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[发明专利]激光键合方法和具有激光键合连接部的微机械设备-CN201811567334.1在审
发明人： J·赖因穆特;M·兰巴赫 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种微机械设备，具有带着MEMS键合框的MEMS构件和带着罩键合框的罩构件，其中，MEMS构件和罩构件形成至少一个共同的空腔，其中，MEMS键合框和罩键合框在键合面上彼此贴靠。本发明的核心在于，MEMS键合框和/或罩键合框具有呈至少一个凹槽的形式的键合框结构化部并且两个键合框借助于由键合框的材料和/或罩键合框的材料形成的熔化部相互连接，其中，凹槽至少部分地填充以熔化部。本发明也涉及一种微机械构件，具有带着键合面的键合框，其中，键合框具有呈至少一个凹槽的形式的键合框结构化部，该键合框结构化部延伸至键合面。本发明也涉及一种用于借助激光键合制造微机械设备的方法。
键合微机械设备激光键合框结构熔化罩构件微机械构件材料形成键合面空腔贴靠填充延伸制造

[发明专利]采用金属键合工艺实现氮化镓发光二极管垂直结构的方法-CN200710036455.9无效
发明人：欧欣;王曦;陈静;孙佳胤;武爱民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2007-01-12 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用金属键合工艺实现氮化镓发光二极管垂直结构的方法。本发明采用扩散键合形式的金属键合工艺使在蓝宝石上生长制作的氮化镓发光二极管键合到低阻硅片上并实现欧姆接触。本发明通过采用扩散键合形式的金属键合工艺实现硅基氮化镓发光二极管的制作，具有键合工艺稳定、器件良率高、面积小且充分利用发光层的材料、衬底导电且导热性好的优点。
采用金属键工艺实现氮化发光二极管垂直结构方法

[发明专利]具有交叉导体装配件的半导体封装件及制造方法-CN200580006124.X有效
发明人：周亚平;李曙钟 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2005-01-21 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：半导体封装件采用各种形式的经由键合金属丝连接到管芯键合焊点的导电轨线。在一种形式中，相邻的键合金属丝被有意地在其中点附近交叉，以便降低导体的自感并最小化自感。在另一种形式中，与具有插入的无关键合焊点的各键合焊点相关的键合金属丝被交叉。因此，导电轨线被分成分隔的区段，并由交叉的跳线金属丝或键合金属丝电连接。在另一形式中，一个轨线是连续的，并将第二轨线分成二个或更多个区段。用重叠的键合金属丝来连接此多个区段。可以采用绝缘的或非绝缘的键合金属丝。
具有交叉导体装配半导体封装制造方法

[发明专利]考虑双根金丝键合线互感的微波器件路耦合传输性能预测方法-CN201710758166.3有效
发明人：王从思;李锦涛;程景胜;张洁;连培园;彭雪林;李明荣;王志海;訾斌;段宝岩 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种考虑双根金丝键合线互感的微波器件路耦合传输性能预测方法，包括确定双根金丝键合线的结构参数、电磁参数以及材料属性；将第i根金丝键合线等效为电阻和电感，焊盘等效为两个平行板电容；确定键合线及其等效二端口网络形式；计算线长和趋肤深度；确定网络中串联电阻、电感值、互感值、串联电感、极板间距和并联电容；判断两根金丝键合线及其两边的焊盘是否等效；确定双根金丝键合下的等效二端口网络形式、等效阻抗、串联电阻和串联电感、并联电容、开路阻抗参数；计算微波器件传输参数；建立耦合模型；计算双根金丝键合下的微波器件传输性能。本发明实现了双根金丝键合线在不同结构参数下的微波器件传输性能快速预测与分析。
考虑金丝键合线互感微波器件耦合传输性能预测方法

[发明专利]一种低翘曲度键合片的键合方法-CN202211314579.X在审
发明人：郑洪仿;旷明胜;陈慧秋 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种低翘曲度键合片的键合方法，涉及半导体制造领域，包括以下步骤：在外延层、硅衬底的预键合面形成第一、第二键合材料，对准后置入具有弧面的石墨盘中进行键合；使其升温至第一温度并对其施加第一压力，保持第一时间以使键合材料熔化融合；使温度从第一温度按温度差值以等差数列的形式分段递减降至预设温度，同时将压力从第一压力按压力差值以等差数列的形式分段递减降至预设压力，且每阶段按照预设时间值保持一段时间。本发明的方法通过使用具有弧面的石墨盘进行键合，而且控制温度与压力阶段性同时降低且每阶段保持一定时间，能减小键合结构中的应力，降低键合结构的翘曲度，获得具有低翘曲度的键合片。
一种曲度键合片方法

