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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]共轭聚合物-CN201580048256.2有效
发明人： N·布劳因;W·米切尔;M·希尼;J·肖 -专利权人：默克专利有限公司;帝国创新有限公司
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及新型共轭聚合物，其含有一种或多种基于二噻吩并[3,2‑c；2',3'‑e]氮杂‑4,6‑二酮的单元，所述单元稠合到其它芳环上；涉及其制备方法和其中使用的离析物或中间体，涉及含有它们的聚合物共混物、混合物和配制剂；涉及聚合物、聚合物共混物、混合物和配制剂作为有机半导体在制备或用于制备有机电子(OE)器件、尤其有机光生伏打(OPV)器件和有机光检测器(OPD)中的用途，和涉及含有这些聚合物、聚合物共混物、混合物或配制剂的或由其制备的OE、OPV和OPD器件。
共轭聚合物

[发明专利]有机半导体-CN200880013810.3无效
发明人： M·希尼;张卫民;L·麦克洛克 -专利权人：默克专利股份有限公司
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： C07D495/04 文献下载
摘要：本发明涉及新型取代的二苯并[d，d′]苯并[1，2-b；4，5-b’]二噻吩(DBBDT)，它们的合成方法，包含它们的有机半导体材料、制品和层，和包含它们的电子器件，如有机场效应晶体管(OFET)。
有机半导体

[发明专利]制备区域规整聚合物的方法-CN200780050649.2有效
发明人： T·哈法特;B·法尔克;L·麦克洛克;张卫民;M·希尼 -专利权人：默克专利股份有限公司
申请日： 2007-12-10 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及制备区域规整聚合物、尤其是具有高区域规整度和限定分子量的头-尾(HT)聚-(3-取代的)噻吩或硒吩的方法，涉及通过本方法制备的新型聚合物，涉及该新型聚合物在包括场效应晶体管(FET)、电致发光、光电和传感器器件在内的光学、电光学或电子器件中作为半导电或电荷传输材料的用途，并涉及包含该新型聚合物的FET和其它半导电组件或材料。
制备区域规整聚合物方法

[发明专利]包含稠合硒吩的聚合物-CN200780046970.3有效
发明人： M·希尼;张卫民;S·蒂尔尼;I·麦克洛奇 -专利权人：默克专利股份有限公司
申请日： 2007-12-08 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及包含稠合硒吩环的聚合物，涉及它们作为半导体或电荷传输材料在光学、电光学或电子器件中的用途，和涉及包含它们的光学、电光学或电子器件。
包含稠合硒吩聚合物

[发明专利]取代的苯并二噻吩和苯并二硒吩-CN200780028350.7无效
发明人： M·希尼;W·张;S·蒂尔尼;I·麦卡洛克 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2007-06-29 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： C07D495/04 文献下载
摘要：本发明涉及炔基取代的苯并二噻吩和苯并二硒吩，它们在光学、电光学或电子设备中尤其作为半导体或电荷输送材料的用途，以及包括这些材料的设备。
取代噻吩二硒吩

[发明专利]区域规整的聚硒吩-CN200680044176.0无效
发明人： M·希尼;W·迪菲;I·麦卡洛克;S·希金斯;D·克劳奇;P·斯卡巴拉 -专利权人：默克专利股份有限公司
申请日： 2006-10-30 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及区域规整的聚硒吩、涉及其作为半导体或电荷输送材料在光学器件、光电器件或电子器件中的用途，并涉及包含它们的器件、光电器件或电子器件。
区域规整聚硒吩

[发明专利]噻吩并(3,4－D)噻唑的单体、低聚物和聚合物-CN200680020296.7无效
发明人： W·达菲;M·希尼;I·麦卡洛克 -专利权人：默克专利股份有限公司
申请日： 2006-05-11 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： C07D513/04 文献下载
摘要：本发明涉及包含噻吩并噻唑基团的新型单体、低聚－和聚合化合物，涉及它们作为半导体或电荷输送材料、在光学、电光学或电子器件中的用途，和包含该新型化合物的光学、电光学或电子器件。
噻吩噻唑单体低聚物聚合物

[发明专利]制备区域规整聚合物的方法-CN200680004606.6无效
发明人： M·希尼;I·麦克洛克;M·吉尔斯;G·科勒;张卫民 -专利权人：默克专利股份有限公司
申请日： 2006-01-17 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及制备区域规整的聚合物，尤其具有高的区域规整度的头尾(HT)聚(3－取代)噻吩的方法，和通过这一方法制备的新型聚合物，以及该新型聚合物作为半导体或电荷传输材料在光学、电光学或电子器件，其中包括场效应晶体管(FET)、电致发光、光生伏打和传感器器件中的用途，含该新型聚合物的FET和其它半导组件或材料。
制备区域规整聚合物方法

[发明专利]取代蒽-CN200480019708.6无效
发明人： M·J·古尔丁;M·汤普森;W·达菲;M·希尼;I·麦卡洛克 -专利权人：默克专利股份有限公司
申请日： 2004-06-30 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： C09K19/32 文献下载
摘要：本发明涉及新型的9－和/或10－取代蒽，涉及它们在液晶，发光或半导体材料和器件中，在各向异性聚合物，光学，电光学，装饰，安全，化妆品，诊断，电气，电子，电荷传输，半导体，光学记录，电致发光，光电导体或电子照相应用中的用途，和涉及包含它们的液晶，发光和半导体材料，聚合物和器件。
取代

[发明专利]二苯乙炔衍生物和液晶介质-CN200410045374.1有效
发明人： H·赫施曼;K·阿德勒姆;P·萨克斯顿;M·J·古尔丁;M·希尼 -专利权人：默克专利股份有限公司
申请日： 2004-05-21 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： C07C15/54 文献下载
摘要：本发明涉及式I的二苯乙炔衍生物，其中R¹、R²、L¹、L²和L³在权利要求1中所定义。另外，本发明涉及包含至少一种式I二苯乙炔衍生物的液晶介质以及包含这种液晶介质的液晶显示器元件。
乙炔衍生物液晶介质

[发明专利]制备活性组分控释的固体剂型的装置和方法-CN95190851.0无效
发明人： L·罗德里古兹;M·希尼;C·卡瓦拉里;G·莫塔 -专利权人：萨伊泰克公司
申请日： 1995-04-06 - 公布日： 1996-11-06 - 主分类号： A61K9/16 文献下载
摘要：按照雾化干燥和雾化凝结技术，制备活性组分控释的固体剂型的改进的装置和方法。该改进涉及使用雾化器，利用可引起共振的金属元件或喷嘴的机械振动，得到具有极短雾化长度(25-30cm)的极小的液。这些液滴降落时，由于所含溶剂的蒸发或熔化的蜡状成分的骤冷固化，产生球形粉颗粒。
制备活性组分控释固体剂型装置方法

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