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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]垂直沟道晶体管-CN202210498032.3在审
发明人：卞卿溵;金尚元;金昌炫;申建旭;李昌锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种垂直沟道晶体管包括：第一源/漏电极；第二源/漏电极，在第一方向上与第一源/漏电极间隔开；第一沟道图案，在第一源/漏电极和第二源/漏电极之间；第一栅电极，在第一沟道图案的侧表面上；第一栅绝缘层，在第一沟道图案和第一栅电极之间；以及第一石墨烯插入层，在第一源/漏电极和第一沟道图案之间。
垂直沟道晶体管

[发明专利]垂直沟道晶体管-CN201210107533.0有效
发明人：陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直沟道晶体管，包括基底，包括至少一对相对设置的第一凹槽和第二凹槽；一埋入式位线，设置于第一凹槽的底部；第一源/漏极区，电连接于埋入式位线；第二源/漏极区，紧邻第一凹槽的顶部；一绝缘栅极导线
垂直沟道晶体管

[发明专利]垂直晶体管及其制造方法-CN201510147785.X有效
发明人：卡洛斯·H.·迪亚兹;王志豪;连万益;杨凯杰;汤皓玲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：垂直晶体管包括源极‑沟道‑漏极结构、栅极和栅极介电层。源极‑沟道‑漏极结构包括源极、源极上方的漏极和介于源极和漏极之间的沟道。栅极围绕沟道的一部分。当垂直晶体管是n沟道垂直晶体管时，栅极被配置成提供基本沿着沟道的延伸方向的压缩应变，或当垂直晶体管是p沟道垂直晶体管时，栅极被配置成提供基本沿着沟道的延伸方向的拉伸应变。在一些实施例中，垂直晶体管还包括ILD，当垂直晶体管是n沟道垂直晶体管时，ILD被配置成提供基本沿着沟道的延伸方向的拉伸应变，或者当垂直晶体管是p沟道垂直晶体管时，ILD被配置成提供基本沿着沟道的延伸方向的压缩应变本发明还提供了垂直晶体管的制造方法。
垂直晶体管及其制造方法

[发明专利]垂直晶体管阵列以及形成垂直晶体管阵列的方法-CN202010909151.4在审
发明人： D·C·潘迪;刘海涛;K·M·考尔道 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本申请案涉及一种垂直晶体管阵列，以及一种用于形成垂直晶体管阵列的方法。一种垂直晶体管阵列包括隔开的导柱，其个别地包括个别垂直晶体管的沟道区。水平拉长的导体线将多个所述垂直晶体管的所述导柱的所述沟道区中的个别沟道区直接电耦合在一起。上部源极/漏极区在所述导柱的所述个别沟道区上方，下部源极/漏极区在所述导柱的所述个别沟道区下方，且导电栅极线以操作方式在所述导柱的所述个别沟道区旁边，且互连多个所述垂直晶体管。公开了方法。
垂直晶体管阵列以及形成方法

[发明专利]垂直堆叠的互补场效应晶体管及其制造方法-CN202210243018.9在审
发明人：刘孟淦;杨冠华;李泠;卢年端 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直堆叠的互补场效应晶体管及其制造方法，包括衬底、第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管垂直堆叠在所述衬底上，所述第一晶体管包括第一沟道层，所述第二晶体管包括第二沟道层，所述第一沟道层为采用化学气相沉积法制备的单层MoS2层，所述第二沟道层为采用化学气相沉积法制备的单层WSe2层。通过将两个晶体管垂直堆叠，并配合减小各晶体管中沟道层的厚度，可以极限减小晶体管的布局面积和厚度，从而达到在平面和纵向同时极限微缩的目的。
垂直堆叠互补场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]垂直沟道晶体管以及包括垂直沟道晶体管的存储器件-CN200710087961.0无效
发明人：金真怜;宋基焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-02-23 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，其包括：NMOS垂直沟道晶体管，位于衬底上，并包括围绕垂直p沟道区的p+多晶硅栅电极；和PMOS垂直沟道晶体管，位于衬底上，并包括围绕垂直n沟道区的n+多晶硅栅电极。该NMOS和PMOS垂直沟道晶体管任选地在CMOS操作模式下可工作。
垂直沟道晶体管以及包括存储器件

[发明专利]三维锗及锗硅垂直沟道晶体管的制备方法-CN201910586222.9有效
发明人：赵毅;魏娜;陈冰 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本发明公开了三维锗及锗硅垂直沟道晶体管的制备方法，锗及锗硅垂直沟道晶体管基于积累模式工作，其结构包括三部分：垂直沟道、环绕型栅极和源漏，其中，垂直沟道采用锗纳米柱或垂直环形纳米薄膜，垂直环形纳米薄膜选自锗或锗硅，栅极环绕在垂直沟道四周，栅极层上下的隔离氧化物位置定义晶体管的源漏结构。该方法可应用于三维锗或锗硅垂直沟道阻变晶体管的制备，以及三维阻变晶体管NAND型阵列的制备。
三维垂直沟道晶体管制备方法

[发明专利]静态随机存取存储器装置-CN201610989840.4有效
发明人：李东勋;权兑勇;金洞院 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-11-10 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：一种静态随机存取存储器装置包括第一晶体管、第二晶体管及第三晶体管，所述第一晶体管、第二晶体管及第三晶体管分别用作通门晶体管、下拉晶体管及上拉晶体管。每一晶体管的沟道区可包括垂直堆叠在衬底上的多个半导体片材。用作第一晶体管的沟道区及第二晶体管的沟道区的半导体片材可具有比用作第三晶体管的沟道区的半导体片材大的宽度。
静态随机存取存储器装置

