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[发明专利]积层成型体-CN200580017540.X无效
发明人：秋山善男;石山新一 -专利权人：株式会社吉野工业所
申请日： 2005-05-31 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： B32B33/00 文献下载
摘要：本发明的积层成型体，是通过共挤压多个树脂原料而在本体(1)的表面上形成装饰层(2)以及表面层(3)。装饰层(2)积层有由已着色的树脂原料所构成的着色膜(2a)、及由使着色膜(2a)发亮的树脂原料所构成的光亮膜(2b)。
成型

[实用新型]一种模块式多层结构反滤生态护岸单元-CN201620365543.8有效
发明人：曹华英;曹莉;谯晓君;谢云军;孙潜;武艳芳;蔡金术;王迅 -专利权人：深圳文科园林股份有限公司
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： E02B3/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种模块式多层结构反滤生态护岸单元，包括岩石层、淀积层、腐殖质层、输水管，所述岩石层上设置有所述淀积层，所述淀积层上设置有所述腐殖质层，所述腐殖质层内设置有所述输水管，所述输水管上设置有喷水管，所述喷水管上设置有高压喷头，所述输水管末端设置有水泵，所述淀积层上设置有河道，所述河道两岸设置有生态砌块护岸，所述生态砌块护岸由生态砌块组成，所述腐殖质层上设置有植物。
一种模块多层结构生态护岸单元

[发明专利]嵌入式镜像位SONOS存储器的工艺方法-CN202010893760.5有效
发明人：王宁 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种嵌入式镜像位SONOS存储器的工艺方法：在半导体衬底上淀积衬垫氧化层和氮化硅层；使氮化硅层图案化；对暴露出的衬垫氧化层进行刻蚀；生长一层ONO层；淀积第一多晶硅层并进行CMP工艺及刻蚀；第一氧化层生长及刻蚀；第一多晶硅层进行二次刻蚀；对ONO层进行刻蚀；第二氧化层生长；淀积第二多晶硅层并对第二多晶硅层进行CMP工艺；移除氮化硅层及衬垫氧化层；第三氧化层及第三多晶硅层的生长及刻蚀。本发明通过调整光刻定义的范围，将光刻定义的范围扩展至一次打开一个选择管加两个存储管的整体宽度，单个存储管的宽度由氧化层的淀积厚度来自对准定义，可以在光刻能力有限的情况下，实现更小尺寸的嵌入式镜像位SONOS
嵌入式镜像位 sonos 存储器工艺方法

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN201610580957.7有效
发明人：寺田隆司;加藤久词;小山庆晃 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：根据实施方式，半导体存储装置包括：衬底；第1积层体，配置在所述衬底上；第2积层体，配置在所述衬底上，具有比所述第1积层体的积层数多的积层数，且具有各自分开积层的电极层；及第3积层体，配置在所述第1积层体与所述第2积层体之间，且具有比所述第1积层体的积层数少的积层数。所述第1积层体具有各自分开积层的多个第1层、及配置在所述多个第1层之间的多个第2层。所述第3积层体具有：第3层，包含与所述多个第1层相同的材料；及第4层，包含与所述多个第2层相同的材料，且隔着所述第3层与所述衬底分开。
半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]小量程MEMS电容式压力传感器及其制备方法-CN202210156339.5在审
发明人：傅邱云;王静;罗为;聂波 -专利权人：华中科技大学;孝感华工高理电子有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G01L9/12 文献下载
摘要：本发明涉及压力传感器技术领域，提供了一种小量程MEMS电容式压力传感器的制备方法，包括如下步骤：S1，于衬底上淀积下电极层，并将所述下电极层刻蚀形成单个阵列的下电极；S2，在所述下电极上淀积介质层，所述介质层作为所述下电极的保护层；S3，于所述介质层上淀积牺牲层；S4，接着经光刻、刻蚀形成下电极引出孔；S5，继续沉积上电极，并在其表面形成牺牲层释放孔；S6，对所述牺牲层进行释放；S7，将所述牺牲层释放孔进行密封，从而形成密封腔体还提供一种小量程MEMS电容式压力传感器，由上述的制备方法制得。本发明由于工艺成熟，其所形成的硅微结构机械性能良好，尤其使用淀积Al/Ti侧面释放孔所形成的腔体结构密封性能优异。
量程 mems 电容压力传感器及其制备方法

