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[发明专利]显示面板的薄化方法-CN201510667121.6在审
发明人：李金磊 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2015-10-15 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：一种显示面板的薄化方法包含：提供一第一层叠基板与一第二层叠基板，所述第一层叠基板具有使所述第一层叠基板接合的第一接合区，以及所述第二层叠基板具有使所述第二层叠基板接合的第二接合区；在所述第一层叠基板和所述第二层叠基板上形成显示元件；将所述第一层叠基板和所述第二层叠基板相对设置且黏接；切除所述第一接合区和所述第二接合区，使得所述第一层叠基板的一第一内层基板和一第一外层基板分离，以及所述第二层叠基板的一第二内层基板和一第二外层基板分离；以及保留互相黏接的所述第一内层基板和所述第二内层基板及夹于所述第一内层基板和所述第二内层基板之间的所述显示元件，进而形成所述显示面板。
显示面板方法

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN201910498576.8在审
发明人：黄建富;吕志强;林俊宇;邱新智 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件及其制造方法，该制造方法包括提供第一基板；提供半导体叠层在第一基板上，将半导体叠层经图形化形成彼此分割的多个半导体叠层块，多个半导体叠层块包括第一半导体叠层块、第二半导体叠层块及第三半导体叠层块；提供永久基板，包含第一表面及第二表面；实行分离步骤将第一半导体叠层块及第三半导体叠层块与第一基板分离，且第一基板保留有第二半导体叠层块；实行第一接合步骤使第三半导体叠层块位于永久基板的第一表面上；以及实施第二接合步骤接合第一半导体叠层块或第二半导体叠层块于第二表面上；被接合至永久基板的第一半导体叠层块或第二半导体叠层块与第三半导体叠层块具有光学特征值的差异或电性特征值的差异。
半导体叠层第一基板接合永久基板第二表面第一表面发光元件制造分离步骤图形化电性保留分割

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN201380077836.5有效
发明人：黄建富;吕志强;林俊宇;邱新智 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：一种发光元件的制造方法，包括：提供第一基板；提供一半导体叠层在第一基板上，将半导体叠层经图形化形成彼此分割的多个半导体叠层块，多个半导体叠层块包括第一半导体叠层块、第二半导体叠层块及第三半导体叠层块；提供永久基板，包含第一表面及第二表面；实行分离步骤将第一半导体叠层块及第三半导体叠层块与第一基板分离，且第一基板保留有第二半导体叠层块；实行第一接合步骤使第三半导体叠层块位于永久基板的第一表面上；以及实施第二接合步骤接合第一半导体叠层块或第二半导体叠层块于第二表面上；其中，被接合至永久基板的第一半导体叠层块或第二半导体叠层块与第三半导体叠层块具有光学特征值的差异或电性特征值的差异。
发光元件及其制造方法

[发明专利]发光元件及其制法-CN201110210636.5有效
发明人：陈世益;许嘉良;姚久琳;徐子杰;黄建富 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-07-26 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件及其制法，该发光元件包括：发光叠层，用以产生光线；基板结构形成于发光叠层下，包括：第一基板，形成于发光叠层下方且具有朝向发光叠层的至少一第一表面；及第二基板，为形成于发光叠层下方的透明基板，且具有朝向发光叠层的至少一第二表面；以及至少一反射层，以非垂直于第一表面的角度形成于第一基板与第二基板间。
发光元件及其制法

[发明专利]行动显示设备-CN202310938730.5在审
发明人：任陈铭 -专利权人：业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;业成光电（无锡）有限公司;英特盛科技股份有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本申请提供一种行动显示设备，包括第一基板、显示组件叠层以及第二基板。第一基板包括光学叠层，光学叠层位于第一基板的上表面，光学叠层包括抗眩光层与不开孔的偏光层。显示组件叠层包括彩色滤光层与液晶层，显示组件叠层位于第一基板的下表面，彩色滤光层具有多个开口。第二基板的上表面与显示组件叠层接触，第二基板的下表面设置多个红外线油墨结构。其中，该些开口分别对应影像模块、红外线模块、LED模块以及环境光传感器，且不开孔的偏光层覆盖该些开口。抗眩光层未覆盖对应影像模块的开口所在区域。
行动显示设备

