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[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN201710774941.4有效
发明人：日下部武志 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：实施方式的半导体存储装置具备衬底、第1积层体、柱状部、第2绝缘膜及第2积层体。所述第1积层体设置在所述衬底上的第1区域内。所述第2绝缘膜设置在所述衬底上的第2区域内，且在所述第1积层体的积层方向上具有第1厚度。所述第2积层体设置在所述第2绝缘膜上。在所述第2积层体中，交替积层有第1膜及第3绝缘膜。所述第2积层体的多个第1膜中最上层的第1膜距所述衬底的上表面在所述积层方向上位于第1距离处。所述第1厚度为所述第1距离的30％以上的厚度。
半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]全平面太赫兹复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及制备方法-CN201810437561.6有效
发明人：周春宇;杜会静;王冠宇;徐超;孙继浩 -专利权人：燕山大学
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：一种全平面太赫兹复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及制备方法，在N‑Si衬底两端形成STI隔离区；掺杂As形成N+亚集电区；在衬底表面淀积绝缘介质；外延一层本征单晶硅层作为集电区；非选择性外延Si缓冲层、掺C的Si1‑xGex层、Si帽层；在Si帽层上面依次淀积氧化层‑氮化层‑氧化层；选择性注入集电极；生长发射极内侧墙；淀积多晶硅发射极；生长发射极外侧墙；在非选择性外延层结构的两端采用嵌入式SiGe技术选择性外延Si1‑yGey层；采用发射极作掩膜淀积抬升的多晶硅非本征基区；刻蚀以定义基极和发射极的位置；淀积硅化物形成发射极、基极和集电极接触。
平面赫兹复合应变 si sige 异质结双极晶体管制备方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710017736.3有效
发明人：高桥笃史;吉水康人 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：根据实施方式，半导体装置具备基底层、设置于基底层上的积层体、半导体主体、电荷存储部、绝缘层、与绝缘层为不同的绝缘材料的多个柱状部及多个接触部。积层体具有隔着绝缘体而积层的多个电极层。多个电极层具有形成阶差而呈阶梯状地排列的多个阶面部。半导体主体在积层体内沿积层体的积层方向延伸。电荷存储部设置于半导体主体与电极层之间。绝缘层设置于多个阶面部之上。多个柱状部在绝缘层内及绝缘层之下的积层体内沿积层方向延伸。多个接触部在绝缘层内沿积层方向延伸，且连接于多个阶面部。多个接触部与配置于所连接的阶面部内的柱状部的最短距离相互大致相等。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]厚层风积沙路基压实度快速检测方法-CN201610075813.6有效
发明人：刘军勇;张留俊;罗涛;吴臻林;张子然;谢诗元 -专利权人：中交第一公路勘察设计研究院有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： E02D1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种厚层风积沙路基压实度快速检测方法。风积沙路堤现场压实度检测一般采用灌砂法，工序多，受天气情况、人为因素影响较大，难以满足路堤大规模连续填筑碾压作业的要求。本发明首先确定风积沙最大干密度作为标准干密度ρmax；对上下相邻的两层路堤进行检测深度范围内的压实度逐层检测对待检风积沙路堤段取若干代表点进行灌砂法测定风积沙路堤干密度ρi，结合计算风积沙分层压实度Di，建立压实度与动力触探锤击数N10‑15和检测深度h之间的相关关系式。其他待检路段检测时，采用动力触探试验得出风积沙路堤分层压实度。本发明检测深度大，数据多，方法简单，且受天气及人为等因素影响小，可在风沙天气进行检测。
厚层风积沙路基压实度快速检测方法

[实用新型]一种三阶HDI高密度积层线路板-CN202021074486.0有效
发明人：戴永进 -专利权人：江西竞超科技股份有限公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H05K1/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种三阶HDI高密度积层线路板，包括第一积层线路板、防护架以及缓冲片，所述第一积层线路板的一侧设置有第二积层线路板，所述第二积层线路板远离第一积层线路板的一侧设置有第三积层线路板，所述防护架设置在第一积层线路板与第六积层线路板的外侧该三阶HDI高密度积层线路板，不仅通过等间隔分布的缓冲片和防护架内壁形成的等腰梯形结构，使得缓冲片对该线路板的边缘进行减震缓冲，而且通过防护架拐角处呈圆弧状的凸起对该积层线路板的边角进行防护，有效避免该三阶HDI高密度积层线路板的拐角受碰撞导致碎边。
一种 hdi 高密度线路板

