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[发明专利]一种具有新型栅线结构的太阳电池及其制备方法-CN202211682654.8在审
发明人：张勇;张坤铭;伍明跃;吴真龙 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有新型栅线结构的太阳电池及其制备方法，包括：衬底；位于衬底一侧的外延层；位于外延层背离衬底一侧的栅线结构，栅线结构包括主栅线和多条副栅线；多条副栅线在第一方向上等间隔排列，副栅线包括首端副栅线、中间副栅线和尾端副栅线，首端副栅线远离中间副栅线的一端与主栅线连接；副栅线还包括位于尾端副栅线远离中间副栅线一端的栅线贴片结构。该栅线贴片结构可以用来收集太阳电池的边缘电流，确保副栅线不会掉栅的同时以较小的电阻来传输更多的电流，且尾端副栅线的栅线贴片结构在保证了电流收集效率的同时，并没有增加过多的遮光比，这对太阳电池的效率增加具有一定的作用。
一种具有新型结构太阳电池及其制备方法

[发明专利]配电系统-CN202211361032.5在审
发明人： 张坤铭;张清良;叶育林;蔡维;高政;汪贻霞 -专利权人：深圳中广核工程设计有限公司;中广核工程有限公司;中国广核集团有限公司;中国广核电力股份有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H02B1/04 文献下载
摘要：本申请涉及一种配电系统。该系统包括：第一变压器、多个第二变压器、与该多个第二变压器一一对应的多个交流配电母线以及移动电源接口；该第一变压器的一端与第一电网连接，另一端通过多个备用供电通路与该多个交流配电母线分别连接；该第二变压器的一端与第二电网连接，另一端通过主供电通路与对应的该交流配电母线连接；该移动电源接口设置于该多个交流配电母线中的第一交流配电母线的配电柜中，用于连接外部移动电源；该交流配电母线用于连接用电设备，以为该用电设备供电。采用该配电系统能够提高核电厂500kV开关站的站用电源系统的可靠性。
配电系统

[发明专利]电源切换系统和方法-CN202211402685.3在审
发明人： 张坤铭;翟长春;覃振成;任鹏辉;叶育林;张清良;周文斌;黄小悦 -专利权人：中广核工程有限公司;深圳中广核工程设计有限公司;中国广核集团有限公司;中国广核电力股份有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H02J9/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种电源切换系统和方法。所述系统包括：两个备用电源、应急切换系统和两个核电机组，每个核电机组设置有至少两个配电母线；应急切换系统，用于在满足备用电源切换条件时，导通各备用电源与对应的目标配电母线之间的通路，以使备用电源为目标配电母线供电。采用本方法能够增加备用电源的灵活性。
电源切换系统方法

[发明专利]一种太阳能电池及制作方法-CN202111476555.X在审
发明人：朱鸿根;武留洋;张勇;张策;张坤铭 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池及制作方法，该太阳能电池包括：衬底；位于所述衬底一侧的牺牲层；位于所述牺牲层背离所述衬底一侧的腐蚀缓冲层；位于所述腐蚀缓冲层背离所述衬底一侧的外延层；其中，所述腐蚀缓冲层的腐蚀速率与所述牺牲层的腐蚀速率不同。由于腐蚀缓冲层的腐蚀速率与牺牲层的腐蚀速率不同，所以可以通过控制腐蚀缓冲层的腐蚀速率，来控制外延层、衬底剥离时的速率和时间。此时，腐蚀缓冲层起到了保护外延层的作用，减小了外延层破裂的风险，提高了产品良率，并且由于增加了腐蚀缓冲层，牺牲层的厚度也可以进一步减薄，使腐蚀速率提高。
一种太阳能电池制作方法

