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[发明专利]作为抗精神病药物的哌嗪取代的苯并噻吩衍生物-CN201280043980.2有效
发明人：山下博司;樱井庸二;宫本素行;中村祐一;黑田英明;箕轮卓也 -专利权人：大塚制药株式会社
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C07D409/12 文献下载
摘要：本发明提供一种在例如芝麻油和苯甲酸苄醋的油中具有改善的溶解度的、优异的新型杂环化合物及其应用，该杂环化合物具有更广泛的治疗范围，引起更少的副作用，且耐受性和安个性优异。由通式(1)表示的杂环化合物或其盐，其中，每个符号如在申请文件中所定义。
作为精神病药物取代噻吩衍生物

[发明专利]用于治疗CNS疾病的4-哌嗪-1-基-4-苯并[B]噻吩衍生物-CN201110441429.0无效
发明人：山下博司;松原淳;大岛邦生;黑田英明;伊藤展明;清水聪;近藤一见;丝谷元宏;福岛多惠 -专利权人：大塚制药株式会社
申请日： 2006-08-31 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C07D409/12 文献下载
摘要：本发明公开了由通式(1)表示的用于治疗CNS疾病的4-哌嗪-1-基-4-苯并[B]噻吩衍生物或其盐，其中R2表示氢原子或低级烷基；A表示低级亚烷基或低级亚链烯基；以及R1表示芳基或杂环基。本发明的化合物对包括中枢神经系统疾病的精神疾病具有宽的治疗谱，无副作用且具有高安全性。
用于治疗 cns 疾病哌嗪噻吩衍生物

[发明专利]用于治疗CNS疾病的4-哌嗪-1-基-4-苯并[B]噻吩衍生物-CN201110442327.0无效
发明人：山下博司;松原淳;黑田英明;伊藤展明;樱井庸二 -专利权人：大塚制药株式会社
申请日： 2006-08-31 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C07D409/12 文献下载
摘要：本发明涉及用于治疗CNS疾病的4-哌嗪-1-基-4-苯并[B]噻吩衍生物。本发明公开了由通式(1)表示的杂环化合物或其盐，其中R2表示氢原子或低级烷基；A表示低级亚烷基或低级亚链烯基；以及R1表示芳基或杂环基。本发明的化合物对包括中枢神经系统疾病的精神疾病具有宽的治疗谱，无副作用且具有高安全性。
用于治疗 cns 疾病哌嗪噻吩衍生物

[发明专利]用于治疗CNS疾病的4-哌嗪-1-基-4-苯并[B]噻吩衍生物-CN201110441086.8无效
发明人：山下博司;黑田英明;福岛多惠;高桥永 -专利权人：大塚制药株式会社
申请日： 2006-08-31 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C07D333/54 文献下载
摘要：本发明公开了由通式(1)表示的用于治疗CNS疾病的4-哌嗪-1-基-4-苯并[B]噻吩衍生物或其盐，其中R2表示氢原子或低级烷基；A表示低级亚烷基或低级亚链烯基；以及R1表示芳基或杂环基。本发明的化合物对包括中枢神经系统疾病的精神疾病具有宽的治疗谱，无副作用且具有高安全性。
用于治疗 cns 疾病哌嗪噻吩衍生物

[发明专利]2,3-二氢-6-硝基咪唑并[2,1-b]噁唑化合物-CN201110416170.4有效
发明人：壶内英继;佐佐木博文;黑田英明;糸谷元宏;长谷川武司;原口佳和;黑田武志;松崎敬之;田井国宪;小松真;松本真;桥诘博之;富重辰夫;清家祐治;川崎昌则;住田卓美;宫村伸 -专利权人：大塚制药株式会社
申请日： 2003-10-10 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C07D498/04 文献下载
摘要：本发明提供由下列通式(1)代表的2，3-二氢-6-硝基咪唑并[2，1-b]唑化合物：其中r¹代表氢原子或c1-6烷基，n代表0至6的整数，r²代表-or³等的基团，r³代表氢原子、c1-c6烷基等，或者r¹和-(ch₂)_nr²可以彼此与其相邻的碳原子通过氮原子键合在一起，构成由下示通式(h)代表的螺环：其中r⁴¹是氢、c1-c6烷基等。本化合物对结核分枝杆菌、多药耐受性结核分枝杆菌和非典型耐酸菌具有优异的杀菌作用。
硝基咪唑化合物

