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[发明专利]从被氧化铀污染的元件中回收铀的方法-CN201880011425.9有效
发明人：阿方斯·罗佩尔特;希巴斯蒂安·霍普;沃尔夫冈·施密德;瑞纳·贝佐德;尤跟·艾斯纳;诺伯特·伯格曼 -专利权人：法马通股份有限公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于从被氧化铀污染的元件(5)中回收铀的方法，包括步骤a)提供具有用于溶解所述元件(5)的氧化铀的清洁溶液(8)的清洁装置(9)，b1)通过将一批元件(5)引入所述清洁装置(9)中来执行清洁过程，b2)执行测量以确定所述元件(5)的铀含量，b2.1)在超过铀含量的边界值的情况下：重复步骤b1)和b2)，b2.2)在低于铀含量的边界值的情况下：将所述元件(5)从所述过程中取出，c)用多个连续批次的元件(5)执行清洁步骤b)，直到检查测量表明所述清洁溶液(8)的清洁效果不足为止，d)在表明清洁效果不足之后：回收溶解在所述清洁溶液(8)中的氧化铀。
氧化污染元件回收方法

[发明专利]具有接触结构的光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的接触结构的方法-CN201880058966.7在审
发明人： 沃尔夫冈·施密德;马库斯·布勒尔 -专利权人：欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提出一种用于制造用于光电子半导体器件(1)的接触结构(150)的方法，所述方法包括如下步骤：a)提供生长衬底(120)，所述生长衬底具有在其上生长的半导体本体(10)，所述半导体本体具有第一区域(101)、第二区域(102)和有源区域(103)；b)产生至少一个第一留空部(170)，所述第一留空部从第二区域(102)开始完全地穿过有源区域(103)延伸到第一区域(101)中并且不完全地穿透第一区域(101)；c)将第一导电接触材料引入到第一留空部(170)中；d)将半导体本体(10)借助背离生长衬底(120)的侧固定在载体衬底(130)上，并且将生长衬底(120)从半导体本体(10)剥离；e)产生至少一个第二留空部(180)，所述第二留空部从第一区域(101)开始延伸直至第一留空部(170)，使得第一留空部(170)和第二留空部(180)形成穿过半导体本体(10)的穿引部；以及f)将第二导电接触材料引入到第二留空部(180)中，使得第一接触材料和第二接触材料形成穿过半导体本体(10)的导电的接触结构。此外，提出一种具有接触结构(150)的光电子半导体器件(1)。
具有接触结构光电子半导体器件用于制造方法

[发明专利]光电子半导体芯片-CN201880013936.4在审
发明人：安德烈亚斯·鲁道夫;马库斯·布勒尔;沃尔夫冈·施密德;约翰内斯·鲍尔;马丁·鲁道夫·贝林格 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2018-02-22 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：描述一种光电子半导体芯片(10)，包括：‑p型半导体区域(4)；‑n型半导体区域(9)，‑在p型半导体区域(4)与n型半导体区域(9)之间设置的有源层(6)，所述有源层构成为多量子阱结构(6A，6B)并且具有交替的量子阱层(6A)和阻挡层(6B)，其中量子阱层(6A)适合于发射在第一波长范围中的第一辐射(21)；以及‑至少一个另外的量子阱层(7A)，所述另外的量子阱层设置在多量子阱结构(6A、6B)之外，并且适合于发射在第二波长范围中的第二辐射(22)，其中‑第一波长范围处于对于人眼不可见的红外光谱范围中，和‑第二波长范围包括如下波长，所述波长至少部分对于人眼而言是可见的。
波长量子阱层光电子半导体芯片多量子阱结构人眼源层红外光谱发射辐射不可见交替的阻挡层

[发明专利]用于产生放射性同位素的辐照靶及其制备方法-CN201580074837.3有效
发明人：比阿特里斯·舒斯特;沃尔夫冈·施密德 -专利权人：法玛通有限公司
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： G21G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种制备用于在核动力反应堆的仪表管中产生放射性同位素的辐照靶的方法，所述方法包括以下步骤：提供由稀土金属氧化物组成的粉末以及任选的有机粘合剂，所述稀土金属氧化物具有大于99％纯度；对所述粉末和任选的有机粘合剂进行制粒以形成实质上球形的生坯，所述生坯具有1mm‑10mm的直径；以及对处于固相的球形生坯进行烧结，所述烧结在该稀土金属氧化物粉末固相线温度的至少70％的温度下进行足以形成圆形的、经烧结的稀土金属氧化物靶的时间，所述稀土金属氧化物靶具有理论密度至少80％的烧结密度。
用于产生放射性同位素辐照及其制备方法

