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[发明专利]光感测元件及其制作方法-CN201310061021.X有效
发明人：陈信学;刘婉懿;彭佳添;许宗义;曾任培 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-11-06 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L31/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种光感测元件，包含金属导电层、界面介电层、富硅介电层以及透明导电层。界面介电层形成于金属导电层上，富硅介电层形成于界面介电层上，而透明导电层则是形成于富硅介电层上。本发明可以改善其中光电流与光线照度无法呈现线性关系的问题，以增进光感测元件的品质。
光感测元件及其制作方法

[发明专利]包括硅纳米晶体的多层结构及光感测单元的制作方法-CN201110225539.3无效
发明人：卓恩宗;赵志伟;彭佳添;刘婉懿;孙铭伟 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-01-23 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了包括硅纳米晶体的多层结构及其制造方法、太阳能电池及形成其的方法、非易失性存储器单元及其制造方法、以及光感测单元及其制造方法。在一实施例中，包括硅纳米晶体的多层结构的制造方法包括步骤：于基底上形成第一导电层，于第一导电层上形成富硅介电层，至少对富硅介电层进行激光退火步骤，使富硅激发产生聚集，以于富硅介电层中形成多个硅纳米晶体。富硅介电层折射系数大体上为1.47～2.5的富硅氧化层，或折射系数约为1.7～2.5的富硅氮化层，包括硅纳米晶体的多层结构可用于太阳能电池、光侦测器、触控显示器、非易失性存储器元件的储存节点或液晶显示器。
包括纳米晶体多层结构光感测单元制作方法

[发明专利]薄膜晶体管及制造富硅沟道层的方法-CN201010106352.7有效
发明人：卓恩宗;刘婉懿;陈佳楷;林武雄;陈俊雄;黄伟明 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-01-26 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管，适于配置于基板上，此薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、富硅沟道层、源极与漏极。栅极配置于基板上。栅绝缘层配置于基板上以覆盖栅极。富硅沟道层配置于栅极上方，其中富硅沟道层的材料选自于由富硅氧化硅、富硅氮化硅、富硅氮氧化硅、富硅碳化硅与富硅碳氧化硅所组成的族群，且该富硅沟道层的膜层深度在10纳米(nanometers，nm)至170nm中的硅含量介于1E23atoms/cm3至4E23atoms/cm3之间。源极与漏极分别与富硅沟道层连接。本发明实施例的薄膜晶体管具有较高的载流子迁移率与稳定性，此外，本发明实施例的薄膜晶体管可使用较低的工艺温度，具有广泛的应用范围。
薄膜晶体管制造沟道方法

[发明专利]薄膜晶体管数组基板、显示面板、液晶显示装置及其制作方法-CN200910149852.6有效
发明人：卓恩宗;彭佳添;刘婉懿;陈俊雄;黄伟明 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2009-06-22 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管数组基板、显示面板、液晶显示装置及其制作方法。其中，一种具有画素区以及感测区的显示面板包括第一基板、第二基板及显示介质层。第一基板上包括配置有多个画素结构及至少一光电池组件。画素结构数组排列于画素区中，且每一画素结构包括薄膜晶体管及画素电极电性连接薄膜晶体管。薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层与主动层。光电池组件位于感测区中，并包括掺杂半导体层、透明电极层、第一型掺杂富硅介电层及第二型掺杂富硅介电层。掺杂有第一型离子的第一型掺杂富硅介电层与掺杂有第二型离子的第二型掺杂富硅介电层位于掺杂半导体层与透明电极层之间。显示介质层位于第一基板与第二基板之间。
薄膜晶体管数组显示面板液晶显示装置及其制作方法

[发明专利]平面显示面板、紫外光传感器及其制造方法-CN200910159195.3有效
发明人：卓恩宗;盛姿华;罗睿骐;刘婉懿;孙伟珉;洪集茂;陈俊雄;黄伟明 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2009-07-22 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明提供一种平面显示面板、紫外光传感器及其制造方法，所述UV光传感器，其是以折射率范围为约1.7至约2.5的富硅介电层当作感光材料，设于UV光感测下电极与UV光感测上电极之间。本发明UV光传感器的制作方法可整合于半导体或平面显示面板的工艺中。
平面显示面板紫外光传感器及其制造方法

[发明专利]光学传感器与其制作方法以及具有光学传感器的显示面板-CN200910133617.X有效
发明人：陈信学;刘婉懿;彭佳添 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2009-04-02 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明提供一种光学传感器、其制作方法以及具有光学传感器的显示面板。上述光学传感器包括第一电极、第二电极、感光富硅介电层与第一界面富硅介电层。感光富硅介电层设置于第一电极与第二电极之间。第一界面富硅介电层设置于第一电极与感光富硅富硅介电层之间。
光学传感器与其制作方法以及具有显示面板

