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[发明专利]具有硅蚀刻部的电荷泵电容器组件-CN201480024287.X有效
发明人： J·M·穆察 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：电荷泵电容器组件(190)包括电荷泵电容器(190)和硅衬底(198)。电荷泵电容器包括：硅基电荷泵电容器介电层(205)，位于硅基电荷泵电容器介电层的第一侧上的第一终端(201)和位于硅基电荷泵电容器介电层的与第一侧相反的第二侧上的第二终端(203)，以及靠近第二终端定位的场氧化物层电荷泵电容器耦接至硅衬底。硅衬底被蚀刻以在电容器下方减少硅衬底与场氧化物层之间的接触。
具有蚀刻电荷电容器组件

[实用新型]双正双负的焊针式电容器-CN202123221480.9有效
发明人：陈金建;李杨;李强 -专利权人：南通海立电子有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01G9/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了双正双负的焊针式电容器，包括电容器壳体，电容器壳体的轴端设置有多个可拆卸的安装帽，安装帽与电容器壳体之间电性连接有可拆卸的焊接端子；通过将安装帽从电容器壳体处拆除，可对焊接端子的数量进行调节，当处于常规使用时，只保留一个正极、负极焊接端子，便于电容器的调节使用。电容器壳体包括有与安装帽螺纹配合的金属连接端子，金属连接端子包括有两个电性连接且与电容器电联的正极端子、两个电性连接且与电容器电联的负极端子。从而提升了电容器的耐纹波电流能力。延长了使用寿命。
双正双负焊针式电容器

[发明专利]半导体元件结构及其制备方法-CN202110987179.4在审
发明人：蔡宏奇 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本公开提供一种具有冠状结构与互连部的下电容器电极的半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构具有一电容器接触点，设置在一半导体基底上；以及一介电层，设置在该电容器接触点上。该半导体元件结构亦具有一图案化遮罩，设置在该介电层上；以及一下电容器电极，设置在该电容器接触点上并电性连接到该电容器接触点。该下电容器电极具有一基层，设置在该电容器接触点与该介电层之间；以及一围绕部，设置在该基层上并沿着该介电层与该图案化遮罩的各侧壁设置。该下电容器电极亦具有一第一互连部，设置在该介电层中且大致平行于该基层。
半导体元件结构及其制备方法

[发明专利]一种新型节能电散热器-CN201010204381.7无效
发明人：陈有孝 -专利权人：陈有孝
申请日： 2010-06-21 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： F24D13/04 文献下载
摘要：本发明提出一种新型节能电散热器，是用整流器将220V交流电变成直流电，通过自动充放电控制器连接一组两只双电层电容器，两只双电层电容与直流电加热管相连，直流电加热管是节能电散热器的热源。整流器可以接若干组双电层电容器。输入500W的电功率，可以使5台宽80mm，厚50mm，高600mm，10柱的散热器工作，每台散热器的输入功率仅为100W。
一种新型节能散热器

[发明专利]2D材料超级电容器-CN201680057943.5在审
发明人： J·卡瓦;V·莫洛兹 -专利权人：美商新思科技有限公司
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01G11/12 文献下载
摘要：描述的设备和方法与尺寸较小且具有高能量存储与体积比的电容器能量存储器件相关。电容器器件包括2D材料电极。电容器器件提供非常细的粒度，其具有高堆叠可能性，可用于超级电容器和电容器阵列。设备包括交错的层压2D材料电极层(例如，石墨烯)和介电层(例如，氧化铪)。在一个实施例中，电容器器件包括被9999个Haf层隔开的10000个交错石墨烯层。石墨烯的奇数层电连接至第电容器器件的第一端子，并且石墨烯的偶数层电连接至电容器器件的第二端子。
电容器器件石墨烯超级电容器材料电极电连接交错电容器能量电容器阵列存储器件石墨烯层高能量介电层偶数层奇数层体积比氧化铪层压堆叠隔开可用存储