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201010106921.8无效
发明人： 黑田英明 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-01-22 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：扩散层，形成在基板的前表面处；低阻抗部，形成在扩散层的前表面处，并具有低于扩散层的阻抗；以及后接触电极，从基板的后表面贯穿基板以穿过扩散层连接到低阻抗部。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]电声变换器-CN200680043812.8有效
发明人： 黑田英明;园田欣大 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2006-08-07 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H04R17/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电声变换器，该电声变换器能够廉价提供并且不导致零部件数量的增加及制造工序的复杂化，而且能够在整个宽的频率范围内得到大的声压，能够力图薄型化。电声变换器1的第1、第2压电元件6、7配置在框架4的开口部4a内，一端部6a、7a与框架4固定，以悬臂梁形态被支持，并且与框架4及压电元件6、7粘贴柔性薄膜5，使得至少覆盖该压电元件6、7与框架4的间隙，压电元件6、7的与一端部6a、7a相反侧的前端6b、7b形成自由端，前端6b、7b隔开间隔A相对配置。
电声变换器

[发明专利]2,3－二氢－6－硝基咪唑并[2,1－b]唑化合物-CN200710004037.1无效
发明人：壶内英继;佐佐木博文;黑田英明;糸谷元宏;长谷川武司;原口佳和;黑田武志;松崎敬之;田井国宪;小松真;松本真;桥诘博之;富重辰夫;清家祐治;川崎昌则;住田卓美;宫村伸 -专利权人：大塚制药株式会社
申请日： 2003-10-10 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： C07D498/04 文献下载
摘要：本发明提供由下列通式(1)代表的2，3－二氢－6－硝基咪唑并[2，1－b]噁唑化合物：其中R¹代表氢原子或C1－6烷基，n代表0至6的整数，R²代表－OR³等的基团，R³代表氢原子、C1－C6烷基等，或者R¹和－(CH₂)_nR²可以彼此与其相邻的碳原子通过氮原子键合在一起，构成由下示通式(H)代表的螺环：其中R⁴¹是氢、C1－C6烷基等。本化合物对结核分枝杆菌、多药耐受性结核分枝杆菌和非典型耐酸菌具有优异的杀菌作用。
硝基咪唑化合物

[发明专利]用于治疗CNS疾病的4－哌嗪－1－基－4－苯并[B]噻吩衍生物-CN200680032043.1有效
发明人：山下博司;黑田英明;伊藤展明;宫村伸;大岛邦生;松原淳;高桥永;福岛多惠;清水聪;近藤一见;樱井庸二;黑田武志;平良伸一;丝谷元宏;田中达义 -专利权人：大塚制药株式会社
申请日： 2006-08-31 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： C07D409/12 文献下载
摘要：本发明公开了由通式(1)表示的杂环化合物或其盐，其中R₂表示氢原子或低级烷基；A表示低级亚烷基或低级亚链烯基；以及R₁表示芳基或杂环基。本发明的化合物对包括中枢神经系统疾病的精神疾病具有宽的治疗谱，无副作用且具有高安全性。
用于治疗 cns 疾病哌嗪噻吩衍生物

[发明专利]2,3－二氢－6－硝基咪唑并[2,1－b]唑化合物-CN200710004036.7无效
发明人：壶内英继;佐佐木博文;黑田英明;糸谷元宏;长谷川武司;原口佳和;黑田武志;松崎敬之;田井国宪;小松真;松本真;桥诘博之;富重辰夫;清家祐治;川崎昌则;住田卓美;宫村伸 -专利权人：大塚制药株式会社
申请日： 2003-10-10 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： C07D498/04 文献下载
摘要：本发明提供由右列通式(1)代表的2，3－二氢－6－硝基咪唑并[2，1－b]唑化合物，其中R¹代表氢原子或C1－6烷基，n代表0至6的整数，R²代表－OR³等的基团，R³代表氢原子、C1－C6烷基等，或者R¹和－(CH₂)_nR²可以彼此与其相邻的碳原子通过氮原子键合在一起，构成由右通式(H)代表的螺环，其中R⁴¹是氢、C1－C6烷基等。本化合物对结核分枝杆菌、多药耐受性结核分枝杆菌和非典型耐酸菌具有优异的杀菌作用。
硝基咪唑化合物