[发明专利]一种铜阻挡层和铜晶籽层的形成方法-CN201310459902.7有效
发明人：洪齐元;黄海 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜阻挡层和铜晶籽层的形成方法，包括以下步骤，步骤一，去气，对基板上的通孔或沟槽进行去气处理；步骤二，淀积第一铜阻挡层，在基板上的通孔或沟槽中淀积一层铜阻挡层；步骤三，淀积第二铜阻挡层，在上述步骤二的基础上，在所述第一铜阻挡层的表面继续淀积第二铜阻挡层，所述第一铜阻挡层的淀积速率小于所述第二铜阻挡层的淀积速率；步骤四，淀积铜晶籽层，在上述步骤三中的第二阻挡层表面淀积一层铜晶籽层。本发明一种铜阻挡层和铜晶籽层的形成方法中，在淀积铜阻挡层的过程中分两步进行，第一铜阻挡层的淀积速率小于第二铜阻挡层的淀积速率，此种方法可以对薄膜进行有效的应力释放，避免薄膜开裂，从而提高了产品的合格率。
一种阻挡铜晶籽层形成方法

[发明专利]半导体存储装置-CN201710133674.2在审
发明人：小长井聡 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2017-03-08 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：实施方式的半导体存储装置具备衬底、积层体、柱状部、及绝缘膜。所述积层体设置在所述衬底上，具有各自隔开而积层的多层电极层。所述柱状部具有设置在所述积层体内，且沿着所述多层电极层的积层方向延伸的第1半导体部。所述绝缘膜覆盖所述柱状部的底部。
半导体存储装置

[发明专利]具有带易于浮岛形成的台阶式沟槽的电压维持层的功率半导体器件的制造方法-CN02819657.0无效
发明人：理查德·A·布朗夏尔;让－米歇尔·吉约 -专利权人：通用半导体公司
申请日： 2002-10-03 - 公布日： 2005-01-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：通过在衬底上淀积第一导电类型的外延层和在外延层中形成至少一个台阶式沟槽来形成电压维持区。台阶式沟槽具有多个宽度不同的部分，它们之间限定至少一个环形凸缘。沿着沟槽壁淀积阻挡材料。穿过嵌入环形凸缘和所述沟槽底部的阻挡材料注入第二导电类型的掺杂剂并进到外延层的邻近部分中。掺杂剂扩散在外延层中形成至少一个环形掺杂区和位于环形掺杂区之下至少另一个区。在台阶式沟槽中淀积填充材料以基本上填充沟槽，由此完成电压维持区。在电压维持区上形成至少一个第二导电类型区以在它们之间限定结面。
具有易于形成台阶沟槽电压维持功率半导体器件制造方法

[发明专利]半导体存储装置-CN201910138981.9在审
发明人：矢木美贵子 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：实施方式的半导体存储装置具备第1积层体、第2积层体、中间绝缘层、及柱状体。所述中间绝缘层位于所述第1积层体与所述第2积层体之间。所述第2积层体的多个导电层包含第1导电层，该第1导电层在所述第2积层体的多个导电层中位于最靠近所述中间绝缘层。所述第1导电层具有：本体部，具有面向所述柱状体的第1端面；及突出部，从所述本体部向所述第1积层体突出，并且具有面向所述柱状体的第2端面。所述第1端面与所述第2端面连续。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN201980098723.0在审
发明人：押木祐介 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-09-13 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：一实施方式的半导体存储装置具备：第1积层体，在基板上沿垂直于基板的第1方向，交替积层着多层第1电极层与多层第1绝缘层；多层半导体膜，沿第1方向贯通第1积层体；第2积层体，在第1积层体上沿第1方向，交替积层着多层第2电极层与多层第2绝缘层；及多个接触插塞，沿第1方向贯通第2积层体，且个别地连接于多层半导体膜中的每一层与多层第2电极层中的每一层。
半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]多位高集成度垂直结构存储器的制备方法-CN201410276211.8有效
发明人：付英春;王晓峰;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2016-09-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种多位高集成度垂直结构存储器的制备方法，包括：在衬底上淀积第一电热隔离材料层；淀积第一电极材料层，淀积第二电热隔离材料层；淀积第二电极材料层，形成第二下电极；淀积第三电热隔离材料层；制作第三下电极；淀积第四电热隔离材料层；依次淀积存储材料层及第四电极材料层，淀积第五电热隔离材料层；淀积第五电极材料层；在第五电热隔离材料层开孔至上电极的上表面；淀积第六电极材料层，并去除第六掩模开槽并剥离形成三个第二测试电极。
多位高集成度垂直结构存储器制备方法

