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[发明专利]磷化铟异质结晶体管发射区材料干湿法结合刻蚀制作方法-CN201410578314.X在审
发明人：牛斌;程伟;王元;赵岩;陆海燕 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2014-10-27 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明是一种磷化铟异质结晶体管发射区材料干湿法结合刻蚀制作方法：制作发射极金属条形；采用干法刻蚀设备刻蚀一定厚度发射区材料；采用酸性腐蚀液腐蚀剩余厚度发射区材料；采用自对准方法制备基极接触金属，形成基极与发射极之间的电隔离，完成磷化铟异质结晶体管发射极干湿结合刻蚀制作；优点：对发射区材料先进行干法刻蚀可获得垂直的侧壁刻蚀形貌，保持发射区材料宽度；干法刻蚀到一定厚度后再进行湿法腐蚀可减小基区材料表面损伤，减小发射区材料侧掏深度
磷化铟异质结晶体发射材料湿法结合刻蚀制作方法

[发明专利]一种双异质结单极性晶体管的器件结构-CN201910666385.8在审
发明人：朱敏;邹新波;杨杨 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明提供了一种双异质结单极性晶体管的器件结构，其特征在于，采用单极性输运的垂直器件结构，包括竖直布置的发射区、基区以及集电区，基区位于发射区及集电区之间，发射区与集电区可互换，发射区以及集电区采用AlGaN材料，基区采用GaN材料，基区的GaN材料与发射区及集电区的AlGaN材料形成两个背对背的肖特基结，从而形成AlGaN/GaN/AlGaN双异质结结构；发射极、基极以及集电极分别与发射区、基区以及集电区相连
发射区集电区基区双异质结单极性晶体管器件结构垂直器件结构双异质结结构垂直型器件表面电荷竖直布置肖特基结背对背单极性发射极集电极可互换输运

[发明专利]一种功率双极型晶体管及其制备方法-CN201210364290.9无效
发明人：任敏;李果;宋洵奕;张鹏;王娜;邓光敏;张蒙;李泽宏;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：所述功率双极型晶体管由下到上依次包括：集电区金属电极，由第一导电类型半导体材料构成的集电区，由第二导电类型半导体材料构成的基区；基区的上方分别具有与基区表面接触的基区金属电极和由第一导电类型半导体材料构成的发射区；发射区的上方具有与发射区表面接触的发射区金属电极；发射区的侧壁与基区金属电极之间，以及基区金属电极与发射区金属电极之间填充隔离介质。由于发射区的侧壁被介质层包围，避免了基极电流直接从基区接触流入发射区的侧壁，缓解了电流集边效应。同时通过在隔离介质上挖孔制作基区金属电极，不会增加基区寄生电阻，对功率双极型晶体管输出功率没有影响。
一种功率双极型晶体管及其制备方法

[发明专利]具有变组分混合晶体发射区的抗闩锁IGBT-CN201310289169.9有效
发明人：任敏;宋询奕;李果;杨珏林;张鹏;吴明进;顾鸿鸣;李泽宏;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-07-10 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：具有变组分混合晶体发射区的抗闩锁IGBT，属于功率半导体器件技术领域。本发明基于常规IGBT结构，通过将发射区的纯硅材料变为组分渐变的混合晶体，形成禁带宽度缓变的发射区能带结构。该能带结构在不降低发射区与基区所形成PN结的内建电势的前提下，在发射区内形成发射区少子的加速电场，从而使发射区的少子扩散电流密度增加，基区向发射区的注入增强；而另一方面，发射区向基区的注入保持不变。因此，发射区、基区和漂移区构成的寄生晶体管的发射结注入效率降低，电流放大系数降低，使IGBT中的寄生晶闸管更难达到闩锁条件，这就提高了IGBT的临界闩锁电流，增加了IGBT的安全工作区，提高了IGBT的可靠性
有变组分混合晶体发射抗闩锁 igbt

[发明专利]含有低光学折射率差的窗口层与发射区的多结太阳电池-CN201610802693.5有效
发明人：李欣益;陆宏波;张玮;杨丞;张梦炎;张华辉;陈杰;郑奕;张建琴 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明公开了一种含有低光学折射率差的窗口层与发射区的多结太阳电池，该多结太阳电池由若干个宽禁带、中禁带、窄禁带子电池级联组成，每个子电池都具有窗口层、发射区、基区和背场层，所述的发射区采用n型子电池主体材料，窗口层采用n型材料，该窗口层材料禁带宽度大于发射区电池主体材料，该窗口层材料与发射区电池主体材料禁带宽度差不小于0.50eV，500‑900nm波长范围内光学折射率差不高于0.25。本发明提供的多结太阳电池，通过使用低光学折射率差窗口层与发射区组合，降低入射太阳光在各子电池窗口层的反射，提升各子电池的电流密度，从而显著改善多结太阳电池的性能。
含有光学折射率窗口发射太阳电池