[发明专利]双电层电容器电极用活性炭及其制造方法-CN201610429441.2在审
发明人：李政埈;郑煐珍;赵问圭;李镕宝 -专利权人：鲍尔卡本技术有限公司
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： C01B32/348 文献下载
摘要：本发明涉及双电层电容器电极用活性炭及其制造方法。所述双电层电容器电极用活性炭的利用氮吸附法的比表面积BET为500～3,000m2/g，并且在内部、表面或这两处包含硼(B)，活性炭内硼与碳的重量比B/C为15重量％以下。本发明中，通过常温湿法工序将活化工序之后存在于活性炭表面的大量含氧官能团(OFGs)有效还原并去除，从而能够提高经济性和生产性，并且通过使热处理后的活性炭的比表面积(BET)减小最小化，能够为具备其的双电层电容器提供优异的初期容量和寿命特性
双电层电容器电极活性炭及其制造方法

[发明专利]MIM电容器及其形成方法-CN201510453961.2有效
发明人：杨庆荣;黄章斌;杜贤明;蔡豪益;李明机;梁世纬;赖昱嘉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：本发明一些实施例提供了一种封装件，封装件包括无机介电层和电容器。电容器包括：底部电极，底部电极的顶面与无机介电层的顶面接触；位于底部电极上方的绝缘体；以及位于绝缘体上方的顶部电极。封装件还包括覆盖电容器的聚合物层，聚合物层的部分与电容器共平面并且环绕电容器。聚合物层接触无机介电材料层的顶面。本发明还涉及MIM电容器及其形成方法。
mim 电容器及其形成方法

[发明专利]直流电气轨道的电力存储单元-CN200680037867.8有效
发明人：上村正;井手浩一 -专利权人：株式会社明电舍
申请日： 2006-08-18 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： B60M3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种直流电气轨道系统的电力存储单元，其中利用升压/降压斩波器对双电荷层电容器进行充电/放电来执行为电车供电、和吸收再生电力，而不需要负载电阻设备，而且不用增加电容器的容量就能够防止电车再生失效、保护双电荷层电容器以免过电压。电车2是具有按照超过指定电平的集电弓点电压将再生电流从100％降低到0％的功能的类型。当双电荷层电容器4A被充电到任意电压时，升压/降压斩波器4B的控制部件4C进行再生失效防止控制，利用该再生失效防止控制，将馈电电缆电压增加到使得电车2的再生电流降低控制功能启动的电平。
直流电气轨道电力存储单元

[实用新型]一种抑制电容器啸叫的电路板结构-CN202121145330.1有效
发明人：简泽钦;谢军 -专利权人：深圳市蓝蜂时代实业有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种抑制电容器啸叫的电路板结构，电路板结构包括基板、TOP层和BOTTOM层，TOP层和BOTTOM层分别固定设置在基板两侧，所述TOP层内设有上线路层，所述BOTTOM层内设有下线路层，所述的电路板结构还包括第一电容器组和第二电容器组，所述第一电容器组设置在TOP层上，且与上线路层电性连接，所述第二电容器组设置在BOTTOM层上，且与下线路层电性连接，所述第一电容器组与所述第二电容器组相互对应设置第一电容器组与第二电容器组相互垂直，使得第一电容器组、第二电容器组产生的机械震荡在TOP层与BOTTOM层相互抵消，进而消除啸叫问题，提高用户的使用满意度，增强了产品竞争力。
一种抑制电容器电路板结构

[发明专利]高电容单层电容器及其制造方法-CN201480071924.9在审
发明人： P·K·苏德;C·纳多;J·T·切瑞;B·奥尼尔 -专利权人：楼氏卡泽诺维亚公司
申请日： 2014-11-20 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01G4/06 文献下载
摘要：一种电容器，该电容器包括：介电基体、金属化层、以及形成在金属化层的一部分上的非常薄的介电层，电极形成在该介电层上。本发明的方法允许形成电容器的阵列，以提供在较厚介电基板上支撑的非常薄的功能性介电层。所得到的电容器具有针对其大小的极高电容。
电容单层电容器及其制造方法

