“发射极”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果826699个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]离子发生器及空气净化器-CN202320015726.7有效
发明人：段占波;印文俊 -专利权人：浙江联控技术有限公司;浙江吉利控股集团有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01T23/00 文献下载
摘要：本申请提供一种离子发生器及空气净化器，所述离子发生器包括发射极、接收极、固定架以及设置在发射极上的放电端，所述发射极与所述接收极均为长条状，所述发射极与所述接收极的两端分别与固定架连接。本申请将离子发生器中的发射极与接收极均设置为长条状，使离子发生器整体变薄，同时增大了通风面积，减小了风压与风阻，降低了空气流动所产生的噪音。
离子发生器空气净化器

[实用新型]新型高效热离子电源-CN201220231478.1有效
发明人：张维国 -专利权人：张维国
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H02N3/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型高效热离子电源，其特征在于：发射极（1）采用熔点高于高温热源（7）温度的热电子发射材料制造，接收极（2）采用熔点高于高温热源（7）温度的非热电子发射材料制造，发射极（1）和接收极（2）设在绝热外壳（6）内，发射极（1）和接收极（2）处于同一高温热腔（4）中，发射极（1）与接收极（2）通过导线（9）和导线（10）串接电泵直流电源（11）；高温热源（7）加热发射极（1）导致发射极（1）热电子发射，使得接收极（2）的电动势高于发射极（1）的电势，为热电子向接收极（2）的移动提供额外动力，热电子在接收极（2）的驱动电势和电泵直流电源（11）的诱导电场推动下飞向接收极（2），经过两极间隙，热电子在接收极（2）上被俘获，本实用新型能尽量使各种能源，如利用核能、热能、光能等转化为电离能。
新型高效离子电源

[发明专利]压控开关装置以及开关组件-CN202111136965.X在审
发明人：克里斯蒂安·菲利普·桑多;安东·毛德;弗朗茨-约瑟夫·尼德诺斯切德 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01H9/00 文献下载
摘要：本发明公开了压控开关装置和开关组件，其中压控开关装置(500)包括：形成在具有横向截面面积AQ的半导体部分(100)中的漏极/漂移结构(130)；源极/发射极端子；以及在漏极/漂移结构(130)与源极/发射极端子之间的发射极沟道区(120)。电阻路径(900)将源极/发射极端子和发射极沟道区(120)电连接。
开关装置以及组件

[实用新型]一种HBT器件-CN202222599279.2有效
发明人：李元铭;蔡宗叡 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种HBT器件，其半导体结构由下至上包括衬底、集电极区、基极区和发射极区；所述基极区包括P+InGaAs基极层，所述发射极区由下至上包括GaAs发射极层、N‑InGaAs层、N+InGaAs层和N+InGaNAs接触层；发射极电极设于N+InGaNAs接触层上。采用N+InGaNAs材料作为发射极接触层，利用In的成分来降低能隙、并利用N的成分来降低能隙，具有更低的发射极接触电阻，实现改善截止频率、Vsat、Beta值等作用。
一种 hbt 器件

[实用新型]扁平发射极-CN201420212568.5有效
发明人： J·弗罗伊登伯格;J·福尔斯特;F·格思莱恩;G·拉波塔;G·罗里克;M·索伊弗特 -专利权人：西门子公司
申请日： 2014-02-25 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01J35/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种扁平发射极，包括在施加加热电压的情况下发射电子的发射平面(2)、具有第一支撑杆(5)的第一末端区(3)、和具有第二支撑杆(6)的第二末端区(4)，其特征在于，至少第一支撑杆(5)具有沿纵向延伸的变细的部分这种扁平发射极设计结构简单并且在同时具有较长寿命的情况下具有大的电子发射能力。
扁平发射极

