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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210107691.X在审
发明人：李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：方法包括沉积介电层、在介电层上方沉积多个芯轴带，以及在多个芯轴带的侧壁上形成多个间隔件以形成多个掩模组。多个芯轴带中的每一个和多个间隔件中的两个形成多个掩模组中的掩模组。该方法还包括形成连接多个掩模组中的两个相邻掩模组的掩模带，使用多个掩模组和掩模带共同作为蚀刻掩模来蚀刻介电层并在介电层中形成沟槽，以及将导电材料填充到沟槽中以形成多个导电部件。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]清洁模块、清洁装置以及光掩模的清洁方法-CN201410392595.X有效
发明人：潘怡勋;谢昆龙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： G03F1/82 文献下载
摘要：本发明提供了清洁模块、清洁装置以及光掩模的清洁方法。在清洁光掩模的方法中，从擦拭带供带盘开始引导擦拭带、经过清洁头、然后到达擦拭带收带盘上。经过清洁头的一段擦拭带接触光掩模的表面上的粘合剂残留物。在光掩模和该段擦拭带之间进行相对运动以从光掩模的表面去除粘合剂残留物。
清洁模块装置以及光掩模方法

[实用新型]一种掩模带裁切机用裁切机构-CN202222889171.7有效
发明人：吴家麟;伍秀月;杨春丽 -专利权人：江门市优彼思半导体材料有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： B26D7/26 文献下载
摘要：本申请涉及料带切割生产装置技术领域，尤其是涉及一种掩模带裁切机用裁切机构，其包括安装架，安装架上设置有固定板、裁切刀具和用于安置并撑起掩模带的安置组件，裁切刀具与固定板抵接配合以切割掩模带；安装架上还设置有水平调节组件和竖直调节组件，水平调节组件用于调节裁切刀具切割掩模带的宽度，竖直调节组件用于调节裁切刀具切割掩模带的深度。本申请具有准确地控制掩模带边缘残余胶边的切割宽度及深度，可符合不同厂家的使用需求的效果。
一种掩模带裁切机

[发明专利]掩模一体型表面保护带和使用其的半导体芯片的制造方法-CN201880002974.X在审
发明人：阿久津晃;内山具朗 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2018-02-22 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：[课题]提供一种掩模一体型表面保护带和半导体芯片的制造方法，该掩模一体型表面保护带在使用等离子体切割方式的半导体芯片的制造中，不需要利用光刻工艺形成掩模，在半导体芯片制造的各工序中显示出优异的性能，操作性[解决手段]一种掩模一体型表面保护带和半导体芯片的制造方法，该掩模一体型表面保护带至少具有基材膜和掩模材料层，该掩模一体型表面保护带的特征在于，上述掩模材料层与基材膜相接触地设置、或使粘合剂层介于掩模材料层与基材膜之间而设置，上述掩模材料层在355nm的波长区域中的平行光线透射率为30％以下。
掩模表面保护一体型半导体芯片掩模材料层基材膜制造半导体芯片制造平行光线透射率等离子体切割波长区域光刻工艺粘合剂层作业性

[发明专利]具有作为基底的半导体带的FinFET-CN201710013161.8在审
发明人：江国诚;朱熙甯;蔡庆威;王志豪;梁英强;卡洛斯·H·迪亚兹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-01-09 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种方法包含在半导体衬底上方形成第一硬掩模，蚀刻半导体衬底以形成凹槽，半导体带位于凹槽的两相邻的凹槽之间，在半导体带的侧壁上形成第二硬掩模，在第二硬掩模上执行第一各向异性蚀刻以去除第二硬掩模的水平部分，并使用第一硬掩模和第二硬掩模的垂直部分作为蚀刻掩模在半导体衬底上执行第二各向异性蚀刻以向下延伸凹槽。方法还包含去除第二硬掩模的垂直部分并在凹槽中形成隔离区。隔离区被凹进，且位于隔离区之间的半导体带的一部分突出为高于隔离区从而形成半导体鳍。本发明实施例涉及具有作为基底的半导体带的FinFET。
具有作为基底半导体 finfet