[实用新型]半导体集成电路的电容器-CN201620733279.9有效
发明人：李韩民;崔潘秋;欧权孙;洪森门;洪森文;柳坤汉 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2016-07-12 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：半导体集成电路的电容器。本实用新型提供一种半导体集成电路的电容器，例如，一种半导体集成电路的金属‑绝缘体‑金属(MIM)类型电容器，所述半导体集成电路的MIM类型电容器能够提高电容器的电极层与介电层之间的粘附力。例如，本实用新型提供一种具有新结构的半导体集成电路的电容器，所述电容器通过在金属电极层与介电层之间(具体来说，在下部电极层与介电层之间)另外形成能够减小或补偿热膨胀系数差的缓冲层来防止所述下部电极层与所述介电层之间的界面上的分层现象
半导体集成电路电容器

[发明专利]具有与晶体管栅极叠层分离的铁电电容器的存储器单元-CN202011539300.9在审
发明人： N·哈拉蒂波尔;S·希瓦拉曼;S-C·常;J·T·卡瓦莱罗斯;U·E·阿夫西;林家庆;成承训;A·V·佩努马特查;I·A·扬;D·R·梅里尔;M·V·梅茨;I-C·童 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：本公开的发明名称是“具有与晶体管栅极叠层分离的铁电电容器的存储器单元”。本文中描述了铁电（FE）存储器单元，其包含具有与这些单元的FE电容器分离的栅极叠层的晶体管。示例存储器单元可被实现为包含支持结构（例如，衬底）和提供在支持结构之上并包含栅极叠层的晶体管的IC装置。该IC装置还包含FE电容器，该FE电容器具有第一电容器电极、第二电容器电极和在第一电容器电极与第二电容器电极之间的FE材料的电容器绝缘体，其中FE电容器与栅极叠层分离（即，不集成在栅极叠层内，并且不具有作为栅极叠层一部分的任何层该IC装置进一步包含互连结构，该互连结构被配置成将栅极叠层和第一电容器电极电耦合。
具有晶体管栅极分离电容器存储器单元

[实用新型]多层陶瓷电容器及多层陶瓷电容器组件-CN202320611395.3有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：苏州昀冢电子科技股份有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01G4/232 文献下载
摘要：本实用新型提供一种多层陶瓷电容器及多层陶瓷电容器组件，包括电容器本体及设置于电容器本体的至少两个子电容器，电容器本体包括层叠的多个介电层以及由介电层间隔的多层内电极层，内电极层包括若干内电极，相邻两内电极层的沿厚度方向对应的两内电极构成内电极对，内电极对包括交错层叠的第一内电极和第二内电极，每一子电容器包括设置于子电容器相对两侧供电子元件插设于内的导电插孔，其中一导电插孔至少部分穿过对应子电容器的全部第一内电极并与对应的第一内电极电性连接，另一导电插孔至少部分穿过对应子电容器的全部第二内电极并与对应的第二内电极电性连接该多层陶瓷电容器能够降低其与电子元件连接时结合对位的难度。
多层陶瓷电容器组件

[发明专利]双电荷层电容器-CN200410057472.7无效
发明人：河田洋平;中岛宏 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2004-08-12 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： H01G9/038 文献下载
摘要：一种双电荷层电容器，所述安装在基板上的双电荷层电容器中设有具有电解液的隔膜和密封件，电解液采用碳酸丙烯酯(PC)、密封件采用四氟乙烯全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)。根据本发明，在用回流方法等将硬币结构的双电荷层电容器安装在电路板上时，抑制双电荷层电容器的密封件、电解液的有机溶剂、和支持盐等材料间的反应，抑制密封件的变形和抑制电解液组织变化，得到的双电荷层电容器的充放电性能优良
电荷电容器

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法、封装树脂形成方法-CN200780051751.4有效
发明人：永井孝一 -专利权人：富士通微电子株式会社
申请日： 2007-02-27 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明的铁电电容器具有：晶体管层，其形成在半导体衬底上；铁电电容器层，其形成在晶体管层的上方；配线层，其形成在铁电电容器层的上方；以及钝化膜。该铁电电容器的特征在于，在铁电电容器层和钝化膜之间，形成有至少一层阻挡膜，该阻挡膜用于抑制水分以及氢向下层渗透，钝化膜含有酚醛清漆树脂。
半导体存储器件及其制造方法封装树脂形成