[发明专利]包括硅纳米管芯的多层结构及其制作方法-CN200810008557.4有效
发明人：卓恩宗;赵志伟;彭佳添;刘婉懿;孙铭伟 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-01-23 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了包括硅纳米管芯的多层结构及其制造方法、太阳能电池及形成其的方法、非易失性存储器单元及其制造方法、以及光感测单元及其制造方法。在一实施例中，包括硅纳米管芯的多层结构的制造方法包括步骤：于基底上形成第一导电层，于第一导电层上形成富硅介电层，至少对富硅介电层进行激光退火步骤，使富硅激发产生聚集，以于富硅介电层中形成多个硅纳米管芯。富硅介电层折射系数大体上为1.47～2.5的富硅氧化层，或折射系数约为1.7～2.5的富硅氮化层，包括硅纳米管芯的多层结构可用于太阳能电池、光侦测器、触控显示器、非易失性存储器元件的储存节点或液晶显示器。
包括纳米管芯多层结构及其制作方法

[发明专利]薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法-CN200410008523.7有效
发明人：罗方祯;刘婉懿;许建宙 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2004-03-11 - 公布日： 2005-01-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法。其中，薄膜晶体管主要是由一基板、一栅极、一栅介电层、一通道层以及一源极/漏极所构成。此薄膜晶体管的制造方法主要首先在基板上形成栅极。接着，在基板上形成栅介电层，且栅介电层覆盖栅极。之后，在栅极上方的栅介电层上形成通道层，且通道层的材质为浅掺杂非晶硅。最后，于通道层上形成互相分离的源极/漏极。此薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法可增加开启状态电流与通道区的电子迁移率。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]降低半导体组件中二硅化钴层的电阻值的方法-CN03138695.4有效
发明人： 刘婉懿;陈政顺 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-06-03 - 公布日： 2004-12-08 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低半导体组件中二硅化钴层的电阻值的制造方法。首先，形成一金属钴层于一硅衬底上。再进行两次退火处理。第一次退火处理是先将金属钴层转变成一硅化钴(CoSi)层。然后，形成一覆盖层于硅化钴层上方，厚度约在1000至3000，以抑制硅化钴晶粒在后续高温工艺中再生长。接着，再进行第二次退火处理，将硅化钴层转变成二硅化钴(CoSi2)层。
降低半导体组件中二硅化钴层阻值方法

[发明专利]快闪存储胞形成方法-CN01142998.4有效
发明人：张炳一;刘婉懿 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2001-12-05 - 公布日： 2003-06-11 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：本发明有关一种具有埋置式扩散区氧化层的存储胞的形成方法,此方法至少包含下列步骤。首先提供一底材,该底材具有一闸极氧化层与一第一导体层于其上,接着形成数个沟渠进入该闸极氧化层与该第一导体层以曝露出该底材。然后以一介电材料填满该沟渠,且达一特定高度以形成一扩散区氧化层并部份移除该第一导体层使其降低厚度达一比该特定高度还低的特定值及形成一第二导体层覆盖该第一导体层与该介电材料。
闪存形成方法

[发明专利]一种形成闪存晶胞的方法-CN01125090.9有效
发明人：张炳一;刘婉懿;巫淑丽 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2001-08-03 - 公布日： 2003-03-05 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明提供一种形成一闪存晶胞的方法，至少包含下列步骤。首先，提供一底材；然后，依序形成一第一多晶硅层和一氮化层在底材上；接着，移除部分的氮化层和第一多晶硅层以形成数个洞并暴露出底材；下一步，在这些洞内形成一隔离介电质，其中隔离介电质在这些洞的一侧壁处呈现凸起状，且隔离介电质高于第一多晶硅层；然后，移除在第一多晶硅层上的氮化层；最后，正形地形成一第二多晶硅层在第一多晶硅层和隔离介电质上。
一种形成闪存晶胞方法

[发明专利]浅沟渠隔离结构的制造方法-CN01120412.5无效
发明人： 刘婉懿 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2001-07-12 - 公布日： 2003-02-12 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明是关于一种浅沟渠隔离结构的制造方法，此方法提供一个基底，首先在基底上依序形成垫氧化层以及罩幕层，再定义此基底，以在基底中形成沟渠。接着，用具备高蚀刻/沉积比的高密度等离子体化学气相沉积工艺，其中高密度等离子体化学气相沉积工艺的蚀刻/沉积比为0.15至0.6左右，在基底上形成覆盖基底并填满沟渠的绝缘层。然后除去沟渠外的绝缘层，再依序除去罩幕层以及垫氧化层，以形成浅沟渠隔离结构。
沟渠隔离结构制造方法

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