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[实用新型]一种单晶硅片清洗装置-CN202222435640.8有效
发明人：徐礼健;蒋军 -专利权人：江苏和阳新材料有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了单晶硅技术领域的一种单晶硅片清洗装置，包括基台和清洁框，所述清洁框固定连接在所述基台的顶部后侧，所述基台的顶部凹槽内腔转动连接有转台，所述转台的顶部开有安装槽，且呈环形分布，所述基台的顶部凹槽内腔底部右侧开有通孔，所述基台的内腔底部中间通过螺栓固定连接有第一电机，该单晶硅片清洗装置，结构设计合理，通过转台旋转，将清洗后的单晶硅片运出清洁框，到达换料区域，同时将未清洗的单晶硅片运送至清洁框的内腔，进行清洗工艺，工作人员及时在换料区域对清洗后的单晶硅片进行更换
一种单晶硅清洗装置

[发明专利]一种无甲胺锡基钙钛矿单晶的制备方法和光电探测器-CN202210659411.6在审
发明人：姚凯;曹玮辰;单乐婷 -专利权人：南昌大学
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种无甲胺锡基钙钛矿单晶的制备方法和光电探测器。本发明开发了一种适用于低噪声光电探测器制备的锡基钙钛矿单晶。在锡基钙钛矿单晶溶液生长制备的后期，将锌副族金属阳离子(Zn2+、Cd2+或者Hg2+)引入到无甲胺锡基钙钛矿单晶生长溶液中，利用微量的软酸锌副族金属阳离子与软碱卤素阴离子强烈键合，并可以在不引入额外内部缺陷情况下，原位钝化锡基钙钛矿单晶在生长后期浅表面形成的点空位，进而抑制晶体表面Sn2+的氧化，大幅降低光电探测器的暗电流，进而能够有效降低现有无甲胺锡基钙钛矿探测器中噪声问题，并提高信噪比，从而制备得到高性能的无甲胺锡基钙钛矿单晶光电探测器
一种无甲胺锡基钙钛矿单晶制备方法光电探测器

[发明专利]一种组织稳定的第三代镍基单晶高温合金及制备方法-CN202010426828.9有效
发明人：刘林;李卓然;黄太文 -专利权人：苏州高晶新材料科技有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C22C19/05 文献下载
摘要：一种组织稳定的第三代镍基单晶高温合金及其制备方法。所述组织稳定的第三代镍基单晶高温合金由Al、Ta、W、Re、Mo、Cr、Co、Hf和Ni组成。所述W与所述Ni以Ni‑W中间合金的形式加入。本发明采用定向凝固制备单晶合金，经多步、高温、长时固溶均匀化处理、高温时效处理和低温时效处理，使本发明合金无初熔、无TCP相析出，降低TCP析出倾向，使具有降低Re含量的合金达到第三代镍基单晶高温合金的性能水平，得到的镍基单晶高温合金具有较高的中、高温强度和良好的瞬时拉伸性能与蠕变性能，并具有良好的组织稳定性。
一种组织稳定第三代镍基单晶高温合金制备方法

[发明专利]镍基单晶合金、用途和热处理方法-CN202111172900.0在审
发明人：赵云松;杨振宇;张辉;刘培元;骆宇时;张剑 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C30B29/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍基单晶合金、用途和热处理方法。该镍基单晶合金各组分重量百分比的取值范围包括：Cr：2％～4％；Al：5.55％～5.95％；Ta：8％～10％；Co：7％～10％；Mo：1％～2.5％；Re：5.5％～7％；W：4.5％～6.5％；该合金能够用于制备单晶试棒和/或单晶涡轮叶片。该单晶试棒和/或单晶涡轮叶片由该合金制备得到，单晶试棒和/或单晶涡轮叶片能够制备得到该单晶试棒和/或单晶涡轮叶片。
镍基单晶合金用途热处理方法

[发明专利]一种镍基单晶气膜孔构件裂纹启裂判定方法-CN201910568665.5有效
发明人：温志勋;岳珠峰;李振威;张亚敏;王佳佳;甘文艳 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： F01D5/18 文献下载
摘要：本公开涉及涡轮叶片技术领域，提供了一种镍基单晶气膜孔构件裂纹启裂判定方法，包括：获取所述镍基单晶气膜孔构件的局部应力；若所述局部应力大于局部应力阈值，则判定所述镍基单晶气膜孔构件发生裂纹启裂；其中，所述局部应力阈值的确定方法包括：确定所述镍基单晶气膜孔构件在发生裂纹启裂时的端部应力和驻留滑移带参量；根据所述驻留滑移带参量、所述端部应力以及预设关系式确定所述局部应力阈值。
一种镍基单晶气膜孔构件裂纹判定方法