[发明专利]一种芯片制备方法-CN202210339182.X在审
发明人：李国琪 -专利权人：无锡光磊电子科技有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：本发明提供的一种芯片制备方法，属于半导体制造技术领域，包括以下步骤：采用N型单晶硅作为制备材料，在N型单晶硅上定义并制备基区、发射区和集电极区；进行沟槽蚀刻与沟槽绝缘材料填充，形成位于发射区和集电极区之间的绝缘沟槽；在发射区上形成第一透明导电电流扩展层。本发明通过增加第一透明导电电流扩展层进行发射区电流扩展，能够降低发射区掺杂浓度，从而降低了芯片制备成本，提高了光电开关芯片耐压与稳定性。此外采用N型单晶硅作为制备材料，无需外延工艺，成本进一步降低。
一种芯片制备方法

[发明专利]一种多结太阳电池结构及其制备方法-CN202111249312.2在审
发明人：吴真龙;张坤铭;张勇 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本申请公开了一种多结太阳电池结构及其制备方法，该多结太阳电池结构包括衬底和设置于衬底上的多个子电池，该多个子电池包括InGaAs子电池，InGaAs子电池包括沿背离衬底方向依次排布的基区和发射区，发射区包括沿背离基区方向依次排布的第一发射区和第二发射区，基区和第一发射区均为InxGaAs层，第二发射区为GaInP层，即通过在发射区与基区连接的前一部分采用与基区相同材料的InxGaAs层，使得InGaAs/GaInP异质结的能带尖峰偏离发射区和基区之间PN结处的空间电荷区，从而减小InGaAs/GaInP异质结的能带尖峰对发射区光生载流子向基区收集的影响，提高收集效率
一种太阳电池结构及其制备方法

[发明专利]光学传感器封装结构及其制造方法-CN202010691533.4在审
发明人：黄健修;林裕洲;吴德财 -专利权人：光宝科技新加坡私人有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本发明提供一种光学传感器封装结构及其制造方法，光学传感器封装结构的制造方法包括设置一芯片于电路基板上，芯片包括光发射区与光接收区；设置至少一发光组件在芯片的光发射区上，且至少一发光组件电连接电路基板；涂布一遮光材料于光发射区与光接收区之间；填充一透光材料以覆盖电路基板、芯片、遮光材料与至少一发光组件；去除部分位于光发射区与光接收区之间的透光材料，以形成一第一凹槽并露出遮光材料；以及填充一防漏光材料在第一凹槽中，通过防漏光材料与遮光材料所堆栈形成的侧光间隔结构以避免横向干扰的发生
光学传感器封装结构及其制造方法

[发明专利]有机发光显示器-CN201310179732.7有效
发明人：李安洙;金兑珍;金度晔;曹祥钧;李承雨 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：该有机发光显示器包括：红色像素，包括红色发射区；绿色像素，包括绿色发射区；以及蓝色像素，包括蓝色发射区。在所述红色发射区、所述绿色发射区和所述蓝色发射区的至少一个中，发射区和所述发射区上面的相邻发射区之间的距离不同于所述发射区与所述发射区下面的另一相邻发射区之间的距离。
有机发光显示器

[发明专利]一种砷化镓激光光伏电池及其制备方法-CN202011359049.8有效
发明人：朱明星;李华;王伟明 -专利权人：江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本公开涉及一种砷化镓激光光伏电池，包括至少一个砷化镓子电池，每个所述砷化镓子电池包括由基区材料构成的基区和由发射区材料构成的发射区，其中，所述基区材料的禁带宽度适于吸收激光源发出的激光，所述发射区材料的禁带宽度大于根据本发明实施例的GaAs激光光伏电池及其制备方法，电池的发射区采用禁带宽度大于1.54eV的材料，不会吸收激光源发出的激光，只有基区作为激光吸收层，因而降低了电池吸收层厚度设计和优化难度，有利于减小吸收层厚度误差
一种砷化镓激光电池及其制备方法

