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[发明专利]涂覆有UV胶的元器件的回收方法-CN202110291561.1在审
发明人：张玉良;赵东峰;李莹;韩兴君;蔡璐;饶轶 -专利权人：歌尔股份有限公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供一种涂覆有UV胶的元器件的回收方法，利用弱碱性溶剂浸泡待回收的涂覆有UV胶的元器件；其中的元器件的表面包覆有由底层包裹材料形成的纳米级薄层，UV胶固化在所述纳米级薄层外；所述弱碱性溶剂用于溶解所述底层包裹材料；然后通过超声清洗去除所述UV胶，以回收所述元器件。利用本发明，能够在不损伤元器件的基础上简单高效的去除元器件表面的UV胶层，提高元器件的利用率。
涂覆有 uv 元器件回收方法

[发明专利]晶片叠层体、器件晶片及承载晶片的粘合及剥离处理方法-CN201310462164.1无效
发明人：蔡成芫;徐荣得;安兴基;太景燮;金光武 -专利权人：怡诺士有限公司
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及包含接合于如承载晶片等支撑体上的器件晶片的叠层体、上述承载晶片和器件晶片的粘合及剥离方法，更为详细地，涉及一种无上述器件晶片的损伤地能够进行粘合及剥离处理的叠层体，包括：器件晶片；保护层，其形成于上述器件晶片的一面；承载晶片，其用于支撑上述器件晶片；填充层，其形成于上述承载晶片的一面；以及光分解层，其形成于上述填充层上的一部分，与上述保护层相接触，来使器件晶片与承载晶片临时接合。
晶片叠层体器件承载粘合剥离处理方法

[实用新型]光反射器件及激光加工设备-CN202122988302.2有效
发明人：周石城;黄东海;邱友红;郑付成;高云峰 -专利权人：大族激光科技产业集团股份有限公司;深圳市大族贝瑞装备有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： B23K26/064 文献下载
摘要：本申请适用于光学器件技术领域，提供一种光反射器件及激光加工设备，所述光反射器件包括：反射空间，所述反射空间设有开口；所述开口沿平行于所述出光器件的出光方向的方向，朝向所述出光器件；所述反射空间设有第一反射面和第二反射面；所述第一反射面相对所述出光方向倾斜设置，以将从所述出光器件出射的光反射至所述第二反射面。本申请的实施例提供的光反射器件能消耗光的能量以防止光对加工设备造成损伤。
反射器件激光加工设备

[发明专利]功率器件的制造方法及功率器件-CN201410043913.1在审
发明人：李理;马万里;赵圣哲 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-01-29 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种功率器件的制造方法及功率器件，其中制造方法包括：在形成有截止环、划片道区、分压区和有源区的半导体芯片上，对所述截止环和划片道区进行刻蚀，以去除所述截止环和划片道区的设定厚度；在所述截止环和划片道区的表面注入离子，以形成损伤层。本发明提供的功率器件的制造方法及功率器件能够解决现有的功率器件的截止环占用面积较大的问题，以提高半导体芯片的利用率。
功率器件制造方法

[发明专利]无损伤无污染的石墨烯器件的制造方法-CN201610287852.2在审
发明人：李佳;芦伟立;房玉龙;尹甲运;王波;张志荣;郭艳敏 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种无损伤无污染的石墨烯器件的制造方法，涉及半导体技术领域。本发明包括以下步骤：一、在衬底上形成源极、栅极、漏极；二、在带有电极的衬底上生长所需的介质材料；三、在步骤二上生长石墨烯。本发明是先制作石墨烯器件工艺中所需的电极、介质等，最后生长石墨烯材料，形成石墨烯器件，避免了石墨烯材料在器件加工过程中受损和污染，提高石墨烯器件的性能。
损伤无污染石墨器件制造方法

