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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]多元醇的脱色和除臭方法-CN201880040458.6有效
发明人： 李政埈;全商晙;南凞根 -专利权人： GS 加德士
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C07C29/80 文献下载
摘要：在本发明的实施例的多元醇的脱色和除臭方法及系统中，制备包含通过分离工序获得的第一多元醇的混合液。通过对混合液进行蒸馏处理，以预先除去异色异味物质，产生预处理液。对预处理液进行吸附处理。通过蒸馏处理和吸附处理的组合，可以提高异色异味物质的除去率。
多元脱色除臭方法

[发明专利]陶瓷切割方法及陶瓷切割设备-CN202180030522.4在审
发明人： 李政埈;柳智娟 -专利权人： ITI株式会社
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： B23K15/08 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷切割方法及陶瓷切割设备，本发明包括：光束照射部，用于照射具有被图案吸收并有一部分被陶瓷吸收的波长的光束；以及冷却剂喷射部，用于向光束所照射的陶瓷喷射冷却剂，在加热陶瓷的同时进行冷却来去除部分图案或全部图案，利用陶瓷的上部层或全部因再结晶化而产生的应力或陶瓷的上部层或全部因热膨胀及收缩而产生的应力来减少热损失，实现切割，由此，在加热陶瓷的同时进行冷却来实现再结晶化或熔融之前的加热、冷却并向内部施加热应力，在此情况下，不仅可防止产生陶瓷材料的损失，而且可通过额外的分离工序执行切割。
陶瓷切割方法设备

[发明专利]使用中靶靶标和脱靶靶标的多重靶标系统筛选靶特异性核酸酶的方法及其用途-CN201780037444.4有效
发明人： 李政埈 -专利权人：株式会社图尔金
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C12Q1/44 文献下载
摘要：本发明涉及对具有高特异性和高活性的靶特异性核酸酶进行选择的方法，更具体而言，本发明涉及通过使用能够同时识别脱靶活性和中靶活性的多重靶标系统对靶特异性核酸酶系统进行筛选和选择的方法。通过本发明，能够选择脱靶效应降低且中靶效应提高的靶特异性核酸酶。
使用靶标脱靶多重系统筛选特异性核酸酶方法及其用途

[发明专利]单碱基置换蛋白以及包含其的组合物-CN202080053009.2在审
发明人：裵承敏;金荣勋;李政埈 -专利权人：株式会社图尔金
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： C12N9/22 文献下载
摘要：本申请涉及单碱基置换蛋白；包含该蛋白的组合物；及其用途。
碱基置换蛋白以及包含组合

[发明专利]靶特异性CRISPR突变体-CN201980097883.3在审
发明人：李俊善;郑民熙;崔有利;李政埈 -专利权人：株式会社图尔金
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C12N9/22 文献下载
摘要：本发明涉及人工修饰的CRISPR/Cas9系统。更具体而言，本发明涉及具有改善的靶特异性的人工修饰的CRISPR酶以及包含所述酶的人工修饰的CRISPR/Cas9系统在基因组和/或表观基因组修饰或工程化、基因组靶向、基因组编辑以及体外诊断中的用途。
特异性 crispr 突变体

[发明专利]靶特异性CRISPR变体-CN201880058272.3在审
发明人：金荣勋;郑民熙;李俊善;辛恩智;李康寅;金奭中;李政埈 -专利权人：株式会社图尔金
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： C12N9/22 文献下载
摘要：本发明涉及人工操纵的CRISPR/Cas9系统。更具体而言，本发明涉及具有增强的靶特异性的人工操纵的CRISPR酶以及包含相同酶的人工操纵的CRISPR/Cas9系统在基因组和/或表观基因组操纵或修饰、基因组靶向、基因组编辑以及体外诊断中的用途。
特异性 crispr 变体

[发明专利]用于底层的芳香族树脂-CN201510373988.0有效
发明人：韩善华;赵诚昱;片海光;李政埈;山田晋太郎 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司;罗门哈斯电子材料韩国有限公司
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： C08G61/02 文献下载
摘要：某种芳香族醇与某种二芳基取代的脂肪族醇的聚合反应产物被用作半导体生产工艺中的底层。
用于底层芳香族树脂

[发明专利]双电层电容器电极用活性炭及其制造方法-CN201610429441.2在审
发明人： 李政埈;郑煐珍;赵问圭;李镕宝 -专利权人：鲍尔卡本技术有限公司
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： C01B32/348 文献下载
摘要：本发明涉及双电层电容器电极用活性炭及其制造方法。所述双电层电容器电极用活性炭的利用氮吸附法的比表面积BET为500～3,000m2/g，并且在内部、表面或这两处包含硼(B)，活性炭内硼与碳的重量比B/C为15重量％以下。本发明中，通过常温湿法工序将活化工序之后存在于活性炭表面的大量含氧官能团(OFGs)有效还原并去除，从而能够提高经济性和生产性，并且通过使热处理后的活性炭的比表面积(BET)减小最小化，能够为具备其的双电层电容器提供优异的初期容量和寿命特性。
双电层电容器电极活性炭及其制造方法

[发明专利]双电层电容器电极用活性炭及其制造方法-CN201510810264.8在审
发明人：郑煐珍;赵问圭;李政埈;李镕宝 -专利权人： GS爱能吉股份有限公司
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： C01B32/324 文献下载
摘要：本发明涉及双电层电容器电极用活性炭及其制造方法，上述活性炭的特征在于，因存在于表面的氧官能团的数量受到控制而使表面氧浓度指数低。
双电层电容器电极活性炭及其制造方法

[发明专利]半导体存储装置和利用其的存储系统-CN200610007026.4无效
发明人： 李政埈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-02-14 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： G11C7/22 文献下载
摘要：提供一种半导体存储装置和利用该装置的存储系统。半导体存储装置包括：输入数据延迟时间调节器，用于在输入数据延迟测试操作期间，响应于控制信号，改变输入延迟时间，选择n比特输入数据的一个比特，将所选的一个比特延迟输入延迟时间并输出延迟的比特；和输出数据延迟时间调节器，在输出数据延迟测试操作期间，响应于控制信号，改变输出延迟时间，选择m比特输出数据的一个比特，将所选的一个比特延迟输出延迟时间并输出延迟的比特，其中输入数据延迟时间调节器被配置用于n比特输入数据，并且其中输出数据延迟时间调节器被配置用于m比特输出数据。
半导体存储装置利用存储系统

[发明专利]存储模块及安装存储器件形成存储模块的方法-CN200510129475.1无效
发明人：金度亨;具昌佑;李政埈;高基显 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-12-09 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L25/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储模块及一种在PCB上安装存储器件以形成存储模块的方法，能够充分地减少不必要的走线空间，并改善信号衰减的性能。在具有伸长轴的印刷电路板(PCB)上安装并顺序连接至少两个存储器件以形成存储模块的方法中，至少一个存储器件安装在PCB的至少一面上，以便沿着至少一个存储器件纵轴的基线相对于PCB的伸长轴成锐角。
存储模块安装器件形成方法

[发明专利]存储器模块-CN200410092129.6无效
发明人：苏秉世;赵正显;李政埈;李载浚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-08-13 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： G11C5/00 文献下载
摘要：在存储器模块中，在该存储器模块内至少两个电路板中的一个电路板上配置一个缓冲器。该缓冲器是用于为在存储器模块内至少两个电路板上的存储器芯片缓冲信号的。
存储器模块

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