化合金粉末的制造方法，该方法包括冶炼、雾化、还原、扩散工序，在冶炼的过程中，向钢液内加入Mo，然后通过扩散工艺，将Mn、Ni扩散至含Mo合金铁粉上；在还原和扩散工序之间增加混料工序将还原后的铁钼粉经过破碎、筛分、合批，然后加入占铁钼粉质量0.1％～1.0％的油性粘接剂，再加入Ni粉、Mn粉，混料机转速控制10～20r/min，混料时间控制30～90min，制成半成品，再将混合均匀的半成品经还原炉扩散
扩散还原雾化合金粉末烧结铁钼粉混料半成品冶炼硬化扩散工艺时间控制转速控制综合性能油性还原炉混料机粘接剂钢液铁粉雾化制造破碎

[实用新型]一种扩散炉-CN201320058086.4有效
发明人：樊坤;刘良玉;禹庆荣;杨彬;张宝锋 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： C30B31/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种扩散炉，包括加热炉、净化台和置于加热炉与净化台之间的废气排气室，所述废气排气室内设有用于清洁进入废气排气室内硅片的吹扫机构。该扩散炉能够全方位吹扫掉硅片上的粉尘，有效地提高扩散炉的扩散工艺，从而提高太阳能电池的光电转换效率。
一种扩散

[发明专利]一种DAT级经济型抗磨损渗碳起重链条的制备工艺-CN201811571411.0在审
发明人：朱四华 -专利权人：杭州浙中链条有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： C23C8/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种起重链条的制备工艺，尤其涉及一种DAT级经济型抗磨损渗碳起重链条的制备工艺。按以下步骤进行：放料装料→前期准备→渗碳工艺→扩散工艺→回火工艺。一种DAT级经济型抗磨损渗碳起重链条的制备工艺进一步提升产品品质。
起重链条制备工艺经济型抗磨损渗碳装料产品品质扩散工艺渗碳工艺放料回火

[发明专利]一种减小SE激光损伤的厚氧化层扩散工艺-CN202110015472.4在审
发明人：陈太昌;梁杭伟;邢珍帅;吴娟;杨健 -专利权人：东莞南玻光伏科技有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2021-01-05 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小SE激光损伤的厚氧化层扩散工艺，涉及太阳能电池技术领域。该工艺包括步骤：S1，将制绒后的硅片通入POCl3进行扩散处理，在硅表面得到附磷层；S2，通入800‑1200sccm氧气，在温度770‑790℃，压力90‑110mbar的条件下，使所述附磷层上形成氧化层；S3，提高S2的氧气量，使所述氧化层的厚度达到35‑45nm；S4，通入氮气进行吹扫，结束扩散，在硅片表面获得减小SE激光损伤的厚氧化层。本发明提供的减小SE激光损伤的厚氧化层扩散工艺，通过在硅表面得到附磷层之后，再在硅片附磷层表面形成一层40nm左右的致密性强的氧化层(SiO2)，达到减小激光重掺杂对硅片损伤的效果
一种减小 se 激光损伤氧化扩散工艺

首页
«上一页
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
下一页»
尾页
共 100000 条