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[发明专利]侧壁阻挡结构及制造方法-CN200310117008.8无效
发明人： S·格恩哈特;J·利安;A·希利格尔;R·布鲁赫豪斯;U·韦尔豪森;N·内格尔 -专利权人：英飞凌技术股份有限公司
申请日： 2003-11-27 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明包括具有穿过CP接触的多晶硅塞的晶片。由相对重掺杂多晶硅层和相对轻掺杂多晶硅层形成多晶硅塞。相对轻掺杂多晶硅层穿过相对重掺杂多晶硅层以超出相对重掺杂多晶硅层向晶片表面延伸。为了减小在多晶硅塞的表面氧化，阻挡层覆盖相对轻掺杂多晶硅层的顶部和侧壁。通过在CP接触中沉积相对重掺杂多晶硅层、沉积相对轻掺杂多晶硅层穿过相对重掺杂多晶硅层和沉积阻挡层覆盖相对轻掺杂多晶硅层的顶部和侧壁来制造晶片以减小在多晶硅塞表面的氧化。
侧壁阻挡结构制造方法

[发明专利]多晶硅电阻器结构及其制造方法、多晶硅电阻器-CN201210507657.8有效
发明人：江红 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种多晶硅电阻器结构及其制造方法、多晶硅电阻器。多晶硅电阻器结构制造方法包括：在硅片中形成隔离区；在隔离区上形成第一多晶硅层的侧壁及第一多晶硅层；在第一多晶硅层上形成隔离物及第二多晶硅层，其中所述隔离物与第二多晶硅层不完全覆盖第一多晶硅层的两端；在第二多晶硅层上形成隔离物及第三多晶硅层，其中所述隔离物与第三多晶硅层不完全覆盖第一多晶硅层的两端，且不完全覆盖的第二多晶硅层的两端；以第三多晶硅层为掩膜进行离子注入；利用金属布线连接处于第一多晶硅层两端暴露端和第二多晶硅层两端暴露端；第一多晶硅层所形成的电阻与第二多晶硅层所形成的电阻通过串联电连接以得到更大的电阻值
多晶电阻器结构及其制造方法

[发明专利]多晶硅电阻器结构及其制造方法-CN201210142950.9有效
发明人：李冰寒;江红 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅电阻器结构及其制造方法。根据本发明的能够调节存储多晶硅电阻的阻值和温度系数的多晶硅电阻器结构制造方法包括在衬底中形成绝缘区，其中绝缘区露出或者超出衬底的表面；在硅片表面形成第一多晶硅层，第一多晶硅层覆盖了绝缘区，其中，第一多晶硅层是原位掺杂的n型的多晶硅层；对第一多晶硅层进行P型掺杂离子注入，由此中和原先第一多晶硅层中的N型掺杂的离子；对经过注入步骤注入之后的第一多晶硅层进行刻蚀，从而留下绝缘区上的第一多晶硅层；第一多晶硅层和后续将要形成的第二多晶硅层；在硅片表面形成第二多晶硅层；以及刻蚀第二多晶硅层。
多晶电阻器结构及其制造方法

[发明专利]栅极沟槽以及半导体器件的制造方法-CN201010261546.4无效
发明人：韩秋华;黄敬勇;鲍俊波;张翼英 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极沟槽和半导体器件的制造方法，所述栅极沟槽的制造方法包括：在半导体衬底上依次形成掺杂多晶硅层和非掺杂多晶硅层；刻蚀非掺杂多晶硅层和掺杂多晶硅层，形成图案化非掺杂多晶硅层和图案化掺杂多晶硅层，所述图案化掺杂多晶硅层的截面宽度小于图案化非掺杂多晶硅层的截面宽度；在图案化非掺杂多晶硅层和图案化掺杂多晶硅层的侧壁形成侧壁层；去除图案化非掺杂多晶硅层和图案化掺杂多晶硅层，形成栅极沟槽。本发明使形成的图案化掺杂多晶硅层的截面宽度小于所述非掺杂多晶硅层的截面宽度，可确保获得轮廓较佳的金属栅极。
栅极沟槽以及半导体器件制造方法

[发明专利]一种PIP多晶硅刻蚀工艺方法-CN201110360070.4无效
发明人：黄志刚 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-14 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了一种PIP多晶硅刻蚀工艺方法，包括如下步骤：1)在硅基底上生长栅氧，在栅氧上沉积一层多晶硅，多晶硅光刻和刻蚀，形成多晶硅栅极作为PIP多晶硅的底部多晶硅；在全硅片上沉积一层侧墙氧化膜作为PIP多晶硅的中间绝缘层，然后再沉积一层多晶硅作为PIP多晶硅的顶部多晶硅，在PIP多晶硅的顶部多晶硅上沉积保护膜，然后进行PIP多晶硅光刻，保护膜和PIP多晶硅的顶部多晶硅刻蚀，光刻胶去除；2)氧化膜侧墙刻蚀和侧墙形成本发明在现有的PIP多晶硅结构的顶部淀积一层保护膜，来改善PIP多晶硅在侧墙刻蚀时候的损失，从而达到稳定晶片面内PIP多晶硅的阻值。
一种 pip 多晶刻蚀工艺方法