[发明专利]用于数据处理的系统和方法-CN201210376910.0有效
发明人：唐文;沃尔夫冈·施密德 -专利权人：西门子公司
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H04L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于数据处理的方法和系统，其中，所述系统包括：接口，其用于接收指定网络业务的数据，其中所述数据包含所述指定网络业务的数据报文的应用层载荷；以及，自学习引擎，其用于根据所述接收的数据利用文法推断来产生所述指定网络业务的模式。利用该方法和系统，可以消除人工配置DPI模式的繁琐工作并避免了人工操作可能导致的各种错误。
网络业务数据处理人工操作人工配置数据包含数据报文数据利用文法推断应用层自学习引擎

[发明专利]光电子半导体芯片-CN201280041909.0有效
发明人：伊瓦尔·通林;沃尔夫冈·施密德 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2012-07-06 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：在光电子半导体芯片（1）的至少一个实施形式中，所述光电子半导体芯片包括具有至少一个有源层（20）的半导体层序列（2）。此外，半导体芯片（1）具有在半导体层序列（2）的辐射主侧（23）上的上侧接触结构（3）和在与辐射主侧（23）对置的下侧（24）上的下侧接触结构（4）。此外，半导体芯片（1）包含至少两个沟道（5），所述沟道（5）从辐射主侧（23）伸展至下侧（24）。在辐射主侧（23）的俯视图中看，上侧接触结构（3）和下侧接触结构（4）彼此间隔地布置。同样在辐射主侧（23）的俯视图中看，沟道（5）位于上侧接触结构（3）与下侧接触结构（4）之间。
光电子半导体芯片

[发明专利]光电子器件和用于该光电子器件制造的方法-CN201180050595.6有效
发明人： 沃尔夫冈·施密德;克里斯托夫·克伦普;阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2011-10-17 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电子半导体器件（10），其具有半导体本体（1）、介电层（2）、镜（3）和附加层（4）。所述半导体本体（1）具有用于产生电磁辐射的有源区（1c）、用于电接触的n型接触部（1a）和p型接触部（1b）。所述介电层（2）设置在半导体本体（1）和镜（3）之间。附加层（4）设置在半导体本体（1）和介电层（2）之间。此外，提出一种用于制造这种器件（10）的方法。
光电子器件用于制造方法

[发明专利]车轮-CN201180039450.6有效
发明人： 沃尔夫冈·施密德;海因里希·贝林格;克里斯托夫·科西拉;卡尔-海因茨·梅汀格 -专利权人：奥迪股份公司
申请日： 2011-07-20 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： B60B3/10 文献下载
摘要：一种车轮（1）包括轮辋（2）、固定在轮辋上的制动盘固定鼓和固定在制动盘固定鼓上的制动盘，其中，在轮辋上设置了多个可偏转地支承的板状遮盖件（4），用于暂时封闭对应的在轮辋侧的穿孔（3），这些穿孔通过至少一个热控的调节件（17）可由遮盖件在车轮旋转时取决于离心力而占据的封闭位置进入开启位置中，其中每个遮盖件可沿着偏转轴抵抗复位件（12）的力地移动，并且通过在移动运动中强制引导的联接件（13）与轮辋连接，其中联接件（13）具有集成的弹性体（18），或者抵靠这种弹性体（18）地这样支承在轮辋侧和/或在遮盖件侧，即对用于使遮盖件（4）从封闭位置运动到开启位置所需的力进行限制。
车轮

[发明专利]车轮-CN201180039449.3有效
发明人：卡尔-海因茨·梅汀格;克里斯托夫·科西拉;沃尔夫冈·施密德 -专利权人：奥迪股份公司
申请日： 2011-07-15 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： B60B3/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种车轮，包括轮辋（2）、固定在轮辋上的制动盘固定鼓（3）和固定在制动盘固定鼓上的制动盘（34），其中在轮辋上设置有多个可偏转地支承的、优选板状的遮盖件（5），该遮盖件用于暂时封闭对应的轮辋侧的穿孔（4），这些穿孔可通过至少一个热控的调节件（6）从封闭位置进入到开启位置中，其中调节件（6）是膨胀材料作功件（7），为了实现从制动盘（34）至膨胀材料作功件（7）的热传导，该膨胀材料作功件与制动盘（34）热耦合连接。
车轮

[发明专利]发光二极管芯片和用于制造发光二极管芯片的方法-CN201180033939.2有效
发明人：贝恩德·迈尔;沃尔夫冈·施密德 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提出一种发光二极管芯片，其具有：n型半导体层（3）；p型半导体层（4）；在n型半导体层（3）和p型半导体层（4）之间的有源区域（2）；侧面（14），所述侧面在侧向方向上对n型半导体层（3）、p型半导体层（4）和有源区域（2）限界；掺杂区域（1），在所述掺杂区域中将掺杂物质引入半导体芯片的半导体材料中；和/或中和区域（1），其中掺杂区域（1）和/或中和区域（1）在所述侧面（14）上至少构造在有源区域的区域中，并且发光二极管芯片在工作时设置为用于发射非相干电磁辐射。
发光二极管芯片用于制造方法