[发明专利]倒装芯片管芯键合焊盘、管芯键合焊盘布局及布线优化-CN03803125.6无效
发明人：埃里克·S·卡尔斯加德 -专利权人：汤姆森特许公司
申请日： 2003-01-31 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种用于倒装芯片的集成电路管芯，具有圆形管芯键合焊盘(122)。当配套的印刷电路板在其对应的焊盘之间具有布线线路时，圆形管芯键合焊盘允许更高密度的键合焊盘。在一种形式下，提供一种具有管芯(120)和位于该管芯上的多个管芯键合焊盘(122)的倒装芯片。该管芯的每个管芯键合焊盘是圆形的。
倒装芯片管芯键合焊盘布局布线优化

[发明专利]具有高输入/输出连接的半导体集成电路器件-CN96123430.X无效
发明人：姜帝凤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1996-12-30 - 公布日： 1997-12-24 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：一种需要高I/O连接的IC器件，其中许多电极压焊区以矩形形式排列用于方形表面装配式封装，拐角电极压焊区移向半导体芯片内部用于减小拐角键合线距离，或者拐角内部引线弯曲并进一步延伸向芯片使拐角键合线的跨度长度较短，从而使得在导线键合和模塑工序过程中避免导线摆动和拐角键合线的短路并且能够提高键合线的可靠性。
具有输入输出连接半导体集成电路器件

[发明专利]一种微波类半导体芯片组件、组装方法及半导体器件-CN202210114508.9在审
发明人：郝成丽;邵明坤;鱼家傲;靳卓 -专利权人：北京华航无线电测量研究所
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波类半导体芯片组件、组装方法及半导体器件，属于半导体芯片组装技术领域，解决了现有的微波类芯片采用二维平铺的形式，体积大，集成密度低的问题。组装方法包括：S1、下层芯片的下表面与基板导电连接；S2、下层芯片的键合点通过引线与基板的键合点键合实现电气互联；S3、异形垫片的下表面通过绝缘胶实现与下层芯片的装配；S4、异形垫片的上表面与上层芯片的下表面导电连接，异形垫片经过引线与基板的接地键合点键合；S5、上层芯片的键合点通过引线与下层芯片的键合点或基板的键合点键合实现电气互联。
一种微波半导体芯片组件组装方法半导体器件

[发明专利]基于单根金丝键合的微波器件路耦合传输性能预测方法-CN201710758798.X有效
发明人：王从思;李锦涛;程景胜;王艳;彭雪林;许万业;王璐;王志海;刘英想;唐宝富;段宝岩 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单根金丝键合的微波器件路耦合传输性能预测方法，包括确定单根金丝键合线结构参数、电磁参数及材料属性；将单根金丝键合线等效为电阻和电感；将单根金丝键合线焊盘等效为两个平行板电容；确定单根金丝键合线及其焊盘的等效二端口网络形式；计算单根金丝键合线长度；计算单根金丝键合线趋肤深度；确定等效二端口网络的串联电阻和串联电感；计算等效电容的极板间距；确定等效二端口网络并联电容；计算二端口网络阻抗Z参数；计算微波器件传输S参数；建立传输S参数与单根金丝键合线结构参数的路耦合模型；计算单根金丝键合下的微波器件传输性能。本发明实现了单根金丝键合线不同结构参数下的微波器件传输性能快速预测与分析。
基于金丝微波器件耦合传输性能预测方法

[发明专利]一种晶圆级真空封装方法-CN201811586188.7在审
发明人：韩磊;赵照 -专利权人：合肥芯福传感器技术有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆级真空封装方法，包括以下步骤：（1）分别对盖板和电路晶圆预处理：在盖板上以阵列形式生长吸气剂和第一金属键合环；在电路晶圆上以阵列形式生长MEMS传感区、焊盘和第二金属键合环，第二金属键合环生长在传感区周围；（2）对预处理后的盖板按照设定尺寸切割成若干单颗封盖并进行检测；（3）将检测合格的若干单颗封盖与电路晶圆置入真空设备中，激活盖板上的吸气剂；（4）通过机械手臂将单颗封盖逐一放在电路晶圆的对应位置，键合封盖与电路晶圆；（5）将键合后的封盖和电路晶圆放置真空环境中并切割成独立的芯片单元，再将芯片单元进行后段封装工艺。
晶圆电路封盖盖板金属键合预处理芯片单元真空封装阵列形式传感区吸气剂键合种晶生长切割封装材料封装工艺机械手臂真空环境真空设备检测焊盘后段良率置入封装激活