[发明专利]发光器件、显示面板及制备方法-CN202310003117.4在审
发明人：曲连杰;杨瑞智;赵合彬;邱云;刘曼元 -专利权人：北京京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本申请公开一种发光器件、显示面板及制备方法，涉及光源技术领域，能够减少发光器件的打件次数，减少打件工艺对器件和驱动背板的损伤，进而提发光器件应用的产品良率。一种发光器件，包括：至少两层发光集成层，至少两层所述发光集成层用于分别发出不同颜色的光线；至少两层所述发光集成层在膜厚方向上层叠设置，至少两层所述发光集成层的发光面积不同。
发光器件显示面板制备方法

[发明专利]一种半导体器件及制备方法-CN201910105817.8有效
发明人：王俊;周立;谭少阳;赵智德;肖啸;吴涛 -专利权人：苏州长光华芯光电技术有限公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及制备方法，包括：衬底；若干发光单元，设置于衬底上，若干发光单元间隔设置，发光单元内发光点的宽度与发光单元的周期比值在80％～95％范围内。通过实施本发明，可以有效降低芯片串联电阻，进而使得该半导体器件在大工作电流条件下，可以提高半导体器件的电光转换效率，并且实现在相同功率输出时有利于减小该半导体器件的光谱半高宽及半导体器件材料的损伤。
一种半导体器件制备方法

[实用新型]一种元器件非硅自吸附盒-CN202021614324.1有效
发明人：周迪葵 -专利权人：湖南省益思迪科技有限公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： B65D25/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种元器件非硅自吸附盒。所述元器件非硅自吸附盒(1000)包括下盖(120)、托盘(200)、灌胶部(300)以及上盖(110)，所述上盖(110)与所述下盖(120)枢轴连接而形成容纳空间(130)，所述托盘(200)设置在所述下盖根据本实用新型的元器件非硅自吸附盒，其可提高元器件的运输安全性，防止元器件受到污染和损伤。
一种元器件吸附

[发明专利]半导体器件制造方法-CN201510514552.9在审
发明人：叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅介质层和第一非晶沟道层；减薄第一非晶沟道层；刻蚀第一非晶沟道层、栅介质层直至暴露衬底；在第一非晶沟道层和衬底上形成第二非晶沟道层；退火，使得第一非晶沟道层和第二非晶沟道层转变为多晶沟道层依照本发明的半导体器件制造方法，沉积非晶厚膜再减薄退火以提高多晶薄膜的晶粒大小，并利用额外的保护层避免侧壁刻蚀损伤，能够有效地降低多晶沟道层的界面态、损伤缺陷，从而提高器件的可靠性。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件制备中低表面损伤的两步干法刻蚀方法-CN202010401018.8在审
发明人：陈鹏;徐儒;潘传真;封建波;谢自力;修向前;陈敦军;刘斌;赵红;张荣;郑有炓 -专利权人：南京大学;国网山东省电力公司电力科学研究院
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件制备中低表面损伤的两步干法刻蚀方法，其步骤包括：(1)器件表面清洁；(2)高速的纵向ICP干法刻蚀；(3)低速的纵向ICP干法刻蚀；其特征在于：步骤(2)中的RF功率在步骤(3本发明通过先后采用两套不同的刻蚀功率，实现两步刻蚀，机理主要是在ICP刻蚀接近器件设计深度时，将主要刻蚀机制从离子轰击效应更换为表面离子化学反应，依靠小动能的表面化学反应，完成最后的刻蚀结构，从而将表面刻蚀损伤降低到最小范围
半导体器件制备表面损伤两步干法刻蚀方法