[发明专利]用于治疗精神疾病的哌嗪取代的苯并噻吩-CN200680011923.0有效
发明人：山下博司;松原淳;大岛邦生;黑田英明;伊藤展明;宫村伸;清水聪;田中达义;高桥永 -专利权人：大塚制药株式会社
申请日： 2006-04-12 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： C07D409/12 文献下载
摘要：本发明提供一种由通式(1)表示的杂环化合物：本发明的化合物对于包括中枢神经系统疾病在内的精神疾病具有广泛的治疗谱，无副作用且具有很高的安全性。
用于治疗精神疾病取代噻吩

[发明专利]2,3－二氢－6－硝基咪唑并[2,1－b]噁唑化合物-CN200380101750.8有效
发明人：壶内英继;佐佐木博文;黑田英明;糸谷元宏;长谷川武司;原口佳和;黑田武志;松崎敬之;田井国宪;小松真;松本真;桥诘博之;富重辰夫;清家祐治;川崎昌则;住田卓美;宫村伸 -专利权人：大塚制药株式会社
申请日： 2003-10-10 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： C07D498/04 文献下载
摘要：本发明提供由下列通式(1)代表的2，3－二氢－6－硝基咪唑并[2，1－b]噁唑化合物，其中R¹代表氢原子或C_1－6烷基，n代表0至6的整数，R²代表－OR³等的基团，R³代表氢原子、C₁－C₆烷基等，或者R¹和－(CH₂)_nR²可以彼此与其相邻的碳原子通过氮原子键合在一起，构成由上示通式(H)代表的螺环，其中R⁴¹是氢、C₁－C₆烷基等。本化合物对结核分枝杆菌、多药耐受性结核分枝杆菌和非典型耐酸菌具有优异的杀菌作用。
硝基咪唑化合物

[发明专利]1－取代的－4－硝基咪唑化合物及其制备方法-CN200380100667.9有效
发明人：后藤文孝;武村宪昭;大谷直明;长谷川武司;壶内英继;宇积尚登;藤田繁和;黑田英明;志津田卓也;佐佐木博文 -专利权人：大塚制药株式会社
申请日： 2003-10-14 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： C07D233/94 文献下载
摘要：一种通式(1)所示1－取代的－4－硝基咪唑化合物，(其中R为氢、低级烷氧基取代的低级烷基、苯基(低级烷氧基)取代的低级烷基、氰基取代的低级烷基、苯环中任选有低级烷氧基取代基的苯基(低级烷基)、或式－CH₂R^A基团；X表示卤原子或式－S(O)n－R¹基团)或其盐。通式(1)化合物适合作为各种药物和农用化学品的中间体，特别是作为抗结核药的中间体。
取代硝基咪唑化合物及其制备方法

[发明专利]一次可编程半导体非易失性存储器件及其制造方法-CN01125482.3有效
发明人：萩原良昭;黑田英明;洼田通孝;中川原明 -专利权人：索尼公司
申请日： 2001-06-27 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种半导体非易失性存储器件及其制造方法，它提高了氧化硅膜的绝缘破坏的再现性和可靠性并且能降低生产成本，其中，排列成矩阵形式的多个存储单元的每个存储单元具有绝缘膜破坏型保险丝，绝缘膜破坏型保险丝包括在半导体衬底上形成的第一导电类型的杂质区、在半导体衬底上形成的覆盖杂质区的第一绝缘膜、在第一绝缘膜中形成的达到杂质区的开口以及从杂质区一侧顺序叠置在开口中的第一导电类型的第一半导体层、第二绝缘膜和第二导电类型的第二半导体层；或者，具有绝缘膜破坏型保险丝，绝缘膜破坏型保险丝包括在具有SOI结构的第一半导体层中的第一导电类型的杂质区、在SOI层上的第一绝缘膜、达到杂质区的开口以及叠置在开口中的第二绝缘膜和第二导电类型的第二半导体层。
一次可编程半导体非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]压电振动器和压电谐振元件-CN00104359.5有效
发明人： 黑田英明;吉田龙平 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2000-03-17 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明提供了一种能陷型压电振动器，它产生厚度切向模，并包含细长的压电元件，该压电元件具有第一和第二纵向相对的端部、设置在第一和第二端部之间从而相互相对的顶部表面和底部表面，以及设置在第一和第二端部附近从而压电元件的厚度分别朝着第一和第二端部逐渐减小的斜面。第一和第二振动电极分别设置在压电元件的顶部表面和底部表面上。第一和第二振动电极位于压电元件的大致中间部分从而相互相对，并且压电元件设置在它们之间以确定构成振动器的相对部分。斜面的粗糙度大于压电基片的顶部表面和底部表面设置在振动电极下面的平坦部分的粗糙度。
压电振动器谐振元件

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