[发明专利]半导体结构与其制造方法-CN201610216188.2有效
发明人：江昱维;邱家荣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构，包括一基板、多个第一叠层结构以及两个第二叠层结构。第一叠层结构设置于基板上，且每个第一叠层结构包括多个交互叠层的金属层与氧化层。第二叠层结构设置于基板上，且每个第二叠层结构包括多个交互叠层的氮化硅层与氧化层。第一叠层结构设置于两个第二叠层结构之间。
半导体结构与其制造方法

[发明专利]摄像单元、摄像模块以及内窥镜系统-CN201580045600.2在审
发明人：石川真也;绵谷祐一;村松明 -专利权人：奥林巴斯株式会社
申请日： 2015-10-29 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：本发明的摄像单元(10)的特征在于，具有半导体封装(20)，其具有摄像元件，在f2面上形成有连接电极(21)；第一层叠基板(30)，其在f3面和f4面上具有连接电极(31、33)，经由连接电极(31)与半导体封装(20)连接；第二层叠基板(40)，其以层叠方向与第一层叠基板(30)的层叠方向垂直的方式连接于第一层叠基板(30)；电子部件(51)，其安装于第一层叠基板(30)的内部；以及线缆(60)，其与第二层叠基板(40)连接，关于第一层叠基板(30)和第二层叠基板(40)，第二层叠基板(40)与第一层叠基板(30)连接而呈T字状，并且它们收敛于半导体封装(20)的光轴方向上的投影面内。
摄像单元模块以及内窥镜系统

[发明专利]一种LTCC基板3D叠层结构-CN201410736764.7有效
发明人：石伟;李建国;任英哲;肖刚 -专利权人：中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种LTCC基板3D叠层结构，包括：两层堆叠的LTCC基板结构以及叠层方式，LTCC叠层基板之间I/O互联方式和机械连接方式连接；其中，LTCC基板堆叠结构包括下基板和上基板，上基板扣合于下基板上，下基板与上基板之间形成空腔，下基板与上基板上均可布置元器件。基板之间采用粘接方式进行机械连接，LTCC基板结构之间采用键合方式进行电连接，使得机械连接和电连接采用独立的区域进行，有效的提高了叠层体的组装效率，降低组装难度，提高了LTCC基板叠层组件的可靠性。
一种 ltcc 基板结构

[发明专利]薄膜粘贴方法及其装置-CN200710008150.7无效
发明人：大西亮;渡边胜义;藤井健;原田茂 -专利权人：株式会社日立工业设备技术
申请日： 2007-01-26 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： B32B37/02 文献下载
摘要：本发明涉及将叠层着支撑薄膜和粘着性薄膜的叠层薄膜中的前端部以使该粘着性薄膜成为基板侧的方式，临时安装在基板中的至少一方的主面的前端部，对基板和叠层薄膜进行加压，进行粘贴的薄膜粘贴方法及其装置。在本发明中，在临时安装部(10)，在将从薄膜供给辊(15)放出的叠层薄膜(3)临时安装到基板(2)后，在以基板(2)的前端部为最前排，使基板(2)和叠层薄膜(3)向进行加压并进行粘贴的正式粘贴部(50)侧移动时，通过位于从基板(2)的主面离开的位置的导辊(13)，以使叠层薄膜(3)不与基板(2)接触的方式，向基板(2)侧供给叠层薄膜(3)，在叠层薄膜(3)成为粘贴到基板(2)上的所希望的长度时，切断叠层薄膜(3)，在正式粘贴部(50)中进行被切断的所希望的长度的叠层薄膜(3)的粘贴。根据本发明，即使使用具有柔软性的薄膜，也不会产生以切断薄膜时的薄膜的伸缩为起因的皱摺，不会在基板和所粘贴的薄膜之间产生气泡。
薄膜粘贴方法及其装置