[发明专利]自举式双输入直流变换器-CN201310011318.5有效
发明人：孙孝峰;王炜;王宝诚;李昕 -专利权人：燕山大学
申请日： 2013-01-14 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：一种自举式双输入非隔离直流变换器，它包括：半桥变换器1：输入源Vin1并联电容C1，电容C1的正极接主开关S11的集电极，电容C1的负极接主开关S12的发射极，主开关S11的发射极接主开关S12的集电极；半桥变换器2：输入源Vin2并联电容C2，电容C2的正极接主开关S11的集电极，电容C2的负极接主开关S22的发射极，主开关S21的发射极接主开关S22的集电极；主开关S11的发射极接主开关S21的发射极；辅助开关组3：它是由两个开关管SC1和SC2构成，开关管SC1和SC2共集电极连接，开关管SC1的发射极接开关管S22的发射极，开关管SC2的发射极接开关管S12的发射极；开关管S11的集电极是变换器的输出正极，开关管S22的发射极是变换器的输出负极。
举式双输入直流变换器

[发明专利]太阳能电池和单侧接线的太阳能电池模块-CN200980133366.3无效
发明人： D·比罗;N·明吉鲁利;F·克莱门特;R·普罗伊;R·韦尔 -专利权人：弗朗霍夫应用科学研究促进协会
申请日： 2009-08-25 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池，尤其是用于在太阳能电池模块中接线的太阳能电池，包括至少一个金属的基极触点、至少一个金属的发射极触点(5)以及半导体结构，所述半导体结构具有至少一个基极区域和至少一个发射极区域(3)，其中，所述基极区域(2)和发射极区域(3)至少部分地彼此邻接以形成pn结，所述基极触点(6)与所述基极区域(2)导电连接，所述发射极触点(5)与所述发射极区域(3)导电连接，所述基极触点(6)和发射极触点重要的是，太阳能电池具有多个金属的发射极触点和多个金属的基极触点，所述多个金属的发射极触点分别与一个发射极区域(3)导电连接，所述多个金属的基极触点分别与一个基极区域(2)导电连接，其中，所述发射极触点(5)在背向发射极区域(3)的一侧上彼此间不导电连接，所述基极触点在背向基极区域(2)的一侧上彼此间不导电连接。
太阳能电池接线模块

[发明专利]具有垂直集成的电阻器的双极结型晶体管-CN202180083393.5在审
发明人： A·雷兹尼克;B·赫克马特肖尔塔巴里;K·巴拉克里希南 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：公开了垂直双极结型晶体管(VBJT)，每个VBJT具有以不同的电路配置连接在电路中的一个或多个电阻器。VBJT具有发射极子结构，该发射极子结构包括发射极层、集电极、本征基极、一个或多个掺杂外延区以及一个或多个电阻器。本征基极、(多个)掺杂外延区和(多个)电阻器在发射极层和集电极之间的沟道中堆叠在一起。描述了各种电路配置和结构，包括共集电极电路、共发射极电路和发射极退化电路。公开了制造这些配置/结构的方法。
具有垂直集成电阻器双极结型晶体管

[发明专利]异质结双极型晶体管及其制造方法-CN200710091367.9有效
发明人： F·帕基特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-03-30 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进的异质结双极型晶体管(HBT)结构以及形成结合具有递变的锗分布的硅锗层发射极层的结构的方法。递变的锗浓度在发射极层的中性区中形成准漂移场。该准漂移场引起发射极层内的价带隙梯度，以加速从基极层穿过发射极层的空穴的运动。从基极层穿过发射极层的空穴的加速运动减小了发射极的延迟时间并因此增加了形成的HBT的截止频率(f_T)和最大振荡频率(f_MAX)。
异质结双极型晶体管及其制造方法

[发明专利]一种多晶硅发射极BiCMOS工艺中减小发射极电阻的NPN管结构-CN201310486534.5有效
发明人：朱光荣;张炜 -专利权人：无锡市晶源微电子有限公司
申请日： 2013-10-16 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅发射极BiCMOS工艺中减小发射极电阻的NPN管结构，在已经成形的纵向NPN管发射极的复合栅结构多晶硅表面，注入N+扩散区的掺杂杂质，注入区的尺寸大于等于BiCMOS工艺的光刻特征尺寸本发明在不增加制造成本和牺牲器件性能的前提下，大大减小多晶硅发射极纵向NPN三极管的发射极电阻，且能够让发射极电阻随着发射区面积的增加而呈线性降低。
一种多晶发射极 bicmos 工艺减小电阻 npn 结构

