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[发明专利]一种BGSFMC/CNFO多铁性复合薄膜及其制备方法-CN201811496676.9有效
发明人：谈国强;李金成;柴正军;党明月;任慧君;夏傲 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明提供一种BGSFMC/CNFO多铁性复合薄膜及其制备方法，包括复合在一起的上层膜和底层膜；上层膜的化学式为Bi0.88Gd0.09xNixFe2O4，立方反尖晶石结构本发明上层和下层薄膜中都存在Co元素，Co扩散受到抑制，Gd、Sr、Mn元素会向下层扩散，BGSFMC薄膜的结构发生畸变，增强反铁磁(AFM)/铁磁(FM)结，使铁磁性能提高，Ni元素会向上层BGSFMC扩散，增强反铁磁‑铁电结，使铁电性能提高。
一种 bgsfmc cnfo 多铁性复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种反铁磁性晶体及其制备方法-CN202210547543.X在审
发明人：买尔哈巴·阿不都热合曼;郑娟娟;王鹏;魏博;陈丽娟 -专利权人：新疆大学
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01F1/00 文献下载
摘要：一种反铁磁性晶体及其制备方法，反铁磁性晶体磷酸铜锂钾化学式为LiKCuP2O7，晶体属单斜晶系，空间群反铁磁性晶体磷酸铜锂钾纯样采用固相反应法合成，磷酸铜锂钾单晶采用高温熔液法生长。磁性测试结果表明该磷酸铜锂钾晶体具有反铁磁性，反铁磁材料可作为自旋电子材料使用，用于信息存储领域，由于自身不产生磁场，不会互相干扰，反铁磁材料可以紧密的堆叠在一起，实现高密度存储。
一种铁磁性晶体及其制备方法

[发明专利]具有连续纵向偏置层的磁致电阻读传感器的制造方法-CN94107882.5无效
发明人：毛一民·陈;罗伯特·爱德华·方坦纳;莫哈迈德·托非克·克伦比;肯尼斯·廷一元·孔;詹姆斯·斯一唐·李;吉一施利·杰里·露;卿·华·强;珀一康·王 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 1994-07-11 - 公布日： 2001-04-04 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明目的在于提供制造磁致电阻读传感器的方法，该方法包括以下步骤在基底上淀积第一层铁磁材料；形成覆盖第一层铁磁材料至少一部分的模版；将未被模版覆盖的第一层铁磁材料的部分蚀刻掉，形成磁致电阻元件；在未被模版覆盖的传感器的端部区域上淀积第二层铁磁材料；在未被模版覆盖的传感器的端部区域上淀积一层反铁磁材料，在传感器的端部区域形成交换耦合偏磁层。该方法使ＭＲ层与磁偏置层之间的连接区的磁不稳定性最小。$＃!
具有连续纵向偏置致电传感器制造方法

[发明专利]一种具有反常霍尔效应的反铁磁单晶Mn3-CN202111561741.3在审
发明人：曹桂新 -专利权人：曹桂新
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： C30B9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有反常霍尔效应的反铁磁单晶Mn3Sn的制备方法及应用，涉及凝聚态物理领域/电子信息技术领域，其技术方案要点是：通过自助溶剂法生长得到Mn反铁磁体本发明利用自助溶剂法制得反铁磁Mn3Sn单晶，制备方法简单、成本低廉，制得的Mn3Sn单晶具备优良的晶体质量；且制得的Mn3Sn晶体在室温下为反铁磁，对磁场扰动不敏感，不易产生杂散磁场，在室温下有较大反常霍尔效应。
一种具有反常霍尔效应反铁磁单晶 mn base sub

[发明专利]一种多态存储的方法、多态存储器以及存储介质-CN202111254017.6在审
发明人：商显涛;卢世阳;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：其中，该方法包括：重金属层流入的电流从第一电流变更为第二电流，重金属层产生目标自旋流，自由层的磁场响应于目标自旋流产生第一自旋轨道力矩，使反铁磁层在第一自旋轨道力矩的作用下由第一反铁磁层磁矩切换为第二反铁磁层磁矩
一种存储方法存储器以及介质

