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[实用新型]一种非对称穿通结构台面晶闸管-CN202021823994.4有效
发明人：何春海;沈一舟;张俊 -专利权人：江苏东晨电子科技有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：一种非对称穿通结构台面晶闸管，所述台面晶闸管包括基区和源区，所述基区从下至上依次包括有背面基区、长基区和正面基区，所述基区和正面基区的一部分区域上表面形成有钝化层，正面基区的另一部分区域上表面形成有源区，在长基区的正面和背面形成穿通区域，且所述穿通区域位于钝化层的侧边，所述穿通区域包括正面穿通区域和背面穿通区域，所述正面穿通区域的上表面宽度大于背面穿通区域的下表面宽度。
一种对称结构台面晶闸管

[实用新型]一种新型高压双极单管结构-CN201720250902.X有效
发明人：陆辉;张晓新;余庆;赵铝虎;陈昂;周卫宏;潘国刚;张洪波;张敏森 -专利权人：华越微电子有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型高压双极单管结构，包括基板和氧化层，所述基板的埋层上方靠近氧化层的一侧上设置有磷桥和P‑基区，P‑基区上设置有P基区，P基区上设置有N+发射区，磷桥与埋层相连；所述P‑基区外环绕设置有第一本实用新型的一种新型高压双极单管结构，与现有技术相比，增加了一层副基区层即P‑基区，在P‑基区上设置P基区和N+发射区，P‑基区、N+环和P‑环的结构使电场分布平缓，电场分布较平缓，同时基区的宽度变宽，
一种新型高压双极单管结构

[发明专利]双极型晶体管及其制造方法-CN97110996.6无效
发明人：曹汉亚(音译) -专利权人：摩托罗拉公司
申请日： 1997-04-29 - 公布日： 2003-06-04 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：双极型晶体管，包括收集区、集电区中的基区和在基区内的发射区。导电体的一部分位于双极型晶体管的基区宽度之上。使发射区自对准于导电体构成的某部分，最好使发射区扩散进入基区，以便减少基区宽度而不依赖于在基区和导电体构成的该部分之间的非常精确的对准。导电体构成的该部分用于耗尽双极型晶体管的基区宽度的一部分。
双极型晶体管及其制造方法

[发明专利]具有改善的安全工作区域性能的IGBT阴极设计-CN200480033652.X有效
发明人：穆纳福·拉希莫;斯特凡·林德 -专利权人： ABB技术有限公司
申请日： 2004-11-16 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：在一种绝缘栅双极晶体管中，根据本发明通过二折基区实现了改善的安全工作区域性能，二折基区包括第一基区(81)和第二基区(82)，所述第一基区(81)设置在沟道区(7)中，使得其围绕一个或多个源区(6)，但是不邻接栅氧化物层(41)之下的第二主表面，所述第二基区(82)设置在基接触区域(821)之下的半导体衬底(2)中，使得其部分地与沟道区(7)以及第一基区(81)重叠。
具有改善安全工作区域性能 igbt 阴极设计

[发明专利]一种HBT器件及其制造方法-CN202111318855.5在审
发明人：陈曦;黄景丰;杨继业 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明提供一种HBT器件的制造方法，包括：提供一其上形成有重掺杂层和多个场氧化层的衬底；形成集电区；形成第一介质层，所述第一介质层中形成有第一开口；形成基区，并在所述基区生长过程中进行P型离子的在位掺杂；形成第二介质层；刻蚀所述第二介质层至所述基区表面以形成第二开口以及形成发射区，所述发射区具有N型掺杂；其中，在形成所述基区之后的任意一步骤之前，还可以包括：对所述基区执行热处理工艺。本申请通过在形成基区之后的任意一步骤之前，对基区执行热处理工艺，可以避免基区中的P型离子的扩散的情况，提高基区的掺杂浓度，降低基区电阻，提高特征频率。
一种 hbt 器件及其制造方法

