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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]制造非易失性存储器器件的方法-CN200880001389.4有效
发明人：拉杰什·拉奥;拉马钱德兰·穆拉利德哈 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2008-01-10 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：一种方法使用半导体衬底(12)形成非易失性存储器器件(10)。形成覆盖半导体衬底的电荷储存层(14)并且形成覆盖电荷储存层(14)的栅极材料层以形成控制栅电极(16)。掺杂剂被注入到半导体衬底(12)中并且在控制栅电极(16)的至少一侧与控制栅电极自对准，以在控制栅电极(16)的相对侧、在半导体衬底中形成源极(34)和漏极(36)。保护层防止掺杂剂渗透到控制栅电极中。移除覆盖栅极材料层的保护层。制作到控制栅电极(16)、源极(34)和漏极(36)的电接触(42、44、和48)。在一种形式中，在存储器器件中还提供选择栅极(28)。
制造非易失性存储器器件方法

[发明专利]集成电路卡-CN03812485.8有效
发明人：岩田浩;柴田晃秀;足立浩一郎 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2003-05-29 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：IC卡包括由多个存储元件构成的数据存储部503。该存储元件包括：半导体衬底、设置于半导体衬底内的阱区或配置于绝缘体上的半导体膜；在半导体衬底上、设置于半导体衬底内的阱区上或配置于绝缘体上的半导体膜上所形成的栅绝缘膜；在栅绝缘膜上所形成的单一的栅电极；在单一的栅电极侧壁的两侧所形成的2个存储功能体；配置于单一的栅电极下的沟道区；以及配置于上述沟道区的两侧的扩散层区。由此，通过安装使用了可进一步微细化的存储元件的存储器，提供低成本的IC卡。
集成路卡

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN96108646.7无效
发明人：朴根亨 -专利权人： LG半导体株式会社
申请日： 1996-06-26 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种含存储单元和开关元件的半导体存储器件，及制造该器件的方法：在第一导电类型的半导体衬底上形成岛状场绝缘膜；在所述第一导电类型的所述半导体衬底上，沿所述场绝缘膜之间的列方向形成第二导电类型的杂质区；在衬底和场绝缘膜的整个表面上形成第一栅绝缘膜；在所述第二导电类型的多个杂质区之间的所述第一栅绝缘膜和场绝缘膜上形成浮动栅电极，以便重复制作所述第一导电类型与第二导电类型杂质区；在所述第一栅绝缘膜和所述浮动栅电极的整个表面上形成第二栅绝缘膜；在所述场绝缘膜间的所述第二栅绝缘膜上，沿与所述浮动栅电极垂直的方向，形成控制电极；以及在多个控制电极之间形成传输晶体管的栅电极。
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]集成电路及其形成方法-CN201911410619.9有效
发明人：庄学理;刘铭棋;刘世昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：集成电路器件包括具有逻辑区域和存储器区域的半导体衬底，该逻辑区域和存储器区域由具有介电材料的隔离结构的隔离区域分隔开。存储器器件形成在存储器区域上并且包括位于栅极电介质上方的栅电极。伪栅极结构具有对应于栅电极的伪栅电极层和对应于栅极电介质的伪栅极介电层。锥形侧壁结构形成在伪栅极结构的面向逻辑区域的一侧上。锥形侧壁结构在隔离结构之上间隔开，并且与伪栅电极层相邻或邻接。
集成电路及其形成方法

[发明专利]存储器及其制造方法-CN202111115804.2在审
发明人：苏界;郑晓芬;张丝柳 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种存储器及其制造方法，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成堆叠结构；所述堆叠结构包括交替堆叠的绝缘层和栅电极层；其中，所述存储器具有贯穿所述堆叠结构的栅缝隙；所述栅电极层通过所述栅缝隙侧壁和底部的导电材料连通；在所述栅缝隙的侧壁和底部覆盖绝缘材料；去除部分所述绝缘材料和位于所述栅缝隙底部以及至少部分侧壁的所述导电材料；去除剩余所述绝缘材料；去除所述栅缝隙侧壁和底部的所述导电材料，形成相互分离的所述栅电极层。
存储器及其制造方法