[发明专利]存储器装置及其制造方法-CN201510144177.3有效
发明人：赖二琨 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：存储器装置包括一基板、至少一第一叠层结构以及至少一第二叠层结构。第一叠层结构设置于基板上，且包括多个交错叠层的金属层与氧化层。第二叠层结构设置于基板上并邻接于该第一叠层结构，且包括多个交错叠层的半导体层与氧化层。第一叠层结构的金属层连接第二叠层结构的半导体层。
存储器装置及其制造方法

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN201811424436.8有效
发明人：黄建富;詹耀宁;徐子杰;陈怡名;邱新智;吕志强;许嘉良;张峻贤 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2013-07-05 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光元件及其制造方法，该制造方法包括提供一第一基板及多个半导体叠层块于该第一基板上，各该多个半导体叠层块包括一第一电性半导体层、一发光层位于该第一电性半导体层之上、以及一第二电性半导体层位于该发光层之上，其中，该多个半导体叠层块包含一第一半导体叠层块及一第一二半导体叠层块；以及实行一第一分离步骤，包括：提供一第二基板，包括一第一电极；实行一第一接合步骤，包括接合该第一半导体叠层块与该第二基板；以及分离该第一半导体叠层块与该第一基板，且该第一基板存留有该第二半导体叠层块。
发光元件及其制造方法

[发明专利]利用衰减的相移掩模图案化晶片上的光刻胶的方法-CN200480005996.X有效
发明人：詹姆斯·R·沃森;帕维特·曼加特 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2004-02-13 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：一种衰减的相移掩模(10或20)包括基板(12或22)和覆盖在基板上的衰减叠层(11或21)。衰减叠层包括覆盖在基板上的铬层或钌层(14或24)、覆盖在铬层或钌层上的氧化硅钽层(16或26)和覆盖在氧化硅钽层上的氮化硅钽层(18或28)。衰减叠层还可包括在基板(22)和铬或钌层(24)之间的层(30)。在一个实施例中，该层是部分基板。使用衰减叠层来图案化半导体晶片上的光刻胶(50)。在一个实施例中，在曝光波长处，与衰减叠层相邻的部分基板具有大于90％的透射率，且衰减叠层具有5％至20％的透射率。在一个实施例中，基板和衰减叠层之间在检查波长处的的检查对比度大于75％。
利用衰减相移图案晶片光刻方法

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN200810134353.5有效
发明人：许嘉良 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-07-24 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光元件，至少包含基板，其中基板的上表面具有离子注入层；硅薄膜，位于离子注入层上；以及发光叠层，位于硅薄膜上。一种发光元件制造方法，其步骤包含提供基板，在此基板上表面形成离子注入层；提供发光叠层，在此发光叠层下表面形成硅薄膜；以阳极键合技术接合此发光叠层与此基板。
发光元件及其制造方法

[发明专利]用于氮化物外延生长的叠层基板及其形成方法-CN201710122936.5在审
发明人：闫发旺;张峰;赵倍吉;谢杰 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：一种用于氮化物外延生长的叠层基板及其形成方法，所述叠层基板包括至少一组堆叠结构，所述堆叠结构包括氮化铪层和氮化铝层，所述氮化铪层和氮化铝层相互堆叠；所述叠层基板具有六方晶体结构。所述叠层基板适于作为高温生长氮化物外延层的基底，形成高质量的氮化物外延层。
用于氮化物外延生长叠层基板及其形成方法

[发明专利]电容器元件的安装结构体及电容器元件的安装方法-CN201410191050.2在审
发明人：藤本力;服部和生 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2014-05-07 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01G4/35 文献下载
摘要：电路基板将大致长方体形状的第1层叠陶瓷电容器及第2层叠陶瓷电容器安装至布线基板而成，第1层叠陶瓷电容器及第2层叠陶瓷电容器沿着与布线基板的主表面平行的方向靠近地排列配置，并且经由设置于布线基板的导电图案而串联或并联地电连接第1层叠陶瓷电容器及第2层叠陶瓷电容器被安装于布线基板，使得第1层叠陶瓷电容器的一方的宽度方向侧面与第2层叠陶瓷电容器的一方的长度方向端面大致正交且对置。
电容器元件安装结构方法

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