[发明专利]干式积层陶瓷电容器的外部电极制造方法-CN201310690862.7有效
发明人：高在洪 -专利权人：大连天壹电子有限公司
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01G4/232 文献下载
摘要：干式积层陶瓷电容器的外部电极制造方法，包括准备硅晶片阶段，指定电极层和电介层层数的阶段，形成初级绝缘层阶段，形成电极层阶段，形成电介层阶段，电极层和电介层反复积层阶段，电极层和电介层的热处理阶段，形成保护层阶段，晶片背面研磨阶段，完成积层的晶片以芯片（Chip）形态切割的阶段，芯片侧面蚀刻阶段及形成外部电极阶段。上述结构的本发明在形成电极层的阶段中利用预先设计的电路，实施芯片切割阶段和形成外部电极阶段之间定好的蚀刻工艺制造外部电极的方法。把预先设计好的电极层电路图形和芯片进行切割后，通过将切割面进行蚀刻的方法加强电极层和外部电极的粘合性，最终可获得高品质MLCC。
干式积层陶瓷电容器外部电极制造方法

[发明专利]一种前金属介电质层的淀积方法-CN201110322336.6无效
发明人：徐强;张文广;郑春生;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种前金属介电质层的淀积方法，其中，包括下列步骤：在半导体基体表面淀积孔洞填充层；在孔洞填充层上方淀积过渡层，以增加其前序薄膜和其后续薄膜之间的粘合力；以及在过渡层上方进行主体薄膜淀积，为其后续的平坦化工艺淀积一定厚度的薄膜过渡层通过高密度等离子体化学气相沉积法来沉积。过渡层的淀积速率在孔洞填充层的淀积速率和主体薄膜的淀积速率之间。与已有技术相比，本发明的有益效果在于：采用本发明进行前金属介电质层薄膜的淀积，可以减小颗粒缺陷的产生，提高产品良率。
一种金属介电质层方法

[发明专利]图像处理方法和装置-CN201710060897.0有效
发明人：刘瀚文;那彦波 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： G06K9/66 文献下载
摘要：该图像处理方法包括：使用第一卷积神经网络提取输入的第一图像的特征，以及使用第二卷积神经网络重构并输出图像。所述第一卷积神经网络包括依次连接的多个第一卷积层和间插于相邻第一卷积层之间的多个第一池化层，所述第一卷积层每个用于产生并输出第一卷积特征；第二卷积神经网络包括依次连接的多个第二卷积层和间插于相邻第二卷积层之间的多个复合层，所述复合层为上采样层。
图像处理方法装置

[发明专利]近红外线屏蔽膜-CN200480031592.8有效
发明人：大宅太郎 -专利权人：帝人杜邦菲林日本株式会社
申请日： 2004-10-26 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： G02B5/22 文献下载
摘要：本发明提供层间附着性高、基本上透明、可在宽带域范围将近红外线高度屏蔽、且不发生电磁波干扰的近红外线屏蔽膜。该近红外线屏蔽膜是含有第1积层膜部分和第2积层膜部分的多层积层膜，这些积层膜均为第1层和第2层交替积层而成，但是构成第2积层膜部分的全部层的平均厚度是构成第1积层膜部分的全部层的平均厚度的1.05～1.6
红外线屏蔽