[发明专利]一种层数依赖型铁电隧穿结多值存储单元及其制备方法-CN202210827239.0在审
发明人：刘富才;卞仁吉;蒙鹏 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/11585 文献下载
摘要：本发明公开了一种层数依赖型铁电隧穿结多值存储单元及其制备方法，包括由下至上堆叠设置的支撑衬底、背栅电极、背栅介质层、源极电极、范德华铁电隧穿层、漏极电极、顶栅介质层和顶栅电极，范德华铁电隧穿层由范德华铁电材料制备得到，源极电极、漏极电极分别与范德华铁电隧穿层上下两端连接并形成洁净的原子级范德华界面接触。本发明提供的层数依赖型铁电隧穿结多值存储单元，以范德华滑移铁电材料为隧穿层的铁电隧穿结，实现由层数滑移调控界面势垒实现单个存储单元的多值擦写。
一种层数依赖型铁电隧穿结多值存储单元及其制备方法

[发明专利]薄膜晶体管和显示装置-CN202080072127.8在审
发明人：金贤珍;吴锦美;高承孝;高宣煜 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开的实施方式涉及薄膜晶体管和显示装置，通过将电容器电极设置在包括双栅电极的薄膜晶体管的栅电极上，从而减小存储电容器在子像素中占据的面积，并且可以提高空间利用率。另外，在双栅电极中，形成存储电容器的栅电极不与沟道的一部分交叠，并且电容器电极的一部分与沟道的一部分交叠，由此使得电场能够由电容器电极控制，因此可以提供具有高输出电流和电流稳定性的薄膜晶体管。
薄膜晶体管显示装置

[发明专利]半导体装置-CN202310267630.4在审
发明人：郑文泳;李基硕;崔贤根;卢亨俊;李相昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体装置可包括：衬底，其包括第一连接区和第二连接区之间的存储器单元区；栅电极，其在第一方向上延伸并且包括在第一连接区上具有台阶结构的第一焊盘区；背栅电极，其位于栅电极之间并且在与第一方向相反的方向上延伸；竖直导电图案，其在衬底的存储器单元区上在竖直方向上延伸并且在第一方向上彼此间隔开；以及有源层，其在衬底的存储器单元区上位于栅电极和背栅电极之间。背栅电极可包括在第二连接区上具有台阶结构的第二焊盘区。
半导体装置

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法-CN201010254813.5有效
发明人：张真稀;赵兴烈 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2010-08-13 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：该薄膜晶体管阵列基板包括：基板；栅线和数据线，设置为彼此交叉以在基板上限定像素区；开关元件，设置在栅线和数据线的交叉处；第二像素电极和第一公共电极，在基板上设置的保护膜上形成的像素区中交替地排列；第二公共电极，形成为与插入在栅绝缘膜和保护膜之间的数据线重叠；第一存储电极，形成在基板上；第二存储电极，形成为与第一存储电极重叠，并与开关元件的漏电极一体地形成；以及有机绝缘膜，形成在开关元件、第二存储电极、数据线、栅焊盘和数据焊盘的上方。所述第二公共电极形成为覆盖数据线、保护膜和有机绝缘膜，并具有到达像素区中的保护膜的倾斜面。
薄膜晶体管阵列及其制造方法

[发明专利]闪存单元及其编程方法-CN201610297884.0在审
发明人：杨光军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：所述闪存单元包括：P型衬底，其内形成有P阱以及深N阱，所述深N阱适于将所述P阱及所述P型衬底隔离；位于所述P阱上方的中间电极、第一存储位及第二存储位；其中，所述第一存储位和第二存储位对称分布于所述中间电极的两侧；所述第一存储位包括：第一位线电极、第一控制栅极以及第一浮栅；所述第二存储位包括：第二位线电极、第二控制栅极以及第二浮栅，所述第一位线电极和第二位线电极位于所述P阱内部，所述第一控制栅极、第一浮栅、第二控制栅极以及第二浮栅位于所述
闪存单元及其编程方法