[发明专利]用于在有机发光二极管（OLED）中将非发射区与光发射区分离的方法-CN200780018896.4无效
发明人： H·F·博尔纳;H·-P·洛布尔 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2007-05-11 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明涉及用于在有机发光二极管(OLED)(1)中将至少一个非发射区(16)与至少一个发射区(15)分离的方法，所述有机发光二极管包括作为载体的基底材料(10)，其中所述基底材料(10)被至少一个阳极层(11)和至少一个阴极层(13)覆盖和/或叠加，其中至少一个功能层(12)夹在这些层(11，13)之间以用于发光，其中在阳极层(11)和阴极层(13)之间施加电压使得在发射区(15)中引起光的发射，其中所述一个非发射区(16)的分离是通过将凹槽(14)刻划到至少所述阳极和/或所述阴极层(11，13)中以便将至少一个层(11，13)内的从发射区(15)到非发射区(16)的电流隔断来实现的，其中所述凹槽(14)通过应用刻划工具
用于有机发光二极管 oled 中将发射区分方法

[发明专利]有机发光器件-CN200610170515.1有效
发明人： H·阿兹兹;波波维克 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2006-12-21 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种白光发光元件包括：阳极；阴极；以及，光发射区，其中，该光发射区包含一种或者一种以上的发射红光的磷光材料；一种或者一种以上的发射绿光的磷光材料；以及一种或者一种以上的发射蓝光的荧光材料。
有机发光器件

[发明专利]异质结双极晶体管及其制造方法-CN202211393727.1在审
发明人：李峰柱;王冲 -专利权人：中芯越州集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结双极晶体管及其制造方法，在第二导电类型的GaAs基区层上形成了第一导电类型的第1层InGaP发射区层至第m层InGaP发射区层，各层所述InGaP发射区层均含有InyGa1‑yP，且从第1层InGaP发射区层至第m层InGaP发射区层的y逐层降低，m≥3且为整数，由此，使得第1至m层InGaP发射区层整体上与P GaAs基区层的材料之间形成渐变的带隙差，进而有效降低InGaP/GaAs异质结处的势垒尖峰，避免HBT工作时的开启电压Vbe变高，改善器件性能。
异质结双极晶体管及其制造方法

[发明专利]光电子半导体组件和用于制造光电子半导体组件的方法-CN201580066176.X在审
发明人：布丽塔·格厄特茨;沃尔特·韦格莱特;斯特凡·格勒奇 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2015-12-02 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：提出一种光电子半导体组件(100)，所述光电子半导体组件具有半导体芯片(1)，所述半导体芯片具有主侧(10)，其中主侧(10)包括多个并排设置的发射区(11)。发射区(11)能够单独地且彼此独立地控制并且经由所述发射区在运行时分别从半导体芯片(1)中耦合输出辐射。将进行反射的分离壁(30)施加到主侧(10)上，所述分离壁设置在相邻的发射区(11)之间并且在主侧(10)的俯视图中至少部分地包围发射区(11)。分离壁(20)由与半导体芯片(1)的半导体材料不同的材料形成，并且沿远离主侧(10)的方向超出半导体芯片(1)。转换元件(4)至少部分地遮盖至少一个发射区(11)并且与该发射区(11)机械稳定地连接。转换元件(4)的下侧(41)在被遮盖的发射区(11)的区域中沿远离主侧(10)的方向超出分离壁(20)最多为分离壁(20)的高度的10％。
光电子半导体组件用于制造方法

[发明专利]一种钳位电压可选的横向穿通型SiC-TVS器件-CN202211138213.1在审
发明人：韩超;苑广安;汤晓燕;王东;吴勇;陈兴;黄永 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种钳位电压可选的横向穿通型SiC‑TVS器件，包括碳化硅衬底层、外延层基区、正电极和若干负电极，外延层基区内包括有两个端部发射区扩展区、若干个中间发射区扩展区、两个端部发射区以及若干个中间发射区，外延层基区、端部发射区扩展区和中间发射区扩展区为轻掺杂，端部发射区和中间发射区为重掺杂；碳化硅衬底层、端部发射区扩展区、中间发射区扩展区、端部发射区和中间发射区为第一导电类型，外延层基区为第二导电类型本发明在平面NPN或PNP穿通结构的基区表面横向插入若干个N+或P+发射区，通过优化发射区结构参数和基区浓度，在单管TVS芯片上实现更宽范围的钳位电压选择。
一种电压可选横向穿通型 sic tvs 器件

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