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- [发明专利]一种膜层贴合方法及三维显示器件-CN201510746120.0在审
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李蕾
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擎中科技（上海）有限公司
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2015-11-05
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2017-05-17
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G02F1/13
- 本发明公开了一种液晶膜层贴合方法及三维显示器件，该方法包括获取带有第一对位标的第一膜层和带有第二对位标的第二膜层，通过第一对位标和第二对位标，将第一膜层与第二膜层进行对齐，将对齐后的第一膜层和第二膜层通过光学胶进行预压，将预压后的第一膜层和第二膜层放入真空腔内，抽取第一膜层与第二膜层之间的空气，对抽取空气后的第一膜层和第二膜层进行本压。由于第一膜层和第二膜层对齐的过程位于空气中，降低了贴合成本，且通过光学胶将对齐后的第一膜层和第二膜层预压后，可以保证第一膜层和第二膜层在移动的过程中不会发生错位现象，有效保证对位精度。
- 一种贴合方法三维显示器件
- [实用新型]一种具有快速退膜功能的干膜-CN202121312483.0有效
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刘罡
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深圳惠美亚科技有限公司
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2021-06-11
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2021-11-30
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H05K3/00
- 本实用新型公开了一种具有快速退膜功能的干膜，涉及干膜生产技术领域，包括：干膜层，用于粘附在PCB板上，对PCB板进行防护；PE保护膜，贴合于干膜层的顶端，用于对干膜层的表面进行防护；PTE保护层，贴合于干膜层的底端本实用新型通过设置遮光层，连接于PE保护膜的顶端，在干膜放置的过程中，对干膜层遮光保护，防止干膜层内的光聚合单体受到外部紫外光照射，发生聚合反应，从而对干膜的后续使用造成影响，在使用干膜层时，对PE保护膜与PTE保护层进行去除，去除PE保护膜的同时遮光层随着PE保护膜一同去除，防止对干膜层的使用造成影响，便于在干膜放置的过程中，避免干膜层受到外部紫外光照射，发生聚合反应。
- 一种具有快速功能
- [发明专利]半导体结构的形成方法-CN201410736243.1有效
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张海洋;张城龙
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中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
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2014-12-04
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2019-05-28
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H01L21/033
- 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成初始掩膜层；对所述初始掩膜层进行掺杂处理，将初始掩膜层转化为掺杂掩膜层；在所述掺杂掩膜层表面形成具有第一开口的第一图形层；以所述第一图形层为掩膜，采用干法刻蚀工艺沿第一开口刻蚀所述掺杂掩膜层，形成贯穿掺杂掩膜层的第二开口，且所述干法刻蚀工艺对掺杂掩膜层的刻蚀速率大于对初始掩膜层的刻蚀速率；去除所述第一图形层。本发明干法刻蚀工艺对掺杂掩膜层的刻蚀速率大于对初始掩膜层的刻蚀速率，因此无需形成有机分布层，避免有机分布层材料残留问题，提高初始掩膜层以及第二开口的洁净度，提高形成的半导体结构良率。
- 半导体结构形成方法
- [发明专利]一种多功能灯罩及其制造方法-CN201511028921.X在审
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吴晓彤;方俊勇
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奥特路（漳州）光学科技有限公司
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2015-12-31
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2016-03-30
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F21V3/04
- 本发明公开了一种多功能灯罩及其制造方法，该灯罩包括基片，基片的外表面从里到外依序设有第一膜层、第二膜层、第三膜层、第四膜层、第五膜层、第六膜层、第七膜层、第八膜层、第九模层、第十膜层和第十一膜层；第一膜层、第三膜层和第五膜层均为五氧化三钛层，第二膜层、第四膜层和第六膜层均为二氧化硅层，第七膜层为金属层，第八膜层为纳米银层，第九膜层为ITO层，第十膜层为高硬度层，第十一膜层为氟化物层。其制造方法包括以下步骤：1）对基片进行清洗；2）对基片的外表面进行镀膜。本发明的灯罩能有效地过滤有害蓝光，对炫光的过滤能有效缓解视觉疲劳，拥有杀菌、防辐射以及防水油污等功能。
- 一种多功能灯罩及其制造方法
- [发明专利]一种全抗硫化电位器碳片-CN200810067720.4无效