[实用新型]一种移动机器人自动充电桩-CN201922418472.X有效
发明人：赵福海 -专利权人：天津联汇智造科技有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种移动机器人自动充电桩，包括控制箱、发射极和接收极；发射极的前端为倾斜面，发射极上表面设有发射极开口，发射极开口内设有发射极电极；接收极底面设有接收极开口，接收极开口内设有接收极电极；接收极电极为倒U型，接收极电极的两个端部向外水平延伸形成安装部，接收极电极的倒U型部分突出于接收极开口下表面，接收极内部的底面上设有安装杆，安装杆上设有限位座，安装杆上套设有弹簧和接收极电极安装部，弹簧的一端抵接在限位座上，弹簧的另一端抵接在接收极电极的安装部。本实用新型的移动机器人自动充电桩，因为有弹簧机构的存在，当发射极和接收极对接时，能够确保双方电极紧密接触，确保充电过程中的电流持续稳定。
一种移动机器人自动充电

[实用新型]一种电容笔笔芯及电容笔-CN202220301482.4有效
发明人：付湘波 -专利权人：深圳华悦科技有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G06F3/0354 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电容笔笔芯及电容笔，包括笔芯PCB板和支撑件；笔芯PCB板包括连接部、第一延伸部和第二延伸部；第一延伸部上通过金属包边工艺形成有第一地极；第二延伸部的中部通过金属包边工艺形成有第一发射极，第二延伸部远离第一延伸部的一端上通过金属包边工艺形成有第二发射极；第一发射极和第二发射极之间通过金属包边工艺形成有第二地极；连接部两侧板面上均设置有三个连接点，每侧的三个连接点分别为地极连接点、第一发射极连接点和第二发射极连接点；第一地极与第二地极均与两侧的地极连接点电连接，第一发射极与两侧的第一发射极连接点电连接，第二发射极与两侧的第二发射极连接点电连接；支撑件套设在第一延伸部和第二延伸部上。
一种电容笔笔

[其他]晶体管-CN85105124无效
发明人：田中忠彦 -专利权人：三洋电机株式会社;东京三洋电机株式会社
申请日： 1985-07-04 - 公布日： 1986-12-31 - 主分类号： H01L29/70 文献下载
摘要：本发明提供一种具有在网状发射极区进行接触的第1发射极电极及在岛状基极接触区进行接触的第1基极和设置在层间绝缘膜上面分别与上述的第1发射极电极和第1基极联结的第2发射极电极和第2基极电极，上述第2发射极电极及上述第2基极电极形成梳齿状，使上述第2发射极电极和上述第1发射极电极在每个梳齿上进行带状的接触，通过大幅度地扩大接触面积来抑制电流的集中，小芯片面积而有较强的耐破坏力的高电流容量的晶体管。
晶体管

[发明专利]双极晶体管以及高频功率放大器模块-CN202210311146.2在审
发明人：大部功;梅本康成;柴田雅博;小屋茂树;近藤将夫;筒井孝幸 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：在由化合物半导体构成的基板上形成集电极层、基极层以及发射极层。发射极层在俯视时与基极层的边缘相比配置在内侧。在发射极层以及基极层的一部分的区域上配置基极电极以形成在俯视时从发射极层的内侧到达基极层的外侧。在基极层中的不与发射极层重叠的部分和基极电极之间配置绝缘膜。合金层从基极电极在厚度方向上贯通发射极层并到达基极层。合金层包含基极电极的一部分的构成元素、和发射极层以及上述基极层的构成元素。
双极晶体管以及高频功率放大器模块

[发明专利]用于变频驱动器中的串联连接的电容器的电压平衡电路-CN202310101948.5在审
发明人：奥斯卡里·莱帕霍;奥格奈斯·吉尼 -专利权人：丹佛斯电力电子有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：该电路包括具有串联连接的至少两个电容器或电压单元的DC链路和并联连接的至少两个发射极跟随器平衡电路。在每个发射极跟随器平衡电路的发射极与DC链路的中点之间设置至少一个发射极电阻器。施加到每个发射极跟随器平衡电路的栅极发射极电压可以等于其公共栅极电压减去对应的发射极电阻器上的电压降。
用于变频驱动器中的串联连接电容器电压平衡电路