[发明专利]一种高容量单晶正极电池材料的制备方法及产品-CN202111533092.6有效
发明人：李晓祥;裴晓东;骆艳华 -专利权人：中钢天源股份有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种高容量单晶正极电池材料的制备方法及产品，涉及单晶高熵电池材料技术领域，为解决单晶正极材料锂离子扩散较为困难，限制了单晶材料发展的问题；本发明包括用超细的针状富铁基高熵材料作为晶核，制成棒状的单晶氧化物，以提高锂离子扩散速率；具体包括配置电池级原料溶液、在高pH条件下合成超细的针状富铁基高熵材料晶核、继续生长、加锂烧结成单晶粉末产品；本发明从另一角度出发，用超细的针状富铁基高熵材料作为晶核，制成棒状的单晶氧化物，从而缩短锂离子在电解液与单晶内部晶格间扩散的路径，解决了单晶正极材料中锂离子扩散较为困难的问题，提高了电池材料产品容量、循环稳定性和安全性，同时为高熵材料的发展拓宽了道路。
一种容量正极电池材料制备方法产品

[发明专利]声表面波材料及其制作方法-CN201810220554.0在审
发明人：王为标;毛宏庆;陆增天;李壮 -专利权人：无锡市好达电子有限公司
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H03H3/10 文献下载
摘要：该声表面波材料包括硅基底、在硅基底之上的硅基薄膜、以及在硅基薄膜之上的压电单晶薄膜；压电单晶薄膜为钽酸锂压电单晶薄膜或铌酸锂压电单晶薄膜；硅基薄膜的键合面或压电单晶薄膜的键合面或硅基底的键合面上制作有沟槽结构阵列；硅基薄膜的键合面、压电单晶薄膜的键合面、硅基底的键合面均为抛光面；解决了现有的多层键合压电材料体波影响声表面波，导致声表面滤波器高端抑制差的问题；达到了扩大多层键合压电材料的应用范围，保证声表面波滤波器的性能的效果
压电单晶薄膜键合面声表面波材料硅基薄膜硅基键合多层制作声表面波滤波器声表面滤波器压电材料体沟槽结构声表面波压电材料抛光面钽酸锂铌酸锂高端应用保证

[发明专利]一种定向凝固柱晶或单晶镍基高温合金修复或涂层方法-CN200610047464.3有效
发明人：王茂才;谢玉江;王东生 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2006-08-16 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： C23C4/00 文献下载
摘要：本发明属于金属表面沉积层的制备技术，具体为一种定向凝固柱晶或单晶高温合金表面外延生长的定向凝固柱晶或单晶沉积层制备方法。为了解决定向凝固柱晶或单晶镍基高温合金的修复/涂层问题，获得与定向凝固柱晶或单晶材料相匹配的致密的、无裂纹的定向凝固柱晶或单晶沉积层，本发明提出外延高能微弧火花金属沉积技术，以定向凝固或单晶镍基高温合金材料为基材该发明的优点：首先外延高能微弧火花金属沉积技术实现定向凝固生产的工艺窗口宽，不会对镍基高温合金产生热损伤，热影响区窄或无热影响区，能有效避免镍基高温合金热裂纹的产生，不需要使用真空室等复杂的设备，而且该方法无需预热
一种定向凝固单晶镍基高温合金修复涂层方法

[实用新型]一种金刚石单晶合成基台的稳定升降装置-CN202321278900.3有效
发明人：王凯;秦静 -专利权人：美若科技有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金刚石单晶合成基台的稳定升降装置，涉及金刚石单晶合成技术领域，包括底座、万向轮、合成箱、基台本体、升降柱和升降组件，通过升降电机带动螺纹杆转动，螺纹杆带动螺纹环移动，螺纹环通过螺纹块带动L板移动，L板带动密封柱升降，密封柱带动基台本体进行升降，进而控制基台本体和微波等离子体之间的距离，进而控制基台本体表面的金刚石生长温度，不需要调节微波输出功率，避免影响金刚石单晶合成效率，降低合成金刚石单晶的成本
一种金刚石合成稳定升降装置

[发明专利]一种含碳高铌钛铝基单晶合金-CN201611250812.7在审
发明人：陈光;胡凯;李永胜;葛志军;闫志龙 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： C22C14/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种含碳高铌钛铝基单晶合金。所述合金按质量百分比表示为：0.01~0.1% C、10.00~19.69% Nb、13.48~30% Al，其余为 Ti。在本发明中，通过在高铌钛铝合金中加入碳元素，制备得到了含碳高铌钛铝单晶合金，相比于不含碳的高铌钛铝多晶合金及其单晶合金，本发明含碳高铌钛铝基单晶合金塑性较好，并且合金强度得到明显增强，显著提升了钛铝基合金的工业应用性能
一种含碳高铌钛铝基单晶合金