[实用新型]一种掩模带裁切机用固定装置-CN202223096222.7有效
发明人：吴家麟;伍秀月;黄兰香 -专利权人：江门市优彼思半导体材料有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： B23D79/00 文献下载
摘要：本申请涉及掩模带裁切技术的领域，尤其涉及一种掩模带裁切机用固定装置，用于固定掩模带，并且掩模带裁切机用固定装置安装于裁切机，掩模带裁切机用固定装置包括固定件、第一固定辊、第二固定辊和第三固定辊，固定件套设于第二固定辊第一固定辊与第二固定辊间隔设置，第一固定辊和第二固定辊均位于第三固定辊的上方，然后第三固定辊连接有气缸，用于控制第三固定辊上下移动，第一固定辊、第二固定辊和第三固定辊靠近裁切机的一侧均设有第一凸环，当掩模带放置于第一凸环和固定件之间时，第一凸环与固定件配合夹紧掩模带，能够有效减少掩模带在转动过程中偏移的可能性。
一种掩模带裁切机固定装置

[发明专利]掩模一体型表面保护带-CN201680020678.3有效
发明人：横井启时;内山具朗;冈祥文 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2016-11-07 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：一种掩模一体型表面保护带，其为在利用等离子体切割的半导体芯片的制造中使用的掩模一体型表面保护带，该掩模一体型表面保护带具有基材膜、设置于该基材膜上的粘合剂层、和设置于该粘合剂层上的掩模材料层，该掩模材料层和该粘合剂层均含有
掩模一体型表面保护

[发明专利]一种掩模带及其制备方法-CN202211150708.6在审
发明人：吴家麟;伍秀月 -专利权人：江门市优彼思半导体材料有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C09J7/20 文献下载
摘要：本申请涉及掩模带领域，具体公开了一种掩模带。掩模带的原料包括包括片基带基体以及硅胶层，所述硅胶层通过粘接剂粘接在所述片基带基体上，所述掩模带由如下重量份的原料制成：粘接剂10‑20份；硅胶层50‑70份；所述粘接剂为含有硅元素的粘接剂；其制备方法为：S1：将片基带剪裁出合适的尺寸，将片基带首尾相接起来，在片基带的外侧一面涂上粘接剂；S2：将涂上粘接剂的片基带装在模板上，向模板中灌入硅胶，待硅胶层凝固即制得掩模带。其具有提高掩模带的使用寿命的优点。
一种掩模带及其制备方法

[发明专利]一种掩模板清洗工艺-CN202211632084.1有效
发明人：熊志红;朱峰;郑思温 -专利权人：深圳仕上电子科技有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G03F1/82 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩模板清洗工艺，所述清洗工艺所采用的清洗装置包括清洗箱，所述清洗箱上对称安装有输送带，所述输送带之间设置有携带机构，所述携带机构连接有掩模板且沿着输送带将掩模板送入清洗箱内，所述携带机构与掩模板之间设置有张紧组件，所述装夹组件与携带板之间设置有翻转组件，所述清洗箱内还设置有去膜机构、转位机构以及干冰清洗机构；本发明通过干冰清洗机构对掩模板上的粘接胶进行迅速降温处理，经过降温后的粘接胶粘性降低并固化，且与掩模板之间分层，经过高速吹风机的吹动下，实现对掩模板表面粘胶的可靠清洗处理，清洗过程中没有外物与掩模板的表面接触，不会造成掩模板表面的磨损，延长掩模板的寿命周期。
一种模板清洗工艺

[发明专利]掩模版残胶清理设备及掩模版残胶清理方法-CN202210397099.8在审
发明人：林锦鸿;谢发政;吴仕伟 -专利权人：泉意光罩光电科技（济南）有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G03F1/82 文献下载
摘要：本申请提供一种掩模版残胶清理设备及掩模版残胶清理方法，涉及掩模版保护技术领域。本申请将残胶清除组件经升降机构安装在承载基座上，使残胶清除组件可在升降机构的带动作用下相对于承载基座进行升降运动，接着将清理平台安装在承载基座上，使清理平台可带动自身盛放的带残胶掩模版相对于承载基座在水平面上移动或转动，进而通过使清理平台在残胶清除组件与带残胶掩模版的带残胶表面接触的情况下带动带残胶掩模版移动或转动来完成残胶擦除操作，从而通过对应掩模版残胶清理设备避免人工擦拭除胶所导致的人体损伤，并对单次掩模版除胶效果进行工艺标准化，降低掩模版在残胶去除过程中被污染的风险。
模版清理设备方法