[发明专利]一种多结太阳电池结构及其制备方法-CN202111249312.2在审
发明人：吴真龙;张坤铭;张勇 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本申请公开了一种多结太阳电池结构及其制备方法，该多结太阳电池结构包括衬底和设置于衬底上的多个子电池，该多个子电池包括InGaAs子电池，InGaAs子电池包括沿背离衬底方向依次排布的基区和发射区，发射区包括沿背离基区方向依次排布的第一发射区和第二发射区，基区和第一发射区均为InxGaAs层，第二发射区为GaInP层，即通过在发射区与基区连接的前一部分采用与基区相同材料的InxGaAs层，使得InGaAs/GaInP异质结的能带尖峰偏离发射区和基区之间PN结处的空间电荷区，从而减小InGaAs/GaInP异质结的能带尖峰对发射区光生载流子向基区收集的影响，提高收集效率，改善太阳电池的转换效率。
一种太阳电池结构及其制备方法

[实用新型]一种太阳电池芯片的包装结构-CN201822049213.X有效
发明人：翁妹芝;李俊承;张坤铭;朱鸿根;陈伟明;许勇辉;郭河 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： B65D25/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种太阳电池芯片的包装结构，该包装结构首先通过设置盒体和盒盖，形成一个封闭的空间对太阳电池芯片进行包装，其次，通过在盒体底部设置第一限位装置，固定了太阳电池芯片的水平位置，并且，通过在盒盖底部设置第二限位装置，固定了太阳电池芯片的垂直位置，进而，限制了太阳电池芯片的位置，防止其在发送的移动过程中因撞击损坏的风险发生。并且，还设置支撑装置用于支撑盒盖，防止盒盖变形而压坏太阳电池芯片的风险发生。
太阳电池芯片盒盖包装结构限位装置盒体本实用新型移动过程支撑装置支撑盒压坏变形发送封闭

[实用新型]一种高频垂直腔面发射激光器芯片及激光器-CN201821678879.5有效
发明人：彭钰仁;贾钊;许晏铭;洪来荣;陈为民;陈进顺;翁妹芝;张坤铭;朱鸿根 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种高频垂直腔面发射激光器芯片及激光器，其中，该高频垂直腔面发射激光器芯片包括：衬底、依次形成于衬底上的N型层、发光层、电流限制层、P型层和P型电极层，衬底背面形成有N型电极层；N型层和P型层均包括多层反射层；发光层、电流限制层和P型层暴露N型层的边缘区域；N型层暴露所述衬底的边缘区域；N型层边缘设置有连通N型层的多层反射层的导电层；电流限制层包括电流注入区域和绝缘区域；P型层包括与绝缘区域对应的暴露区域，暴露区域暴露P型层中的底层的反射层；P型电极层覆盖包括暴露区域的P型层，P型电极层包括与电流注入区域对应的出光孔。本申请实施例提高了垂直腔面发射激光器芯片的高频敏感性。
腔面发射激光器电流限制层暴露区域高频垂直反射层衬底电流注入区域边缘区域绝缘区域激光器芯片发光层多层暴露垂直腔面发射激光器芯片边缘设置衬底背面出光孔导电层连通申请覆盖

[实用新型]一种太阳能电池-CN201822027777.3有效
发明人：许晏铭;彭钰仁;洪来荣;陈为民;陈进顺;翁妹芝;张坤铭;朱鸿根;陈伟明;许勇辉;郭河 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：本申请公开了一种太阳能电池及其制作方法，该太阳能电池除包括太阳能电池外延结构、电极结构和封装基板外，还包括位于所述太阳能电池外延结构朝向所述封装基板一侧的透明结构以及位于所述透明结构背离所述太阳能电池外延结构一侧的反射结构，从而可以利用所述透明结构将射向所述太阳能电池侧面的光线传输至所述封装基板，经所述封装基板朝向所述透明结构一侧的反射结构反射后反射回所述太阳能电池外延结构，提高所述太阳能电池外延结构的光线吸收量，从而提高所述太阳能电池的光电转换效率。
太阳能电池外延结构封装基板透明结构反射结构反射光电转换效率光线吸收量电极结构光线传输背离侧面申请制作

