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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种IGBT功率器件-CN201811147326.1在审
发明人：刘磊;刘伟;毛振东;袁愿林 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：功率器件，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的至少一个栅沟槽；位于所述栅沟槽中的栅介质层、第一控制栅、第二控制栅、隔离介质层和屏蔽栅；位于所述半导体衬底中且靠近所述第一控制栅一侧的体区；位于所述体区中的发射极区；位于所述体区上方的一个发射极接触孔，所述发射极接触孔延伸至所述栅沟槽上方，所述体区、所述发射极区、所述第一控制栅和所述屏蔽栅均通过所述发射极接触孔中的发射极金属层外接发射极电压。
一种 igbt 功率器件

[发明专利]IGBT功率器件-CN201811147957.3在审
发明人：刘伟;袁愿林;刘磊;毛振东 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于IGBT功率器件技术领域，具体公开了一种IGBT功率器件，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的至少一组相邻的第一栅沟槽和第二栅沟槽；位于所述第一栅沟槽和第二栅沟槽之间的体区；位于所述体区中的发射极区；分别位于所述第一栅沟槽和第二栅沟槽中的栅介质层和控制栅；位于所述体区上方的一个发射极接触孔，所述发射极接触孔延伸至所述第一栅沟槽上方，所述体区、所述发射极区和所述第一栅沟槽中的控制栅均通过所述发射极接触孔中的发射极金属层外接发射极电压
igbt 功率器件

[发明专利]一种IGBT器件及整晶圆IGBT芯片的封装方法-CN201310331846.9有效
发明人：李继鲁;吴煜东;彭勇殿 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2013-08-01 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT器件及整晶圆IGBT芯片的封装方法，所述IGBT器件包括：整晶圆IGBT芯片，其上表面包括：中心栅极连接区以及包围所述中心栅极连接区的多个发射极连接区，其下表面包括：集电区，其中，位于所述芯片失效元胞区表面的发射极连接区经过减薄处理；固定在所述芯片下表面的集电极垫片以及固定在所述芯片上表面的发射极垫片；与所述集电极垫片电接触的集电极电极以及与所述发射极垫片电接触的发射极电极；与所述中心栅极连接区连接的栅极引出线，所述栅极引出线与所述发射极垫片以及发射极电极绝缘。
一种 igbt 器件整晶圆芯片封装方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201310155837.9有效
发明人：南正范;郑寅道;郑一炯;金真阿 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2016-12-28 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：太阳能电池包括基板；包括具有第一薄膜电阻的轻掺杂发射极区域和具有比所述第一薄膜电阻小的第二薄膜电阻的重掺杂发射极区域的发射极区域；位于所述发射极区域上的第一电介质层；包括沿第一方向位于所述重掺杂发射极区域上的第一指状电极和沿第二方向位于所述轻掺杂发射极区域上的第一汇流条电极的第一电极所述第一指状电极包括接触所述重掺杂发射极区域的籽晶层和形成在所述籽晶层上的导电金属层，并且所述第一汇流条电极包括导电金属颗粒和热固性树脂。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]场效应半导体装置-CN200310104538.9有效
发明人：西肋克彦;栉田知义 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2003-10-30 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：在场效应半导体装置中，设置于栅极(106)之间的半导体区具有包含N⁺发射极区(104)和P发射极区的条型图案结构。P发射极区由低浓度的P沟道区(103)和高浓度的P⁺发射极区(100)组成。N⁺发射极区(104)、P沟道区(103)和P⁺发射极区(100)与发射极(109)相接触。因此，沟道宽度(X)限制为正常运行状态下足够通过导通电流的宽度。
场效应半导体装置