[发明专利]图案曝光方法和图案曝光设备-CN200680041182.0有效
发明人：味野敏;藤井武;高田伦久 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2006-09-05 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：将安置有光敏层的带－样工件(11)以工件输送速度V在工件输送方向F上输送。照射部(30)与工件输送速度V相同步的曝光周期T照射光掩模(29)。在距离带－样工件(11)的贴近间隙处布置光掩模(29)。在带－样工件(11)上曝光在光掩模(29)上的掩模图案(33)，以在上面形成周期图案。
图案曝光方法设备

[发明专利]透明3D显示系统-CN201210195824.X无效
发明人： S.杨;P.G.迪尔 -专利权人：通用汽车环球科技运作有限责任公司
申请日： 2012-06-14 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：一种透明3D显示系统，包括：显示板和屏障掩模，屏障掩模从显示板隔开光学厚度。屏障掩模从具有右眼和左眼的观察者隔开。显示板配置成显示图像，所述图像包括第一组和第二组图像带，且所述屏障掩模配置成产生多个交替的观察带和阻挡带。观察带定位、定向和配置成允许右眼观察第一组图像带且允许左眼观察第二组图像带，且所述阻挡带定位、定向和配置成防止右眼观察第二组图像带且防止左眼观察第一组图像带。
透明显示系统

[发明专利]蒸镀掩模及其前体、以及有机半导体元件的制造方法-CN201910716655.1在审
发明人：武田利彦;川崎博司;小幡胜也 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供可以在满足高精细化和轻量化二者的同时，还能够正确地对形成于树脂掩模开口部的形状图案是否正常进行确认的蒸镀掩模、用于得到该蒸镀掩模的蒸镀掩模前体、以及具备该蒸镀掩模的带框架的蒸镀掩模，还提供使用了该带框架的蒸镀掩模的有机半导体元件的制造方法蒸镀掩模(100)是将形成有缝隙(15)的金属掩模(10)和在与该缝隙重合的位置形成有与蒸镀制作的图案对应的开口部(25)的树脂掩模(20)叠层而成的，并且使用波长550nm的光线透射率为40％以下的树脂掩模
蒸镀掩模树脂掩模有机半导体元件开口部前体高精细化光线透射金属掩模形状图案轻量化波长重合叠层蒸镀制造图案制作

[发明专利]蒸镀掩模及其前体、以及有机半导体元件的制造方法-CN201910716986.5有效
发明人：武田利彦;川崎博司;小幡胜也 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供可以在满足高精细化和轻量化二者的同时，还能够正确地对形成于树脂掩模开口部的形状图案是否正常进行确认的蒸镀掩模、用于得到该蒸镀掩模的蒸镀掩模前体、以及具备该蒸镀掩模的带框架的蒸镀掩模，还提供使用了该带框架的蒸镀掩模的有机半导体元件的制造方法蒸镀掩模(100)是将形成有缝隙(15)的金属掩模(10)和在与该缝隙重合的位置形成有与蒸镀制作的图案对应的开口部(25)的树脂掩模(20)叠层而成的，并且使用波长550nm的光线透射率为40％以下的树脂掩模
蒸镀掩模及其以及有机半导体元件制造方法

[发明专利]蒸镀掩模及其前体、以及有机半导体元件的制造方法-CN201910716987.X有效
发明人：武田利彦;川崎博司;小幡胜也 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供可以在满足高精细化和轻量化二者的同时，还能够正确地对形成于树脂掩模开口部的形状图案是否正常进行确认的蒸镀掩模、用于得到该蒸镀掩模的蒸镀掩模前体、以及具备该蒸镀掩模的带框架的蒸镀掩模，还提供使用了该带框架的蒸镀掩模的有机半导体元件的制造方法蒸镀掩模(100)是将形成有缝隙(15)的金属掩模(10)和在与该缝隙重合的位置形成有与蒸镀制作的图案对应的开口部(25)的树脂掩模(20)叠层而成的，并且使用波长550nm的光线透射率为40％以下的树脂掩模
蒸镀掩模及其以及有机半导体元件制造方法

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