[发明专利]一种LED基板和透镜键合、热压和注胶一体化设备-CN201410236335.3有效
发明人：陈安;胡跃明;刘伟东;吴忻生 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED基板和透镜键合、热压和注胶一体化设备，包括用于输入LED基板和透镜的进料装置、键合机构、热压机构、注胶机构、用于输出成品的出料装置、基板及传送机构，所述进料装置及出料装置分别设置于基板及传送机构两端，所述键合机构、热压机构、注胶机构沿传送带输送方向依次设置在基板及传送机构上。本发明通过对LED基板和透镜的键合、热压和注胶工序集成化，实现光学透镜形式成组大功率LED封装的基板和透镜键合、热压和注胶工艺的综合和归一，进一步减少成组大功率LED后期封装所依赖的设备数量，实现光学透镜形式成组大功率
一种 led 透镜热压一体化设备

[发明专利]键合头、键合装置和键合方法-CN202211506940.9在审
发明人：龙俊舟;陶超;王力 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本申请提供一种键合头、键合装置键合方法。键合头包括键合块，键合块的底面包括第一区域和第二区域，第一区域包括键合块的底面的中心区域，第二区域环绕第一区域，第一区域中设置有第一压力施加装置的至少部分，第二区域中设置有吸附第一键合对象的第二压力施加装置的至少部分在进行贴合时，吸附在键合块的底面上的第一键合对象下表面的拱起的中间区域先于第一键合对象下表面的边缘区域贴合第二键合对象的上表面，且第一压力施加装置从第一工作状态切换至第二工作状态，以使第一键合对象下表面的拱起的中间区域逐渐恢复形变，第一键合对象的下表面和第二键合对象的上表面依次贴合，从而将第一键合对象和所述第二键合对象键合在一起。
键合头装置方法

[发明专利]键合头、键合设备和键合方法-CN202010130971.3有效
发明人：郭耸;朱鸷 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种键合头、键合设备和键合方法。该键合头包括至少一个键合头组件；键合头组件包括压头、加压电极和压力检测单元，压头包括压电材料，压头用于压合芯片，加压电极与压头连接，加压电极用于为压头提供交流电压，以使压头在压合方向上产生变形，压力检测单元用于在芯片键合时检测压头对芯片的压力通过调节加压电极为压头提供交流电压的大小可以调节压头压合芯片的压力，并通过压力检测单元检测压头对芯片的压力，从而可以降低键合头的成本，减小了键合头的质量和体积，有利于提高键合设备的产率和键合精度。而且，键合头组件的体积减小，可以有利于实现多个芯片的批量键合，提高键合设备的键合效率。
键合头设备方法

[实用新型]基板及封装结构-CN202320520987.4有效
发明人：张铁成;张胡军;李东;欧阳茜 -专利权人：杭州晶丰明源半导体有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：所述基板具有金属层，所述金属层包括驱动芯片连接线路，其中，所述驱动芯片连接线路包括用于倒装焊接的第一连接线路和用于引线键合连接的第二连接线路，如此基板能够兼顾倒装焊接和引线键合两种封装形式，可以用于封装倒装焊接或引线键合两种封装形式的驱动芯片
封装结构

[发明专利]多孔载片临时键合拿持薄晶片的方法-CN201510780222.4有效
发明人：于大全;范俊 -专利权人：华天科技（昆山）电子有限公司
申请日： 2015-11-16 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔载片临时键合拿持薄晶片的方法，通过在临时载片上设置不少于晶片上凸点数量的让位槽孔，并使让位槽孔与晶片上的凸点相对应，可使晶片正面的较高的凸点或所有凸点插入到临时载片上的让位槽孔中。这样，可以有效降低键合胶水的厚度，还可以减少键合胶水的使用量，而且易于散热，避免了后续制程由厚胶散热不良引发的工艺问题。较佳的，该让位槽孔设计成通孔的形式，这样，在完成晶片背面工艺后，将其浸入化学溶液进行拆键合时，临时键合胶水可以通过临时载片上的通孔进行溶解，完成拆键合，从而加快解键合的效率。
多孔临时键合拿持薄晶片方法

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