[实用新型]一种水平结构的垂直腔面发射激光器芯片及激光器-CN201821678368.3有效
发明人：彭钰仁;贾钊;许晏铭;洪来荣;陈为民;陈进顺;翁妹芝;张坤铭;朱鸿根 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本申请提供了一种水平结构的垂直腔面发射激光器芯片及激光器，包括：衬底，依次形成于衬底上的外延层、绝缘层和电极层，外延层包括位于衬底上的N型层和位于N型层上的柱状层，柱状层包括位于N型层上的发光层和位于发光层上的P型层；柱状层与N型层上表面形成第一暴露区域；绝缘层包覆柱状层以及第一暴露区域，且与P型层上表面形成第二暴露区域，与N型层上表面形成第三暴露区域；电极层包括第一电极层和第二电极层；第一电极层包覆绝缘层，且在第二暴露区域，与P型层上表面形成第四暴露区域，与位于N型层上的、形成第三暴露区域一侧的绝缘层的水平面形成第五暴露区域；第二电极层位于第三暴露区域上。本申请实施例提高了芯片的散热性能。
暴露区域上表面柱状层绝缘层衬底垂直腔面发射激光器芯片第二电极第一电极水平结构激光器电极层发光层外延层包覆绝缘层散热性能包覆申请芯片

[实用新型]一种极小发散角的垂直腔面发射激光器芯片及激光器-CN201821678406.5有效
发明人：彭钰仁;贾钊;许晏铭;洪来荣;陈为民;陈进顺;翁妹芝;张坤铭;朱鸿根 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种极小发散角的垂直腔面发射激光器芯片及激光器，其中，该极小发散角的垂直腔面发射激光器芯片包括：衬底、依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、P型层和P型电极层，形成于所述衬底背面的N型电极层；所述P型层包括依次形成于所述发光层上的多个反射层，多个所述反射层中的每个反射层均包括导电区域和绝缘区域，且多个反射层中的所述导电区域的面积自下至上逐渐增大，使得所述P型层形成截面呈倒梯形的导电区域；所述P型电极层包括与所述导电区域对应的出光孔；所述出光孔内设置有凸透镜。本申请实施例减小了垂直腔面发射激光器芯片中出射光线的发散角。
垂直腔面发射激光器芯片导电区域反射层小发散角衬底激光器出光孔发光层凸透镜出射光线绝缘区域逐渐增大倒梯形发散角减小申请

[实用新型]一种多层限流的垂直腔面发射激光器芯片及激光器-CN201821678467.1有效
发明人：彭钰仁;贾钊;许晏铭;洪来荣;陈为民;陈进顺;翁妹芝;张坤铭;朱鸿根 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种多层限流的垂直腔面发射激光器芯片及激光器，其中，该垂直腔面发射激光器芯片包括：衬底、依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、电流限制层、P型层和P型电极层；所述衬底背面形成有N型电极层；所述电流限制层包括形成于所述发光层上的第一电流限制层和形成于所述第一电流限制层上第二电流限制层；所述第一电流限制层包括第一电流注入区域；所述第二电流限制层包括与所述第一电流注入区域对应的第二电流注入区域，所述第一电流注入区域的横截面积小于所述第二电流注入区域的横截面积；所述P型电极层包括与所述第二电流注入区域对应的出光孔。本申请实施例提高了垂直腔面发射激光器的单模效果。
电流限制层电流注入区域垂直腔面发射激光器芯片激光器发光层衬底多层限流垂直腔面发射激光器衬底背面出光孔单模申请

[实用新型]一种太阳能电池结构-CN201822027324.0有效
发明人：许晏铭;彭钰仁;洪来荣;陈为民;陈进顺;翁妹芝;张坤铭;朱鸿根;陈伟明;许勇辉;郭河 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：本申请公开了一种太阳能电池结构及其制作方法，该太阳能电池结构除包括太阳能电池外延结构、衬底结构、电极结构外，还包括位于所述太阳能电池外延结构背离所述衬底结构一侧的透明聚光结构，从而可以利用所述透明聚光结构聚集太阳能电池结构所在平面和所述透明聚光结构侧壁入射的太阳光线，将聚集后的光线传输至太阳能电池外延结构背离所述衬底结构的一侧，增加所述太阳能电池外延结构吸收光线的面积，提高所述太阳能电池外延结构的光线吸收量，从而提高所述太阳能电池结构的光电转换效率。
太阳能电池结构太阳能电池外延结构衬底结构聚光结构透明背离光电转换效率光线吸收量电极结构光线传输所在平面太阳光线侧壁入射申请吸收制作