[发明专利]多晶硅-绝缘体-多晶硅电容结构-CN200810204970.8无效
发明人：顾靖 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2008-12-30 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：本发明提出一种多晶硅—绝缘体—多晶硅电容结构，其包括：多晶硅基底以及其上依次设置的第一多晶硅层，绝缘层以及第二多晶硅层，其中所述第一多晶硅层作为电容的一端，所述第二多晶硅层和所述多晶硅基底作为电容的另一端进一步的，该电容结构设置于有源区构成电容并联，利用有源区和第一多晶硅层构成的电容与第一多晶硅层和第二多晶硅层构成的电容并联，增加了电容值。本发明提出的多晶硅—绝缘体—多晶硅电容结构，具有更大的电容值，同时可以有效节省版图面积。
多晶绝缘体电容结构

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201210454418.0有效
发明人：王文博;卜伟海;俞少峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成浅沟槽隔离结构；在所述半导体衬底和浅沟槽隔离结构上形成第一多晶硅材料层、位于部分第一多晶硅材料层表面的覆盖材料层，位于部分第一多晶硅材料层表面的第二多晶硅材料层；对第二多晶硅材料层、覆盖材料层、第一多晶硅材料层进行刻蚀，形成伪栅结构和多晶硅电阻。由于形成伪栅结构的多晶硅材料层包括第一多晶硅材料层和第二多晶硅材料层，而多晶硅电阻的多晶硅材料层仅为第一多晶硅材料层，使得伪栅结构表面和多晶硅电阻表面具有高度差，形成金属栅极的化学机械研磨工艺不会对多晶硅电阻及表面的金属硅化物造成影响
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种钝化背接触式太阳能电池的制作方法-CN202210259656.X在审
发明人：高嘉庆;屈小勇;郭永刚;吴翔;张博;杨爱静;张天杰;王永冈;李翔虹 -专利权人：青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种钝化背接触式太阳能电池的制作方法，包括：在N型单晶硅基片的一侧面上依序层叠形成隧穿氧化层和N型多晶硅层；在N型多晶硅层上形成掩膜层，并刻除掩膜层的预设区域以及位于掩膜层的预设区域的正下方的N型多晶硅层，以形成开槽；在开槽内沉积形成本征多晶硅层，本征多晶硅层的厚度与N型多晶硅层相同；对本征多晶硅层的预设区域进行选择性硼掺杂形成P型多晶硅层，使P型多晶硅层与N型多晶硅层之间具有由本征多晶硅层构成的间隔区域；在P型多晶硅层和N型多晶硅层上分别形成接触电极。本发明解决了背接触式太阳能电池的制作过程中不容易形成型多晶硅层与N型多晶硅层之间的隔离区域的问题。
一种钝化接触太阳能电池制作方法

[发明专利]栅极多晶硅和多晶硅电阻集成制作方法-CN201210268972.X有效
发明人：陈瑜;赵阶喜;罗啸 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极多晶硅和多晶硅电阻集成制作方法，包括步骤：在硅衬底上依次形成栅介质层和第一层多晶硅；进行第一次离子注入形成多晶硅电阻的掺杂；在第一层多晶硅上形成第二层氧化；对第二层氧化硅进行刻蚀仅保留多晶硅电阻形成区域上的第二层氧化硅；进行离子注入形成栅极多晶硅的掺杂；在第一层多晶硅上形成钨硅层；依次对钨硅层和第一层多晶硅进行刻蚀。本发明中的栅极多晶硅和多晶硅电阻都是采用同一次生长的多晶硅形成，且是一次刻蚀工艺对同一多晶硅进行刻蚀形成栅极多晶硅和多晶硅电阻，所以本发明能减少工艺步骤，提高生产效率，降低生产成本。
栅极多晶电阻集成制作方法

[发明专利]一种极性相异的钝化接触结构及电池、制备工艺、组件和系统-CN202110486509.1在审
发明人：沈承焕;赵影文;季根华;陈嘉;杜哲仁;马丽敏;林建伟 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开一种极性相异的钝化接触结构及电池、制备工艺；该极性相异的钝化接触结构包括硅衬底、设于硅衬底至少一面的电介质层、设于电介质层表面且掺杂极性相异的第一、第二多晶硅掺杂层，设于第一多晶硅掺杂层与第二多晶硅掺杂层之间的多晶硅层，设于第一多晶硅掺杂层表面、掺杂极性相同且掺杂浓度大于第一多晶硅掺杂层的第三多晶硅掺杂层，设于第二多晶硅掺杂层表面、掺杂极性相同且掺杂浓度大于第二多晶硅掺杂层的第四多晶硅掺杂层；第一、第三多晶硅掺杂层的厚度之和大于多晶硅层，第二、第四多晶硅掺杂层的厚度之和大于多晶硅层。
一种极性相异钝化接触结构电池制备工艺组件系统