[发明专利]磁隧道结参考层、磁隧道结以及磁随机存储器-CN202010337131.4在审
发明人：赵巍胜;程厚义;曹凯华;王戈飞 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁隧道结参考层、磁隧道结以及磁随机存储器，该磁隧道结参考层包括：反铁磁结构层，包括多个堆叠的金属磁性层单元，每个金属磁性层单元包括一间隔层和位于所述间隔层一侧表面上的一磁性层，本发明通过金属的间隔层与磁性层多层堆叠形成合成反铁磁结构来增加垂直磁隧道结参考层的热稳定性，而能够降低膜层的设计复杂性、降低成本，在不需要氧化物的情况下形成了具有强垂直磁各向异性、高热稳定性、膜层简单、成本较低的多层膜结构，能够促进磁存储器的大规模使用。
隧道参考以及随机存储器

[发明专利]一种预选-焙烧-磁浮工艺回收磁选尾矿的方法-CN201810187067.9在审
发明人：杨晓峰;刘双安;宋均利;侯卫钢;陈峰;卢玉明 -专利权人：鞍钢集团矿业有限公司
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： B03B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种预选‑焙烧‑磁浮工艺回收磁选尾矿的方法，包括下列步骤：将铁品位为9~13%，碳酸性铁含量为3%以上的磁选尾矿，给入一段弱磁，一磁尾给入一段强磁，一强精给入一粗一精的螺旋溜槽重选作业，精螺尾与粗螺尾和一强尾合并为预选尾矿，精螺精和一磁精合并为预选精矿；预选精矿经浓缩、过滤、焙烧得到焙烧矿；焙烧矿经闭路磨矿，‑0.046mm含量83%～90%的溢流产品给入二段弱磁，二磁精给入一粗一精三扫的反浮选作业，反浮选精矿为品位65%以上的最终精矿，离心机尾矿与二磁尾矿、预选尾矿合并为品位7%～10%的最终尾矿。本发明的优点是：1.预选无磨矿；2.磁选与反浮选组合，再磨粒度放粗，收率提高。
焙烧磁选尾矿反浮选精矿工艺回收预选精矿预选尾矿焙烧矿精螺尾矿合并品位闭路磨矿二段弱磁螺旋溜槽一段强磁一段弱磁离心机磁尾矿铁品位碳酸磁选粗螺磨矿收率溢流再磨重选过滤浓缩

[发明专利]基于压控磁各向异性的存储单元、磁随机存储器-CN202311096864.3在审
发明人：陈燕宁;潘成;陈赞鸿;付振;蔡文龙;史可文 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;北京航空航天大学
申请日： 2023-08-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明涉及磁存储器领域，提供一种基于压控磁各向异性的存储单元、磁随机存储器。所述存储单元包括自旋轨道矩产生层以及设置于自旋轨道矩产生层上的磁隧道结，磁隧道结包括依次层叠的磁性金属层、间隔层、自由层、势垒层以及参考层，磁性金属层与自由层通过间隔层耦合形成反铁磁结构。在自旋轨道矩产生层与参考层之间被施加电压且自旋轨道矩产生层被施加自旋轨道矩电流的条件下，反铁磁结构的磁性金属层、间隔层及自由层在层间DMI效应和RKKY效应作用下，使自由层的磁矩发生确定性翻转，以使自由层的磁矩方向与参考层的磁矩方向平行或反平行本发明能够实现磁隧道结的确定性写入，降低磁矩翻转的能耗，且易于大规模应用生产。
基于压控磁各向异性存储单元随机存储器

[发明专利]一种集磁随机存储器、微波振荡器和探测器于一体的纳米自旋电子器件与应用-CN202010390886.0在审
发明人：陈丽娜;刘荣华;徐永兵;都有为;孟皓;刘波 -专利权人：南京大学;浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种集磁随机存储器、微波振荡器和微波探测器一体的纳米自旋电子器件，所述自旋电子器件基本单元即高磁电阻效应的磁性隧道结MTJ，所述纳米自旋电子器件为圆柱型或椭圆柱型垂直磁化多层结构单元，从上至下依次为磁隧道结上电极层，垂直磁化的自由铁磁层，非磁势垒层，垂直磁化的铁磁极化层，用于钉扎的反铁磁层或人工反铁磁；下电极层；实现随机信息存储、微波产生和微波探测这三方面功能；作为非冯若依曼架构的新一类模拟信息处理和存储为一体逻辑自旋器件
一种随机存储器微波振荡器探测器一体纳米自旋电子器件应用