[发明专利]双极结型晶体管及其形成方法-CN201410308835.3有效
发明人：程勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：一种双极结型晶体管及其形成方法，其中双极结型晶体管的形成方法包括：提供衬底；对衬底进行第一掺杂形成集电区；对衬底进行第二掺杂形成基区，基区的掺杂类型与集电区的掺杂类型相反，基区位于集电区内，且基区底部高于集电区底部；在基区内形成环形隔离结构，环形隔离结构包围部分基区，且环形隔离结构底部高于基区底部；刻蚀部分环形隔离结构形成缺口，缺口暴露出被环形隔离结构包围的基区部分侧壁表面；对被环形隔离结构包围的基区顶部表面以及暴露出的侧壁表面进行第三掺杂，形成发射区，发射区的掺杂类型与基区的掺杂类型相反。
基区隔离结构双极结型晶体管掺杂类型发射区集电区衬底掺杂侧壁表面包围顶部表面发射效率工作电流暴露刻蚀

[发明专利]自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法-CN201210161096.0有效
发明人：付军;王玉东;张伟;李高庆;吴正立;崔杰;赵悦;刘志弘 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻RB大等缺陷而设计。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、基区、基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅抬升外基区、重掺杂多晶硅发射区、发射区-基区隔离介质区、重掺杂单晶发射区、接触孔介质层基区低电阻金属硅化物层延伸至发射区-基区隔离介质区外侧。本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管制备方法，用于制备上述双极晶体管。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法有效地降低了基极电阻RB，工艺步骤简单，成本低。
对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法

[发明专利]一种高灵敏度光敏三极管及其制造方法-CN201610875047.1有效
发明人：刘宗贺;邹有彪;王泗禹 -专利权人：安徽富芯微电子有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：本发明公开一种高灵敏度光敏三极管，包括基区、发射区、发射极金属区、高阻区、钝化区，所述基区由多个独立基区组成，所述独立基区构成元胞状结构，所述发射区位于独立基区内，所述发射极金属区独立位于所述发射区内，相连的所述发射极金属区形成光敏三极管的发射极E，所述高阻区位于相互独立基区之间，所述钝化区位于独立基区之间的高阻区上。本发明中高阻区处于耗尽状态时能够能承受更高的耐压，使得击穿电压能够达到70V以上而不受光敏三极管电流放大倍数和工艺的限制；同时光敏三极管的基区由多个独立的基区构成，且受光区位于基区和高阻区表面，具有更高的光吸收效率
一种灵敏度光敏三极管及其制造方法

[发明专利]一种门极换流晶闸管及其制备方法-CN201611205266.5有效
发明人：陈勇民;颜骥;陈芳林;邱凯兵;蒋谊;郭润庆 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L29/745 文献下载
摘要：本发明的晶闸管的层状结构竖直方向自下而上依次为P+透明发射阳极、N′缓冲层、N‑基区、P基区、P+基区以及半埋于P基区顶部的一部分；门极G位于所述P+基区顶部所述N+发射区没有覆盖的部分上；所述P+基区包含水平并排的P1+短基区以及P2+短基区，其中，所述P1+短基区位于所述门极G正下方，所述P2+短基区位于所述+短基区的掺杂浓度。
一种换流晶闸管及其制备方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010454921.0在审
发明人：杨广立 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底；位于衬底上的集电区；位于集电区上的基区，基区的掺杂类型与集电区的掺杂类型相反；位于基区内的过渡区，过渡区的掺杂类型与基区的掺杂类型相反，且过渡区的底部高于基区的底部，过渡区的顶部低于基区的顶部。由于过渡区可以作为集电区的延伸，进而使得有效的基区变窄，从而增大电流放大系数β；在进行集电区与发射区之间的击穿电压(BVceo)检测时，位于过渡区底部的基区会帮助过渡区耗尽，从而使得集电区与发射区之间的击穿电压增大另外，集电区不能够被过渡区简单的进行取代，这是由于集电区将位于过渡区顶部和底部的基区进行包围，有效的隔绝电流直接流向衬底，避免了噪声的产生。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种多元阵列双极型晶体管结构及制作方法-CN202210805705.5在审
发明人：张炜虎;王珊珊;仇峰;胡林辉 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明提供一种多元阵列双极型晶体管结构及制作方法，该结构包括第一导电类型衬底、第二导电类型基区、第一导电类型发射区、第二导电类型基区引出区及多个第一导电类型集电区，其中，基区位于衬底中，发射区位于基区中，基区引出区位于基区中，基区引出区环绕于发射区周围并与发射区间隔预设距离，多个集电区位于基区的上表层且分立设置于发射区与基区引出区之间。
一种多元阵列双极型晶体管结构制作方法