[发明专利]用于自动化网络的入口保护器-CN201210103438.3有效
发明人：亨德里克·格拉克;沃尔夫冈·施密德 -专利权人：西门子公司
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H04L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于自动化网络的入口保护器，所述自动化网络与构成用于执行自动化过程的自动化设备连接，其中自动化过程能够在至少两个状态中运行并且入口保护器包括数字式存储介质，处理器，和网络端口，其中，数字式存储介质构成用于存储至少第一规则和第二规则，处理器构成用于读取至少第一规则和第二规则、用于处理规则并且用于通过网络端口接收和转发数据，第一规则在自动化过程的第一状态中限定，转发哪些所接收的数据和不转发哪些所接收的数据，所述处理器构成用于接收至少一个信号，至少一个信号包括自动化过程的状态变化的指示，在接收至少一个信号之后，第二规则限定，转发哪些所接收的数据和不转发哪些所接收的数据。
用于自动化网络入口保护

[发明专利]带有相结构的边发射的半导体激光器-CN200980130080.X有效
发明人： 沃尔夫冈·施密德;乌韦·D·蔡纳;汉斯-克里斯托弗·埃克斯坦 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司;弗兰霍菲尔运输应用研究公司
申请日： 2009-05-20 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：提出了一种边发射的半导体激光器，其具有带有波导区域(4)的半导体本体(10)，其中波导区域(4)具有设置在第一波导层(2A)与第二波导层(2B)之间的用于产生激光辐射的有源层(3)。波导区域(4)设置在第一覆盖层(1A)与第二覆盖层(1B)之间。半导体本体(10)具有主区域(5)和至少一个相结构区域(6)，在该相结构区域中构建有相结构，用于选择有源层(3)发射的激光辐射的横向模式。为了减少耦合损耗，相结构区域(6)设置在波导区域(4)之外或者通过如下区域(6)形成：在该区域中引入掺杂剂或者产生混匀结构。
带有结构发射半导体激光器

[发明专利]半导体激光装置-CN200780006733.4有效
发明人： 沃尔夫冈·施密德;马丁·穆勒 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2007-02-08 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体激光装置，该半导体激光装置具有：光泵浦的表面发射的垂直发射器(1)，该垂直发射器在垂直主辐射方向上发射；以及至少一个单片集成的泵浦辐射源(2)，用于垂直发射器(1)的光泵浦，其中泵浦辐射源在横向于垂直主辐射方向走向的泵浦主辐射方向上发射泵浦辐射。根据第一实施形式，半导体激光装置的特征在于，泵浦辐射源(2)的至少一个垂直区段在横向于泵浦主辐射方向和横向于垂直主辐射方向的横向方向上对于泵浦辐射以折射率引导的方式实施。在第二实施形式中，半导体激光装置的特征在于，泵浦辐射源(2)在至少一个垂直区段中在横向于泵浦主辐射方向的横向方向上具有比在另一垂直区段中更小的宽度。通过这种方式，在合适的设计的情况下实现了，泵浦辐射的模式完全地或者至少部分地在垂直方向上从该区段中被挤压，由此可以有利地减小泵浦辐射在导电层上的吸收损耗。
半导体激光装置

[发明专利]具有减小反射的层序列的发光二极管-CN200580025264.1有效
发明人：伊内斯·皮聪卡;沃尔夫冈·施密德;拉尔夫·维尔特 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2005-06-15 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括有源区(7)的发光二极管，其向主辐射方向(15)发射电磁辐射，其中在主辐射方向(15)上，减小反射的层序列(16)设置在所述有源区(7)之后，所述减小反射的层序列(16)包含：由至少一个层对(11，12)构成的DBR反射器(13)，在主辐射方向(15)上跟在所述DBR反射器(13)之后的增透层(9)，以及设置在所述DBR反射器(13)与所述增透层(9)之间的中间层(14)。
具有减小反射序列发光二极管

[发明专利]光泵浦的半导体装置-CN200580013368.0有效
发明人：克里斯蒂安·卡努奇;诺贝特·林德;沃尔夫冈·施密德 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2005-04-11 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置，其包括具有有源垂直发射层(3)的光泵浦的垂直发射器和泵浦辐射源，借助该泵浦辐射源产生沿横向传播的泵浦辐射，该泵浦辐射场将在泵浦区域中的垂直发射层(3)光泵浦，其中泵浦辐射场的波长小于由垂直发射器生成的辐射场(12)的波长。所述泵浦辐射源具有有源泵浦层(2)，该有源泵浦层沿垂直方向设置在垂直发射层(3)之后，并且沿垂直方向看至少部分与垂直发射层重叠，其中这样设置有源泵浦层(2)，使得工作时所产生的泵浦辐射场比由垂直发射层(3)产生的横向传播的寄生辐射场具有更高的功率，或者其中通过垂直发射层(3)来抑制横向传播的寄生辐射场的产生。
光泵浦半导体装置

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