[发明专利]镍基单晶合金涡轮叶片榫头微动疲劳寿命预测方法-CN201811147466.9有效
发明人：李磊;孙守义;岳珠峰;杨未柱;何锟;卫靖澜;曾延 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本公开提供一种镍基单晶合金涡轮叶片榫头微动疲劳寿命预测方法，该方法包括：建立镍基单晶合金涡轮叶片榫头的微动疲劳接触分析模型；在给定工况下对该模型进行计算，获取分析参数，分析参数包括接触面不同位置处的分切应力确定给定工况下该模型接触面不同位置处的分切应力损伤因子；根据给定工况和分析参数，确定给定工况下该模型接触面不同位置处的累积耗散能损伤因子；根据分切应力损伤因子和累积耗散能损伤因子，确定微动疲劳综合损伤因子，进而得到镍基单晶合金涡轮叶片榫头的微动疲劳寿命本公开的镍基单晶合金涡轮叶片榫头微动疲劳寿命预测方法可准确预测镍基单晶合金涡轮叶片榫头的微动疲劳寿命。
镍基单晶合金涡轮叶片榫头微动疲劳寿命预测方法

[发明专利]镍基单晶涡轮冷却叶片密排气膜孔的蠕变等效与简化方法-CN201910451922.7有效
发明人：温志勋;岳珠峰;张亚敏;李振威;裴海清;王佳佳 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本公开是关于一种镍基单晶涡轮冷却叶片密排气膜孔的蠕变等效与简化方法，该方法包括基于晶体塑性理论确定镍基单晶合金蠕变本构方程，并根据密排气膜孔的排布方式，确定镍基单晶涡轮冷却叶片模型的气膜孔密度，引入气膜孔密度函数，确定所述排布方式下的蠕变变形表达式；根据所述蠕变变形表达式确定蠕变等效参数；根据所述蠕变等效参数与所述密排气膜孔的排布方式，将密排气膜孔简化为一单个气膜孔；将所述镍基单晶涡轮冷却叶片模型上的气膜孔简化为一所述单个气膜孔本公开提供的镍基单晶涡轮冷却叶片密排气膜孔的蠕变等效与简化方法，能够降低叶片结构强度分析和寿命设计难度。
镍基单晶涡轮冷却叶片排气等效简化方法

[发明专利]控制激光熔覆单晶合金过程中组织生长的方法及装置-CN201510118939.2有效
发明人：刘朝阳;齐欢 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2015-03-18 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： C23C24/10 文献下载
摘要：本发明提供一种控制激光熔覆单晶合金过程中组织生长的方法及装置，其通过主动冷却装置主动冷却熔覆周围区域，特别是镍基单晶涡轮叶片的两侧外壁，增大了熔池沿垂直叶尖方向的温度梯度，从而增强单晶组织的外延生长能力，减小等轴晶的产生，实现单晶组织在多层熔覆过程中的连续生长，从而满足镍基单晶涡轮叶片叶尖磨损的接长修复要求。
控制激光熔覆单晶合金过程组织生长方法装置

[发明专利]蓝宝石基复合衬底及其制造方法-CN201010156397.5无效
发明人：施建江;杨少延;刘祥林 -专利权人：杭州海鲸光电科技有限公司
申请日： 2010-03-30 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种蓝宝石基复合衬底及其制造方法。该蓝宝石复合衬底用于制备氮化物半导体外延材料的蓝宝石基复合衬底，其特征在于，包含：一蓝宝石单晶基底；一复合应力协变层，覆盖在所述蓝宝石单晶基底上，由多层氮化铝单晶薄膜材料和多层氮化钛单晶薄膜材料交替堆叠构成；一氮化镓模板层，生长在所述复合应力协变层上，由氮化镓单晶薄膜材料构成。
蓝宝石复合衬底及其制造方法

[发明专利]一种用于测量铁基超导单晶面内电学性质的样品器件的制备方法-CN202111440009.0在审
发明人：滕博伦;王靖珲;李军 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于测量铁基超导单晶面内电学性质的样品器件的制备方法。本发明的制备方法包括：将铁基超导单晶材料大幅减薄，在其平整的解理面上镀金，光刻并通过氩离子束刻蚀制作环形电极，再通过热蒸发仪喷镀绝缘层，光刻并制作第二层绝缘层作为电极保护层，最后通过光刻在保护层上制作引出电极图案，从而制备得到铁基超导微纳单晶测量器件。本发明以微纳加工技术作为基本工具，根据测量铁基超导单晶材料遇到的多种问题对电极方案进行了针对性改进。通过大幅减薄样品，制作电极并制作双层绝缘层电极结构，就可以得到铁基超导微纳单晶测量器件。这种完全基于微纳加工制备的器件能够解决测量铁基超导超导向列态时遇到的多种实验技术难题。
一种用于测量超导单晶面内电学性质样品器件制备方法