[发明专利]一种太阳能电池-CN202310072596.5有效
发明人：刘成法;吴晓鹏;张雅倩;邹杨;陆玉刚;张帅;陈红;陈达明;陈奕峰 -专利权人：天合光能股份有限公司;天合光能（宿迁）光电有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本申请涉及一种太阳能电池，其包括：具有第一表面和第二表面的N型硅基体，形成于所述第一表面的隧穿钝化结构和第一钝化减反膜，形成于所述第二表面的硼掺杂的发射极结构层，所述发射极结构层包括第一发射极层和第二发射极区域，形成于所述发射极结构层上的第二钝化减反膜，第一电极，所述第一电极经配置为与所述第二发射极区域电接触；第二电极，第二电极经配置为与所述隧穿钝化结构电接触。本申请的太阳能电池具有选择性发射极结构，金属接触区域结深大，满足金属化需求；非金属接触区结深浅，提升光学响应。
一种太阳能电池

[发明专利]半导体装置-CN202010115755.1有效
发明人：梅本康成;大部功;井手野馨;小屋茂树 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：在基板上配置有集电极层、基极层、发射极层，在发射极层的一部分的区域上配置有发射极台面层。在俯视时在与发射极台面层不重叠的区域配置有基极电极。基极电极向基极层流过基极电流。在俯视时，发射极台面层的边缘的一部分即第1边缘沿第1方向延伸，基极电极的边缘的一部分即第2边缘与第1边缘对置，发射极台面层的、位于第1方向的一个端部侧的末端部分的第1边缘与第2边缘的间隔比发射极台面层的中间部分的间隔大
半导体装置

[发明专利]InGaAs/InP HBT中亚微米发射极的湿法腐蚀方法-CN200810104227.5无效
发明人：金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-04-16 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种InGaAs/InP HBT中亚微米发射极的湿法腐蚀方法，包括：A.选择合适的发射极InGaAs盖帽层厚度的HBT外延片；B.在该外延片上旋涂光刻胶；C.光刻、显影，制作发射极的图形；D.蒸发发射极金属；E.在有机溶液中剥离金属；F.用磷酸基的腐蚀液腐蚀InGaAs盖帽层；G.用盐酸基的腐蚀液腐蚀发射极InP层。本发明利用发射极InGaAs盖帽层的厚度来控制发射极的侧向腐蚀，InGaAs层的厚度由MBE等外延生长设备进行控制，精度非常高，因此侧向腐蚀的可控性好。
ingaas inp hbt 中亚微米发射极湿法腐蚀方法

[发明专利]半导体装置-CN201110310003.1无效
发明人：谷高真一;后藤胜敏 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2011-10-13 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：该半导体装置(1)具有多个绝缘栅型的开关单元即IGBT单元(10)，对各IGBT单元(10)的栅极(20)施加栅极-发射极电压(Vge)，使与该栅极-发射极电压(Vge)相应的集电极-发射极电流(Ice)流向以覆盖各IGBT单元(10)的方式设置的共同的发射极(22)，并且将接合引线(32)接合于该发射极(22)，与因从所述接合引线(32)的接合位置即接合部(34)离开的距离不同而形成差异的各IGBT单元(10)的所述栅极-发射极电压(Vge)相应地，改变各IGBT单元(10)的与互感相关的系数(Kp)，使得所述IGBT单元(10)各自的集电极-发射极电流(Ice)大致相等。
半导体装置

[发明专利]双频带振荡器-CN02106872.0无效
发明人：五十岚康博 -专利权人：阿尔卑斯电气株式会社
申请日： 2002-03-06 - 公布日： 2002-10-16 - 主分类号： H03B5/24 文献下载
摘要：本发明提供一种双频带振荡器,不增加特别电路及器件就可简单地防止振荡晶体管发射极偏压电阻产生的振荡功率的下降。将设定第一振荡电路1中的第一振荡晶体管2的发射极电流的第一发射极偏压电阻6,插装在第一振荡晶体管2的发射极和第二振荡电路21的第二电感元件29之间,而将设定第二振荡电路21中的第二振荡晶体管22发射极电流的第二发射极偏压电阻26插装在第二振荡晶体管22发射极和第一振荡电路1中的第一电感元件9之间。
双频振荡器