[发明专利]一种垂直沟道晶体管结构及制造方法-CN202210247054.2在审
发明人：黄凯亮;景蔚亮;王昭桂;冯君校;王正波 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种垂直沟道晶体管结构，在源极和介质层之间，以及在漏极和介质层之间均引入接触层，这两个接触层电阻低，掺杂浓度高，与金属接触良好，可以使得源极、漏极和半导体沟道层之间形成欧姆接触，这种结构的垂直沟道晶体管在工作时，电子可以利用波动性直接穿过势垒从源极进入半导体沟道层，以及从半导体沟道层进入漏极，也即实现了电流的遂穿注入，大大降低了垂直沟道晶体管的接触电阻，增大了垂直沟道晶体管的工作电流。
一种垂直沟道晶体管结构制造方法

[发明专利]一种存储器、电子设备-CN202211358555.4在审
发明人：毛淑娟;王桂磊;赵超;戴瑾;项金娟;王祥升;桂文华;于伟 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10B12/10 文献下载
摘要：一种存储器、电子设备，涉及半导体技术领域，该存储器包括至少一个存储单元，所述存储单元包括衬底以及在垂直所述衬底的方向上依次层叠设置的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管作为读取晶体管，所述第二晶体管作为写入晶体管，所述第一晶体管包括第一沟道，所述第一沟道为硅半导体，所述第二晶体管包括第二沟道，所述第二沟道为氧化物半导体。
一种存储器电子设备

[发明专利]环沟道型晶体管及其制备方法-CN202310586741.1在审
发明人：王宗巍;孙经纬;蔡一茂;鲍盛誉;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种环沟道型晶体管及其制备方法，其中的环沟道型晶体管包括沿垂直方向呈圆柱形排列的晶体管单元；其中，所述晶体管单元由内向外依次包括晶体管栅极、环绕所述晶体管栅极设置的栅介质和环绕所述栅介质设置的环形沟道；所述晶体管单元的源极和漏极通过在垂直方向上层叠设置在所述环形沟道外的金属连线引出。本发明能够用于操作三维堆叠的不同行的新型存储器，使得三维堆叠新型存储器成为可能，大幅提高存储阵列的密度，降低对场效应晶体管的驱动能力的要求。
沟道晶体管及其制备方法

[发明专利]垂直堆叠的晶体管结构-CN202211603372.4在审
发明人： S·苏布兰马尼安;H·梅尔腾斯;S·德米恩克 -专利权人： IMEC 非营利协会
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：公开了一种用于由第一沟道层(110)形成第一晶体管结构(10)并由第二沟道层(210)形成第二晶体管结构(20)的方法，其中第一沟道层和第二沟道层被垂直堆叠在衬底(30)上。该方法包括从上方加工第一晶体管结构，随后从背面加工第二晶体管结构。
垂直堆叠晶体管结构

[发明专利]存储器及其制造方法-CN202110757209.2在审
发明人：张魁 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种存储器及其制造方法，所述存储器包括：衬底；所述衬底表面包括多个晶体管的晶体管阵列；所述晶体管的导电沟道在垂直于衬底表面的方向延伸；存储层；所述存储层位于每个所述晶体管的导电沟道的一侧，且与所述晶体管的导电沟道相连通，用于存储电荷以及与相连通的所述导电沟道进行电荷传递。
存储器及其制造方法

[发明专利]垂直堆叠晶体管和包括垂直堆叠晶体管的显示设备-CN201910007151.2有效
发明人：金兑映;朴钟宇;权赫寅;金旲桓;金熙中;洪世永 -专利权人：三星显示有限公司;中央大学校产学协力团
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：本发明构思公开了一种垂直堆叠晶体管和包括垂直堆叠晶体管的显示设备。所述垂直堆叠晶体管包括：位于垂直方向上的第一晶体管和第二晶体管，其中所述第一晶体管包括在所述垂直方向上顺序堆叠的第一栅电极、第一绝缘层、第一电极、第一沟道和第二电极，并且所述第二晶体管包括在所述垂直方向上顺序堆叠的第二栅电极、第二绝缘层、第三电极、第二沟道和第四电极，其中所述第二栅电极和所述第二电极是同一电极。
垂直堆叠晶体管包括显示设备

[发明专利]纳米片晶体管堆叠-CN202080048698.8在审
发明人：戈立新;陆叶;J·J·朱 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：呈现了用于堆叠内的不同类型的非平面晶体管的方法和装置。该装置包括p型晶体管和n型晶体管，该p型晶体管和n型晶体管以堆叠方式垂直布置在衬底上方，p型晶体管和n型晶体管为非平面晶体管。p型晶体管包括p型沟道(210)和第一功函数层集合(213)。第一功函数层集合包围p型沟道。基于第一功函数层集合，p型沟道被配置为用于p型导电。n型晶体管包括n型沟道(220)和第二功函数层集合(223)。第二功函数层集合包围n型沟道。基于第二功函数层集合，n型沟道被配置为用于n型导电。第一功函数层集合和第二功函数层集合不同。
纳米晶体管堆叠

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