[发明专利]一种高炉崩料预测方法-CN201910811704.X有效
发明人：储岳中 -专利权人：苏州艾铭森科技有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G06V20/52 文献下载
摘要：训练样本包括样本待识别图像、样本基准图像、样本图像轮廓清晰度、样本亮度信息和样本匹配度，将样本待识别图像和样本基准图像作为训练输入，样本图像轮廓、样本亮度信息和样本匹配度作为输出参考值，训练样本训练样本通过生成式对抗网络进行训练，对初始第一卷积层、初始第二卷积层以及初始生成式对抗网络进行训练，得到训练后的第一卷积层、第二卷积层以及生成式对抗网络。
一种高炉预测方法

[发明专利]小线宽沟槽式功率MOS晶体管及制造方法-CN200910201911.X无效
发明人：邵向荣;魏炜;殷建斐 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-12-08 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种小线宽沟槽式功率MOS晶体管，该功率MOS晶体管的单元区内无接触孔。此外，本发明还公开了该小线宽沟槽式功率MOS晶体管的制造方法，包括如下步骤：(1)在已做完栅极二氧化硅硬阻挡层刻蚀的硅基片上进行源注入、去光阻，热扩散推进；(2)依次进行栅极沟道刻蚀、栅极氧化膜生长，栅极多晶硅淀积、栅极多晶硅回刻，body区注入、推进；(3)栅极二氧化硅淀积、回刻，层间电介质淀积；(4)层间电介质曝光、刻蚀，离子注入形成欧姆接触；(5)金属淀积、刻蚀；(6)后续工艺包括常规的钝化、合金工艺。本发明解决了接触孔的套准精度问题，使得沟槽式功率MOS晶体管进一步缩小线宽成为可能。
小线宽沟槽功率 mos 晶体管制造方法

[发明专利]附载体铜箔-CN201810371406.9有效
发明人：古曳伦也;永浦友太;坂口和彦;千叶徹 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2013-09-11 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： C25D1/04 文献下载
摘要：该附载体铜箔具备铜箔载体、积层于铜箔载体上的剥离层、与积层于剥离层上的极薄铜层，极薄铜层经粗化处理，极薄铜层表面的Rz以非接触式粗糙度计进行测定为1.6μm以下。
载体铜箔

[发明专利]高集成度积层基材制造方法-CN02140388.0有效
发明人：何昆耀;宫振越 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2002-07-02 - 公布日： 2003-02-05 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种积层基材，由多个介电层以及多个线路层交互堆栈构成。其中，介电层中具有多个导通孔，而线路层通过介电层中的导通孔而彼此电性连接，本实施例的积层基材结构的特征在于介电层之间的线路层图案为与传统的孔环垫设计不同，而采取黏着力较佳的高信赖度的嵌入式结构设计无导通孔环垫本发明还公开了一种积层基材的制造方法，系先进行具有图案化线路的介电层以及具有导通孔的介电层的制作，当具有图案化线路的介电层以及具有导通孔的介电层制作完成之后，再将其同步进行对位并压合以完成积层基材的制作
集成度基材制造方法

[实用新型]积层式突波吸收器及其积层式突波吸收器阵列组件-CN200420122529.2无效
发明人：李坤龙 -专利权人：立昌先进科技股份有限公司
申请日： 2004-12-31 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： H01C7/12 文献下载
摘要：本实用新型是一种积层式突波吸收器，包括：一具有变阻特性的薄片状本体；设于本体的两瑞的一对端接点；一对内电极，自对端接点分别呈上下错开状平行延伸于本体内部；其特征在于：该对上、下层内电极之间沿本体厚度方向所形成的上下间隔重叠部分，埋设一层中间电极，在中间电极与上层及下层内电极之间分别形成上、下二独立的介电层，利用此共同的中间电极作为串接构件串联上、下内电极。
积层式突波吸收及其阵列组件