[发明专利]晶体管-CN85105124.3无效
发明人：田中忠彦 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 1985-07-04 - 公布日： 1989-07-19 - 主分类号： H01L29/70 文献下载
摘要：本发明提供一种具有在网状发射极区(22)进行接触的第1发射极电极(26)及在岛状基极接触区(23)进行接触的第1基极(25)和设置在层间绝缘膜(27)上面分别与上述的第1发射极电极(26)和第1基极(25)联结的第2发射极电极(29)和第2基极电极(28)，上述第2发射极电极(29)及上述第2基极电极(28)形成梳齿状，使上述第2发射极电极(29)和上述第1发射极电极(26)在每个梳齿上进行带状的接触，
晶体管

[实用新型]可焊接MWT电池-CN201320755835.9有效
发明人：徐娟 -专利权人：江阴鑫辉太阳能有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可焊接MWT电池，它包括基板（1），基板（1）正面的正电极通过打孔引至基板（1）背面形成发射极（2），所述发射极（2）呈阵列布置，所述基板（1）背面的背电极（3）呈阵列布置，背电极（3）与发射极（2）错位布置，横向一行发射极（2）外覆盖有横向绝缘带（4），最左侧或者最右侧的发射极（2）外侧的横向绝缘带（4）之间连接有竖向绝缘带（5），横向的一行背电极（3）通过背电极焊带（6）连接，所述横向绝缘带（4）上通过横向焊带（7）将各个发射极（2）连接，所述竖向绝缘带（5）上通过竖向焊带（8）将各个发射极（2）连接。
焊接 mwt 电池

[发明专利]绝缘栅双极晶体管-CN200580024082.2有效
发明人：田中宏明;河路佐智子 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2005-06-03 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：⁺集电极区(22)、集电极区上形成的n^－漂移区(24)、漂移区上形成的p^－体区(26)、以及体区中形成的多个n⁺发射极区发射极区连接到发射极。多个沟槽栅极(32)形成于体区中。每个沟槽栅极通过绝缘层(34)与将漂移区和发射极区隔开的那部分体区相对。体区被分为多个体区段，这些体区段被划分为两组。一组(26a)在体区段中带有发射极区，另一组(26b)在体区段中不带发射极区。多个第一沟槽(35a、35b、35c)形成于不带发射极区的体区段中。
绝缘双极晶体管

[发明专利]半导体异质结构-CN200580038404.9无效
发明人：马克西姆·欧得诺莱多夫;弗拉德斯拉夫·鲍格诺夫 -专利权人：奥普特冈有限公司
申请日： 2005-09-19 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种应变半导体异质结构(10)包括：注入区，其包括具有p型传导性的第一发射极层(11)和具有n型传导性的第二发射极层(12)；以及光产生层(13)，其位于第一发射极层(11)和第二发射极层(12)之间。电子俘获区(14)位于光产生层(13)和第二发射极层(12)之间，该电子俘获区包括邻近第二发射极层的俘获层(16)、以及邻近该电子俘获层的局限层(15)。根据本发明，局限层(15)和俘获层(16)的宽度和材料选择成使俘获层(16)中电子的局域能级中的一个能级和第二发射极层(12)的导带底之间能量差等于光声子的能量。
半导体结构

[发明专利]一种应用电场技术的多功能洗碗机及系统-CN202211066615.5在审
发明人：周水清;王天赐;何兴;金伟娅;高增梁 -专利权人：嵊州市浙江工业大学创新研究院
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： A47L15/42 文献下载
摘要：本发明属于洗碗机技术领域，公开了一种应用电场技术的多功能洗碗机及系统，多功能洗碗机包括发射极、集电极、高压发生器、加热装置、高压发生器和碗架；发射极与集电极竖直设置在洗碗机内腔相对的两侧壁；发射极接高压，集电极接地，工作时在两电极板间形成电场，电场的方向从发射极指向集电极；加热装置，包含有电加热板，安装于与发射极和集电极相邻的一内壁面上；高压发生器安装于洗碗机底部，与发射极通过线路连接；碗架安装于发射极与集电极之间的电场区域中且不与发射极与集电极直接接触
一种应用电场技术多功能洗碗机系统

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