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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN201710774941.4有效
发明人： 日下部武志 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置具备衬底、第1积层体、柱状部、第2绝缘膜及第2积层体。所述第1积层体设置在所述衬底上的第1区域内。所述第2绝缘膜设置在所述衬底上的第2区域内，且在所述第1积层体的积层方向上具有第1厚度。所述第2积层体设置在所述第2绝缘膜上。在所述第2积层体中，交替积层有第1膜及第3绝缘膜。所述第2积层体的多个第1膜中最上层的第1膜距所述衬底的上表面在所述积层方向上位于第1距离处。所述第1厚度为所述第1距离的30％以上的厚度。
半导体存储装置及其制造方法

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