[发明专利]一种可用于制作自旋太赫兹源器件的多层薄膜材料-CN202310164301.7在审
发明人：刘涛;谭碧;邓登福;刘冬华;邓龙江 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明仅由三层或四层薄膜组成，利用拓扑反铁磁层既具有近零剩余磁矩从而频率在THz范围的磁共振和自旋波模式，又具有与铁磁材料相当的反常霍尔效应的特点，直接将自旋波(或磁共振)引起的磁矩扰动转化为同频率交变电场，从而作为THz源；其中四层薄膜结构中增加的自旋流产生层，可进一步提高多层薄膜的自旋流产生效率，更利于激发拓扑反铁磁层中THz频率的磁共振和自旋波。本发明只需用直流电就可完成太赫兹波的激发，摆脱了对于飞秒激光器的依赖，解决了基于铁磁/非磁结构自旋太赫兹源最大的实用化难题。
一种用于制作自旋赫兹器件多层薄膜材料

[发明专利]基于拓扑绝缘体材料和自旋轨道转矩效应的磁子阀结构-CN202110702629.0有效
发明人：胡训博;叶钊;傅邱云;凌寒冰 -专利权人：华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于拓扑绝缘体材料和自旋轨道转矩效应的磁子阀结构，包括：拓扑绝缘体层、磁子阀部件及金属电极由下至上依次位于衬底上；磁子阀部件由下至上依次包括：第一铁磁绝缘体层、反铁磁层及第二铁磁绝缘体层，或磁子阀部件由下至上依次包括：第一铁磁绝缘体层、非铁磁层及第二铁磁绝缘体层；所述第一铁磁绝缘体层和第二铁磁绝缘体层具有相同或者相反的磁矩方向；磁子阀结构的逆自旋霍尔电压在所述拓扑绝缘体层通入电流前后电平状态会改变本发明利用拓扑绝缘体的高自旋霍尔角和高电导率特性，提升电流翻转磁矩的效率，可以将该磁子阀结构作为一种高效率、低损耗的新型存储器件结构。
基于拓扑绝缘体材料自旋轨道转矩效应磁子阀结构

[发明专利]磁致电阻元件-CN200510062839.9有效
发明人：中村志保;羽根田茂 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-03-31 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：根据本发明的一方面，提供一种磁致电阻元件，包括：其中磁化方向通过自旋极化电子改变的自由层，该自由层具有被非磁性层分开的铁磁层，其中在铁磁层中，有非磁性层插入其间的两个相邻的铁磁层以反铁磁性的方式彼此耦合；在铁磁层中，其中磁化方向是第一方向的至少一个铁磁层的总的磁化强度的绝对值和其中磁化方向是与第一方向相反的第二方向的至少一个铁磁层的总的磁化强度的绝对值之间的差值等于或小于5×10^－15emu；并且，与铁磁层的衬底平行的平面越远离该衬底，所述平面越小。
致电元件

[发明专利]磁阻传感器屏蔽-CN201410356739.6有效
发明人： K·麦克內尔;A·高根;M·奥姆斯顿;V·B·萨波日尼科夫 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： G11B5/11 文献下载
摘要：本文所公开的实施例通过在合成反铁磁结构(SAF)屏蔽内，提供被降低各向异性的区域，允许被磁阻传感器检测到的信号得以改善。SAF屏蔽包含被耦合间隔层所隔离的第一与第二铁磁材料层。第一与第二铁磁材料层之间的距离在邻近传感器堆栈的区域大于远离传感器堆栈的区域。
磁阻传感器屏蔽

[发明专利]存储器装置-CN202210197132.2在审
发明人：黄彦霖;宋明远;李乾铭;林世杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：合成自由层包括合成反铁磁结构、第一间隔件层和自由层，其中合成反铁磁结构设置在自旋轨道扭矩层和自由层之间。阻障层设置在合成自由层旁。参考层设置在阻障层旁。
存储器装置

[发明专利]一种基于磁性斯格明子的忆阻器及其阻值调控方法-CN202010341435.8在审
发明人：马付胜;马莽原 -专利权人：南京师范大学
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于磁性斯格明子的忆阻器及其阻值调控方法，忆阻器由下至上依次包括衬底、第一铁磁层和第二铁磁阵列层，第二铁磁阵列层包括阵列排布的多个第二铁磁单元，第二铁磁单元包括中间层和位于中间层上的第二铁磁层，中间层和第二铁磁层为直径相同的圆柱体结构，中间层为第一铁磁层和第二铁磁层提供反铁磁耦合。
一种基于磁性明子忆阻器及其阻值调控方法