[实用新型]一种垂直腔面发射激光芯片-CN201821762316.4有效
发明人：彭钰仁;贾钊;许晏铭;洪来荣;陈为民;陈进顺;翁妹芝;张坤铭;朱鸿根;陈伟明;许勇辉;郭河 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种垂直腔面发射激光芯片，包括衬底、依次位于衬底第一表面的N型DBR层、第一氧化层、MQW层、第二氧化层和P型DBR层；第一氧化层包括位于中心的第一未氧化区和位于第一未氧化区四周的第一氧化区；第二氧化层包括位于中心的第二未氧化区和位于第二未氧化区四周的第二氧化区；其中，第一氧化区和第二氧化区不导电，且第一未氧化区的面积小于第二未氧化区的面积。由于第一未氧化区的面积小于第二未氧化区的面积，因此，使得电流在第二未氧化区横向扩展，从而使得电流从第二未氧化区均匀流向第一未氧化区，进而增大了靠近VCSEL芯片中心区域的电流密度，减小了VCSEL芯片的半波宽。
氧化区氧化层垂直腔面发射激光芯片衬底本实用新型第一表面横向扩展中心区域不导电半波减小

[实用新型]延长使用寿命的VCSEL芯片和电子器件-CN201821785469.0有效
发明人：彭钰仁;贾钊;许晏铭;洪来荣;陈为民;陈进顺;翁妹芝;张坤铭;朱鸿根;陈伟明;许勇辉;郭河 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种延长使用寿命的VCSEL芯片和电子器件，在多量子阱有源层背离衬底一侧形成有第二半导体多层膜反射镜，以通过第二半导体多层膜反射镜阻挡限制层和多量子阱有源层相接触，进而能够在形成限制层的氧化结构时，通过第二半导体多层膜反射镜保护多量子阱有源层不被水汽侵蚀；同时第二半导体多层膜反射镜能够起到缓冲氧化结构应力的作用，避免在使用VCSEL芯片时产生高温条件下，氧化结构产生的应力对多量子阱有源层造成损坏的情况出现；并且，第二半导体多层膜反射镜还能够阻挡氧化结构中的杂质扩展至多量子阱有源层，保证VCSEL芯片的使用寿命较高。
半导体多层膜反射镜多量子阱有源层氧化结构延长使用寿命电子器件限制层量子阱有源层阻挡本实用新型高温条件使用寿命水汽衬底缓冲背离侵蚀保证

[实用新型]一种多光束垂直腔面发射激光芯片-CN201821762280.X有效
发明人：彭钰仁;贾钊;许晏铭;洪来荣;陈为民;陈进顺;翁妹芝;张坤铭;朱鸿根;陈伟明;许勇辉;郭河 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种多光束垂直腔面发射激光芯片，垂直腔面发射激光芯片的出光区域具有第一透明层以及位于所述第一透明层表面的第二透明层；所述第一透明层具有将所述芯片的出射光分成多束光的衍射光栅；所述第二透明层具有使所述衍射光出射的多束光进行干涉加强的干涉狭缝。因此，本实用新型不仅可以通过衍射光栅将芯片的出射光分成多束光，实现一个垂直腔面发射激光芯片出射多束光、减小光源模组的体积的目的，而且可以通过干涉狭缝对衍射光出射的多束光进行干涉加强，以在不进行二次配光的情况下，增加出射的多束光的亮度，使得出射的多束光满足一定的亮度需求。
多束光透明层垂直腔面发射激光芯片出射干涉本实用新型衍射光栅出射光多光束衍射光狭缝芯片出光区域二次配光光源模组亮度需求减小

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