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洪金镳
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广东升威电子制品有限公司
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2008-06-13
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2009-08-12
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H01C10/30
- 碳膜层与银膜层相互并行布列于基板上；平面展布上，碳膜层、银膜层均包括主体、引出端及端子铆接部；银膜层的主体、银膜层的引出端及银膜层的端子铆接部皆为银膜，再对银膜层的主体的银膜、银膜层的引出端的银膜进行抗硫化处理；碳膜层的主体为碳膜；对银膜层的端子铆接部的银膜不进行抗硫化处理；碳膜层的引出端及碳膜层的端子铆接部为银膜，对碳膜层的引出端的银膜进行抗硫化处理即布覆抗硫化层，对碳膜层的端子铆接部的银膜不进行抗硫化处理即其效果明显：全抗硫化处理，增强了银膜的抗氧化能力，电接触性能好；端子铆接部与端子的残留阻抗极低，特别适合高尖端产品的使用。
- 一种硫化电位器
- [发明专利]BPSG膜层处理方法及半导体中间产品-CN201911217168.7有效
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归剑
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上海先进半导体制造有限公司
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2019-12-03
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2023-07-04
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H01L21/316
- 本发明公开了一种BPSG膜层处理方法及半导体中间产品，该方法用于对BPSG工艺中断后的所得产品中的BPSG膜层进行处理，所得产品包括位于BPSG膜层之下的LTO‑PETEOS膜层以及位于其下的晶圆，该方法包括：对所得产品进行干法刻蚀，将其中的BPSG膜层全部刻蚀掉；使用湿法工艺清洗干法刻蚀的残留物，并对干法刻蚀后的LTO‑PETEOS膜层的表面进行平滑处理；在LTO‑PETEOS膜层的表面生长目标厚度的BPSG膜层。本发明通过对BPSG工艺中断后BP％浓度已经变化的BPSG膜层进行干法刻蚀去除，保证有问题的膜层彻底去除干净，而后再补长全部膜层，保证返工的BPSG膜层BP％无偏离和膜质完好无损。
- bpsg处理方法半导体中间产品
- [实用新型]一种循环回收使用的环保塑料膜-CN202321049124.X有效
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欧容辉;陈健辉;陈俭芳
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珠海雅源塑料有限公司
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2023-05-05
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2023-09-26
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B32B27/30
- 本实用新型公开了一种循环回收使用的环保塑料膜，所述塑料膜主体包括上表层和基层，所述基层上表面通过PVC粘合膜层与上表层的底面粘合；所述PVC粘合膜层的底面通过热熔胶层与基层热熔贴合，所述PVC粘合膜层的上表面均布有热熔凸起，通过热熔凸起颗粒嵌入上表层底面与上表层底面热熔贴合，基层配合对产品贴合保护损坏无法回收利用时，PVC粘合膜层上的热熔胶层与基层之间产生松动，上表层配合PVC粘合膜层从基层上揭下，对上表层配合PVC粘合膜层上的热熔胶层再次对其他产品覆膜防护使用；基层对产品覆膜拆卸没有损坏时，热风使PVC粘合膜层受热后产生收缩，对PVC粘合膜层配合基层对产品覆膜产生的形变复原，从而达到再次对塑料膜主体利用的目的。
- 一种循环回收使用环保塑料膜
- [发明专利]一种具有低翘曲度的晶圆-CN202211600657.2在审
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姜浩延;韩雪飞;林立男;张琳琳;曹文静;孙润吉;唐嫒尧;陶硕
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北京晨晶电子有限公司
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2022-12-12
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2023-05-02
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B81B7/02
- 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种具有低翘曲度的晶圆，晶圆包括基底和设置于基底上的膜层结构，膜层结构能减小晶圆的翘曲度。膜层结构包括至少一层功能膜层和至少一层平衡膜层，平衡膜层对基底产生的应力与功能膜层对基底产生的应力方向相反，以减小所述晶圆所受的合应力，功能膜层是实现晶圆所需的功能膜层结构，通常功能膜层由于材料热膨胀系数与基底材料有差异会对晶圆产生应力，平衡膜层是通过平衡膜层材料与基底材料的热膨胀系数差别对晶圆产生与功能膜层相反方向的应力，通过平衡膜层与功能膜层对晶圆之间产生的应力的相互作用，使得膜层间应力相互抵消，使得整体晶圆所受合应力减小，从而降低整体晶圆的翘曲度
- 一种具有曲度
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