[发明专利]高电阻率绝缘体上硅衬底及其形成方法-CN202010946568.8在审
发明人：郑有宏;吴政达;江振豪;亚历山大卡尔尼斯基;杜友伦;陈逸群 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开涉及一种高电阻率绝缘体上硅(SOI)衬底及其形成方法。高电阻率绝缘体上硅衬底包括配置在半导体衬底之上的第一多晶硅层、第二多晶硅层、第三多晶硅层、绝缘体层以及有源半导体层。第二多晶硅层配置在第一多晶硅层之上，且第三多晶硅层配置在第二多晶硅层之上。位于绝缘体层之上的有源半导体层可配置在第三多晶硅层之上。第二多晶硅层与第一多晶硅层及第三多晶硅层相比具有较高的氧浓度。
电阻率绝缘体衬底及其形成方法

[发明专利]多晶硅结构及其制备方法-CN202310409050.4在审
发明人：张雅倩;刘成法;陆玉刚;张帅;邹杨;吴晓鹏 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅结构及其制备方法。该多晶硅结构包括：硅基底、隧穿氧化层、第一多晶硅层以及第二多晶硅层，其中，隧穿氧化层设置在硅基底上，第一多晶硅层设置在隧穿氧化层上，第二多晶硅层设置在第一多晶硅层上，并且其中第二多晶硅层的密度小于第一多晶硅层的密度本发明的多晶硅结构及其制备方法不需要增加其他化学品成本，工艺可调空间较大，具有很高的便捷性，能够解决爆膜的问题。
多晶结构及其制备方法

[发明专利]MCU半导体器件的形成方法-CN202111066008.4有效
发明人：李振文;李玉科 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供了一种MCU半导体器件的形成方法，包括：在衬底上形成栅氧化层；在闪存区的栅氧化层上形成闪存结构；形成第一多晶硅层；在逻辑区的第一多晶硅层上形成缓冲层；在缓冲层上和第一多晶硅层上形成第二多晶硅层；研磨多晶硅层使得剩余的多晶硅层表面平整；去除缓冲层；部分刻蚀逻辑区的多晶硅层并停止在栅氧化层的表面，逻辑区的剩余的多晶硅层形成逻辑栅，部分刻蚀闪存区的多晶硅层并停止在栅氧化层的表面，闪存区的剩余的多晶硅层形成字线多晶硅本发明降低了多晶硅层在闪存区和逻辑区的高度，在研磨多晶硅层时，不会由于高度差多大，而损坏闪存区的闪存结构。进一步的，多晶硅层不会存在空洞，提高了MCU半导体器件的质量。
mcu 半导体器件形成方法

[发明专利]SONOS快闪存储器的制作方法-CN200610119062.X无效
发明人：徐丹;蔡信裕;陈文丽 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-04 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种SONOS快闪存储器的制作方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多晶硅栅极结构、位于多晶硅栅极结构之间的介质层以及半导体衬底内位于栅极结构两侧的源极和漏极，所述多晶硅栅极结构具有作为栅极的第一多晶硅层；在多晶硅栅极结构以及介质层表面形成第二多晶硅层；刻蚀第二多晶硅层和第一多晶硅层形成字线；采用湿法刻蚀工艺刻蚀第二多晶硅层和第一多晶硅层。本方法避免在介电层的侧壁产生多晶硅残留，而且不会对第一多晶硅层和第二多晶硅层造成过刻蚀。
sonos 闪存制作方法

[发明专利]一种多晶硅沉积方法以及多晶硅沉积设备-CN201710772560.2在审
发明人：吴俊;王家友;王秉国;郁赛华;蒲浩 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本方案提供了一种多晶硅沉积方法以及多晶硅沉积设备，该多晶硅沉积方法应用于三维存储器，所述三维存储器包括至少一层多晶硅层，首先沉积第一层多晶硅层，然后在第一层多晶硅层表面鼓入氟化物气体，以使氟化物气体与第一层多晶硅层上的氧化层反应，去除第一层多晶硅层表面的自然氧化层，然后在第一层多晶硅层的表面沉积第二层多晶硅层。有效的避免了多晶硅沟道中产生氧化层的现象，提升了3D NAND存储器的器件性能。
一种多晶沉积方法以及设备

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