[发明专利]多层封装基板以及封装件-CN201210325656.1有效
发明人：金利峰;胡晋;李川;王玲秋;贾福桢 -专利权人：无锡江南计算技术研究所
申请日： 2012-09-05 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：根据本发明的多层封装基板包括：依次层叠的上积层、芯板层以及下积层；其中，所述上积层的芯片区域中布置了多个上积层过孔；所述下积层的芯片区域中布置了多个下积层过孔；其中，所述下积层的芯片区域中的所述多个下积层过孔包括附加过孔，以使得下积层的芯片区域中的下积层过孔的密度趋近于上积层的芯片区域中的上积层过孔的密度。由此，可平衡封装基板内上积层与下积层之间的芯片区域的过孔密度，防止封装基板翘曲并提高高密度多层封装基板的可制造性。
多层封装以及

[实用新型]积层式芯片型电感器-CN201020223324.9无效
发明人：刘世宽 -专利权人：佳邦科技股份有限公司
申请日： 2010-06-07 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01F17/04 文献下载
摘要：一种积层式芯片型电感器包含一磁性本体、一电感线圈、一非磁性的绝缘层及两外部电极。该电感线圈设于该磁性本体内部，并电性连接至该两外部电极。该电感线圈的图型的一部分外露于该磁性本体的至少一表面，且该非磁性的绝缘层覆盖于该表面。该两外部电极分别设于该磁性本体上。本实用新型可以解决传统电感器所遭遇的问题。
积层式芯片电感器

[发明专利]转印膜、树脂积层体及它们的制造方法-CN201080046500.9有效
发明人：冈藤宏;山泽英人;诸冈昌彦;泽野哲哉;川合治 -专利权人：三菱丽阳株式会社
申请日： 2010-10-06 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： B32B27/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种转印膜及其制造方法，该转印膜可用来制造积层体，该积层体使用表面张力高的膜，可以积层上防反射层等功能层，通过湿式法形成防污层，疏水性及疏油性优异，且透明性、耐刮擦性以及耐汗性优异。本发明涉及的转印膜，是在透明基材膜的表面，积层了防污固化膜的转印膜，防污固化膜其与透明基材膜非接触的面的水接触角(1)在100度以下，防污固化膜其与透明基材膜接触的面的水接触角(2)在90度以上，甘油三油酸酯接触角
转印膜树脂积层体它们制造方法

[发明专利]一种汽车线束自动分线设备-CN202010026156.2有效
发明人：刘宏波;吴金强;王兴宇;王彬彬;曹雪莹;张环宇;王海量 -专利权人：吉林省百浪汽车装备技术有限公司
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01R43/00 文献下载
摘要：一种汽车线束自动分线设备，包括若干线束托盘、滚压机构、上积放式输送线、若干分线机构、下积放式输送线、若干线束输出机构，若干线束托盘摆放物料与上积放式输送线传动连接，滚压机构把多股线束滚压为一层，上积放式输送线将线速托盘输送到下一个工序，分线机构将滚压为一层的线束放入到线束输出机构上，下积放式输送线与线束输出机构传动连接，将线束输出机构输送到下一工序。
一种汽车自动设备

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202110761135.X在审
发明人：佐野雄一;三浦正幸;长谷川一磨 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本实施方式的半导体装置具备第1积层体、第1柱状电极、第2积层体、及第2柱状电极。第1积层体由多个第1半导体芯片向垂直于积层方向的方向偏移且积层。第1柱状电极与第1半导体芯片的电极垫连接，沿第1半导体芯片的积层方向延伸。第2积层体由多个第2半导体芯片向垂直于积层方向的方向偏移并积层，且积层为较第1积层体更高，且，配置为从积层方向观察，与第1积层体的至少一部分重叠。第2柱状电极与第2半导体芯片的电极垫连接，沿第2半导体芯片的积层方向延伸。
半导体装置及其制造方法