[发明专利]一种背沟道蚀刻型的薄膜电晶体及其制作方法-CN202111034085.1有效
发明人：葛世民 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：一种背沟道蚀刻型的薄膜电晶体(thin‑film transistor,TFT)及其制作方法，在蚀刻TFT之源极及漏级的过程中，通过使用含有氟元素的双氧水系铜酸作为蚀刻液，能够在蚀刻源极及漏极的同时去除背沟道处受损伤的氧化物半导体层，解决了传统TFT器件中氧化物半导体层损伤而导致器件电性稳定性差的问题，在完成蚀刻后，再通过具有氧元素的气体或是氟元素的气体对所述背沟道进行修复，填补了背沟道处因蚀刻而产生的过量的氧空位，进一步地增加了TFT器件的电性稳定性。
一种沟道蚀刻薄膜电晶体及其制作方法

[实用新型]一种光纤锁模激光器用的可饱和吸收体器件-CN201520905880.7有效
发明人：王勇刚;段利娜;李璐;王茜 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01S3/098 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光纤锁模激光器用的可饱和吸收体器件，包括光纤头一、光纤头二、法兰盘和云母衬底，所述光纤头一与光纤头二通过法兰盘固定连接，所述云母衬底固定在光纤头一和光纤头二之间，所述云母衬底上固定有至少一层的可饱和吸收体层本实用新型解决了现有的可饱和吸收体器件损伤阈值比较低、对传输光的调制能力弱的技术问题，本实用新型提供一种光纤锁模激光器用以云母为衬底的可饱和吸收体器件，即可抗强光损伤又可达到较高调制能力。
一种光纤激光器用饱和吸收体器件

[实用新型]一种适用于光纤放大器的新型盘纤固定装置-CN202020989032.X有效
发明人：徐杰 -专利权人：无锡恒纳信息技术有限公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01S3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用于光纤放大器的新型盘纤固定装置，涉及光传输领域，包括：模块底座和置于模块底座上的无源器件层、光纤束、C形护套和粘性绷带，无源器件层输入、输出的光纤束固定在C形护套中，粘性绷带设置在无源器件层和本申请采用柔性C形护套和粘性绷带的配合能够固定光纤束并且有效避免光纤损伤，而且C形护套的固定位置和数量根据不同模块空间可以灵活设计，大幅提高了光纤类产品的组装效率，降低光纤损伤几率，提高光纤放大器的可靠性
一种适用于光纤放大器新型固定装置

[实用新型]一种维护器件的安装结构-CN202221353625.2有效
发明人：李超凡;郭尧东 -专利权人：苏州英维克温控技术有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及设备安装技术领域，公开了一种维护器件的安装结构。维护器件的安装结构包括固定部、限位座、插销及结构件。固定部具有用于安装维护器件的安装平面，限位座设置于安装平面上，限位座上设置有插接孔，插销设置于维护器件一侧，被配置为可与插接孔插接配合，结构件设置于维护器件损伤与插销相对的另一侧，结构件用于实现维护器件与固定部之间的连接固定本实用新型的维护器件的安装结构，固定结构简单，且便于在狭小空间内实现维护器件的拆装。
一种维护器件安装结构

[发明专利]等离子体刻蚀方法及等离子体刻蚀后处理方法-CN201810317249.3在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供等离子体刻蚀方法及等离子体刻蚀后处理方法，包括如下步骤：1）提供一待刻蚀目标材料层；2）于待刻蚀目标材料层的表面形成图形化掩膜层；3）依据图形化掩膜层对待刻蚀目标材料层进行干法刻蚀，以在待刻蚀目标材料层内形成凹槽，凹槽的内表面形成有第一损伤层；4）使用第一处理气体对第一损伤层进行第一次刻蚀后处理，第一次刻蚀后处理后凹槽的内表面形成有第二损伤层；5）使用第二处理气体对第二损伤层进行第二次刻蚀后处理，第二次刻蚀后处理后凹槽的内表面残留有第二损伤层残留层本发明可以防止形成的半导体元器件的电器性能不良及物理性能不良，进而确保半导体元器件的可靠性。
刻蚀后处理损伤层等离子体刻蚀目标材料层内表面半导体元器件处理气体后凹槽表面形成图形图形化掩膜层电器性能干法刻蚀物理性能残留层掩膜层残留