专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]太阳能电池和包括其的太阳能电池模块-CN202280009332.9在审
  • 南正范;郑一炯;李景洙 - 上饶新源越动科技发展有限公司
  • 2022-02-21 - 2023-10-17 - H10K39/12
  • 根据本发明的实施例的太阳能电池包括第一光电转换部、第二光电转换部、第一电极和第二电极,所述第一光电转换部包括包含钙钛矿化合物的光电转换层、位于所述光电转换层的一侧处的第一传输层、以及位于所述光电转换层的另一侧处的第二传输层,所述第二光电转换部布置在所述第一光电转换部的所述第二传输层的下部并且具有与所述第一光电转换部不同的物质或结构,所述第一电极在所述第一光电转换部的作为受光面的一面中电连接到所述第一光电转换部,并且所述第二电极在所述第二光电转换部的下部电连接到所述第二光电转换部,所述第一电极具有至少两层的叠层结构,并且所述第二电极形成为单一层。因此,可提供在具有还设置有具有除了包含钙钛矿化合物的光电转换部以外的其它物质或结构的另外的光电转换部的串联型结构的同时具有优秀的效率和可靠性的太阳能电池模块。
  • 太阳能电池包括模块
  • [发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201611272990.X有效
  • 郑寅道;许美姬;梁周弘;李恩珠;南正范 - LG电子株式会社
  • 2016-12-21 - 2019-11-05 - H01L31/0224
  • 太阳能电池及其制造方法。本发明公开了一种太阳能电池,包括:半导体衬底;保护膜层,形成在半导体衬底的表面上;多晶半导体层,形成在保护膜层上方;第一导电区域,通过用第一导电掺杂剂选择性地掺杂半导体层形成;第二导电区域,掺杂有第二导电掺杂剂并且位于第一导电区域的相邻部分之间;势垒区域,位于第一导电区域与第二导电区域之间且不掺杂掺杂剂;第一电极,连接到第一导电区域;以及第二电极,连接到第二导电区域。第一导电区域和第二导电区域中的每一个包括具有与势垒区域不同的结晶结构的第二结晶区域,并且第一导电区域和第二导电区域的第二结晶区域包括具有不同深度的第二多晶区域和第四结晶区域。
  • 太阳能电池及其制造方法
  • [发明专利]太阳能电池-CN201610808652.7有效
  • 南正范;沈承焕;高智洙;梁斗焕 - LG电子株式会社
  • 2016-07-27 - 2019-01-15 - H01L31/0224
  • 公开了一种太阳能电池,包括半导体基板,导电区域以及电极,导电区域包括被布置在半导体基板一个表面上的第一导电区域和第二导电区域,电极包括连接至第一导电区域的第一电极和连接至第二导电区域的第二电极。电极包括被布置在半导体基板或导电区域上的粘结层,被布置在粘结层上并包括金属作为主成分的电极层,以及被布置在电极层上并包括与电极层的金属不同的金属作为主成分的阻挡层。电极层的厚度大于粘结层与阻挡层各自的厚度,并且阻挡层的熔点高于电极层的熔点。
  • 太阳能电池
  • [发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201410214046.3有效
  • 南正范;许美姬;李恩珠;郑一炯 - LG电子株式会社
  • 2014-05-20 - 2017-01-18 - H01L31/0224
  • 太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括第一导电类型的基板;第一掺杂区域,该第一掺杂区域位于基板的第一表面并且含有与第一导电类型不同的第二导电类型的杂质;以及第一电极部,该第一电极部电连接到第一掺杂区域。第一电极部包括热固树脂以及分布在热固树脂中的第一导电粒子和第二导电粒子。第二导电粒子的功函数大于第一导电粒子的功函数,并且第二导电粒子在接触第一掺杂区域的界面处形成硅化物。
  • 太阳能电池及其制造方法
  • [发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201310155837.9有效
  • 南正范;郑寅道;郑一炯;金真阿 - LG电子株式会社
  • 2013-04-28 - 2016-12-28 - H01L31/068
  • 太阳能电池及其制造方法。太阳能电池包括基板;包括具有第一薄膜电阻的轻掺杂发射极区域和具有比所述第一薄膜电阻小的第二薄膜电阻的重掺杂发射极区域的发射极区域;位于所述发射极区域上的第一电介质层;包括沿第一方向位于所述重掺杂发射极区域上的第一指状电极和沿第二方向位于所述轻掺杂发射极区域上的第一汇流条电极的第一电极;位于所述基板上的第二电极。所述第一指状电极包括接触所述重掺杂发射极区域的籽晶层和形成在所述籽晶层上的导电金属层,并且所述第一汇流条电极包括导电金属颗粒和热固性树脂。
  • 太阳能电池及其制造方法
  • [发明专利]太阳能电池-CN201410643805.8在审
  • 南正范;郑一炯;李恩珠;梁斗焕 - LG电子株式会社
  • 2014-11-10 - 2015-05-20 - H01L31/0224
  • 本发明提供了一种太阳能电池。该太阳能电池包括光电转换单元,其包括形成在光电转换单元的同一侧的第一导电类型区域和第二导电类型区域。电极接触光电转换单元并且包括形成在光电转换单元上的粘附层和形成在粘附层上的电极层。粘附层具有大于光电转换单元的热膨胀系数并且小于电极层的热膨胀系数的热膨胀系数。
  • 太阳能电池
  • [发明专利]太阳能电池-CN201210262809.2有效
  • 梁周弘;金真阿;南正范;梁斗焕;郑寅道;郑一炯;权亨振 - LG电子株式会社
  • 2012-07-26 - 2013-01-30 - H01L31/04
  • 本发明提供了一种太阳能电池,该太阳能电池包括:第一导电类型的衬底;与所述第一导电类型相反的第二导电类型的并且与所述衬底一起地形成p-n结的发射极区;位于所述发射极区上的抗反射层;电连接到所述发射极区的前电极部;和电连接到所述衬底的背电极部。所述衬底包括由单晶硅形成的第一区域和由多晶硅形成的第二区域。位于第一区域中的抗反射层的厚度小于位于第二区域中的抗反射层的厚度。
  • 太阳能电池

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