[发明专利]一种三极管版图设计方法、装置及一种芯片-CN200910243862.6无效
发明人：冯春磊 -专利权人：北京中星微电子有限公司
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：所述三极管版图依次包括集电区、基区和发射区三个区域，所述方法包括：根据版图设计规则，设计基区与发射区之间的距离；去除集电区与基区之间的距离，使基区与集电区相接，但在集电区与基区之间填充硅进行区域区分。本发明去除了现有技术中集电区与基区之间的距离，使基区与集电区直接相邻，从而减小了版图的面积；而且，在集电区与基区之间填充硅进行区域区分，从而保证了杂质注入所述两个区域的准确性，实现了集电区与基区的自校准
一种三极管版图设计方法装置芯片

[发明专利]抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺-CN200710118196.4无效
发明人：王玉东;周卫;徐阳;付军;张伟;蒋志;钱佩信 -专利权人：中电华清微电子工程中心有限公司
申请日： 2007-07-02 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了属于半导体器件及其制备技术领域的一种抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺。该异质结晶体管包括Si衬底形成的集电极，SiGe层基区和外基区，以及多晶Si发射极。在发射极和基极间设置侧墙结构层，抬高外基区层，其侧墙结构层防止发射极和基极间漏电，本发明采用抬高外基区工艺以外延方式生长外基区的技术，克服原有的锗硅异质结晶体管工艺中外基区注入工艺导致发射区窗口下的本征基区的硼增强扩散严重，从而引起基区变宽，掺杂改变，而降低器件的f_T和f_max等参数的不足，使得器件的直流和高频特性有很大提升。
抬高外基区锗硅异质结晶体及其制备工艺

[发明专利]非自对准抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺-CN200710118197.9无效
发明人：王玉东;徐阳;付军;周卫;张伟;蒋志;钱佩信 -专利权人：中电华清微电子工程中心有限公司
申请日： 2007-07-02 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了属于半导体器件及其制备技术领域的一种非自对准抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺。该异质结晶体管包括Si衬底形成的集电极，SiGe层基区和外基区，以及多晶Si发射极。在发射极和基极间设置侧墙结构层，抬高外基区层，其侧墙结构层防止发射极和基极间漏电，本发明采用抬高外基区工艺以外延方式生长外基区的非自对准技术，克服原有的锗硅异质结晶体管工艺中外基区注入工艺导致发射区窗口下的本征基区的硼增强扩散严重，从而引起基区变宽，掺杂改变，而降低器件的f_T和f_max等参数的不足，使得器件的直流和高频特性有很大提升。
对准抬高外基区锗硅异质结晶体及其制备工艺

[实用新型]一种具有部分埋氧结构的IGBT-CN201520989870.6有效
发明人：陈利;徐承福;高耿辉;姜帆 -专利权人：厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开一种具有部分埋氧结构的IGBT，包括：N-型基区；位于所述N-型基区下表面内两侧的两个埋氧；位于所述N-型基区下表面内中部、所述两个埋氧之间的背P+发射区；位于所述N-型基区上表面内两侧的两个P型基区；位于所述两个P型基区上表面内中部的两个N+集电区；位于所述N-型基区上表面以及所述P型基区和N+集电区部分上表面的栅氧化层；位于所述栅氧化层上表面的多晶栅。本实用新型利用在N-型基区背面引入I层二氧化硅，改变了器件内部电势的分布，从而使耐压得到提高。
一种具有部分结构 igbt