[发明专利]一种电荷俘获非挥发存储器及其制造方法-CN201110137484.0有效
发明人：刘明;王晨杰;霍宗亮;张满红;王琴;刘璟;谢常青 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-05-25 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种电荷俘获非挥发存储器及其制造方法。所述存储器包括：半导体衬底，所述衬底中形成源、漏区域；形成于所述衬底之上的多叠层栅介质层结构，其中，所述栅介质层自衬底开始依次包括：隧穿层、分裂栅结构中形成材料不同的两个电荷存储区以及隔离在所述两个电荷存储区之间及上层的阻挡层；形成于所述阻挡层之上的控制栅电极；覆盖所述控制栅电极的钝化保护层，通过所述钝化保护层，从所述控制栅电极及源、漏区域引出金属互联。
一种电荷俘获挥发存储器及其制造方法

[发明专利]显示装置-CN201910552464.6在审
发明人：全相镇;李哲坤;任祥旭 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本公开涉及显示装置，显示装置包括：基板；有源图案，有源图案设置在基板上；第一绝缘层；第一导电层，第一导电层设置在第一绝缘层上并且具有驱动栅电极；第二绝缘层；第二导电层，第二导电层设置在第二绝缘层上并且具有第一存储电极；第三绝缘层；第三导电层，第三导电层设置在第三绝缘层上并且具有第二存储电极；以及发光元件，发光元件设置在第三导电层上，其中，第二存储电极经由第三绝缘层与第一存储电极重叠以形成第一电容器，第一存储电极经由第二绝缘层与驱动栅电极重叠以形成第二电容器，并且驱动栅电极、第一存储电极以及第二存储电极至少部分地彼此重叠。
绝缘层存储电极驱动栅电极导电层第二导电层第一导电层发光元件显示装置源图案基板存储电极重叠电容器第一电容器

[发明专利]非易失性存储器件-CN200610082710.9有效
发明人：李昌炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-05-18 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：公开了一种具有在衬底上限定的单元区和外围电路区的非易失性存储器件。在单元区中设置单元栅电极，同时在外围电路区中设置外围栅电极。每个单元栅电极包括层叠的导电和半导体层，但是外围栅电极包括层叠的半导体层。单元栅电极的导电层在材料上不同于外围栅电极的最低半导体层，其能够改进存储单元和外围晶体管的性能而不导致彼此间的相互干扰。
非易失性存储器

[发明专利]存储器装置和制造存储器装置的方法-CN201910744071.5有效
发明人：郑元皙;李俊熙;金建秀;李淳永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10B43/10 文献下载
摘要：提供了存储器装置和制造存储器装置的方法，所述存储器装置包括：多个栅电极层，堆叠在基底的上表面上；多个通道，在垂直于基底的上表面的方向上延伸穿过所述多个栅电极层；多个电路元件，设置在所述多个栅电极层的外围区域中；以及层间绝缘层，包括仅设置在外围区域中并覆盖所述多个电路元件的第一层间绝缘层以及覆盖第一层间绝缘层和所述多个栅电极层的至少一部分的第二层间绝缘层。
存储器装置制造方法

[发明专利]一种可低电压擦写的铁电有机晶体管非易失性存储器-CN201611103212.8有效
发明人：王伟 -专利权人：吉林大学
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种可低电压擦写的铁电有机晶体管非易失性存储器，分为底栅和顶栅两类结构；其中，底栅结构从下到上依次由衬底、栅电极、夹心结构的栅介质层、有机半导体层及源漏电极组成；顶栅结构从下到上依次由衬底、源漏电极、有机半导体层、夹心结构的栅介质层及栅电极组成；所述的夹心结构的栅介质层为两层超薄的绝缘薄膜中间夹着超薄的铁电薄膜组成。两层超薄的绝缘薄膜极大的抑制了因使用铁电薄膜而产生的栅泄露电流，能保证存储器的工作稳定性和可靠性。此外，插入在超薄铁电薄膜和有机半导体层之间的超薄绝缘薄膜能提升电荷在沟道内传输的迁移率，利于提升存储器的工作频率。
一种电压擦写有机晶体管非易失性存储器

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