“双异质结”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果915944个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种高耐压增强型的双异质结栅极HEMT及其制备方法-CN202210382860.0在审
发明人：尹以安;李佳霖 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种高耐压增强型的双异质结栅极HEMT及其制备方法，其包括依次层叠于衬底上的成核层、缓冲层、p型埋层、沟道层、插入层和势垒层，势垒层上设置有双异质结栅极、源极和漏极，其中双异质结栅极由PNP双异质结帽层和位于双异质结帽层上的栅极金属层组成该器件中双异质结栅极与势垒层接触能够耗尽沟道的二维电子气，使得器件阈值电压提高，且在器件想达到导通状态时，PNP型双异质结作为两个面对面的二极管，这两个二极管会消耗一定的压降，使得达到沟道层的电压减小，进而使得器件的阈值电压进一步提高，且PNP型双异质结能够防止电子从栅极进入沟道层，从而减小了栅极泄漏电流，提高器件的击穿电压。
一种耐压增强双异质结栅极 hemt 及其制备方法

[发明专利]一种利用电阻进行耦合和匹配的单片低噪声放大器-CN200910243741.1无效
发明人：刘新宇;程伟;金智;王显泰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H03F1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用电阻进行耦合和匹配的单片低噪声放大器，采用异质结双极型晶体管作为有源器件，包括第一级放大电路和第二级放大电路，第一级放大电路采用共发射极放大器拓扑结构，其有源器件为第一异质结双极型晶体管，第一异质结双极型晶体管的基极是该放大器的信号输入端，第一异质结双极型晶体管的集电极是第一级放大电路的信号输出端；第二级放大电路采用达林顿对管结构，其有源器件为第二异质结双极型晶体管和第三异质结双极型晶体管，其中第二异质结双极型晶体管的基极是达林顿结构的输入端，第二异质结双极型晶体管和第三异质结双极型晶体管的集电极是达林顿结构的输出端。
一种利用电阻进行耦合匹配单片低噪声放大器

[发明专利]一种具有钙钛矿能级修饰层的双体异质结有机太阳能电池及其制备方法-CN201910188032.1在审
发明人：黄江;董怀远;何磊;侯思辉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有钙钛矿能级修饰层的双体异质结有机太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池依次包括衬底、第一电极层、功能层、第二电极层，其特征在于：所述功能层包括第一有机体异质结层和第二有机体异质结层，并在第一有机体异质结层与第二有机体异质结层之间插入钙钛矿修饰层，所述第一有机体异质结层靠近第一电极层，第二有机体异质结层靠近第二电极层。本发明通过将钙钛矿能级修饰层引入双体异质结有机太阳能电池中，有效的解决了传统双体异质结有机太阳能电池开路电压较低的问题，提升电池效率，简化了制备工艺。
有机体异质结层有机太阳能电池钙钛矿修饰层异质结双体能级第二电极第一电极功能层制备太阳能电池电池效率开路电压制备工艺衬底引入

[发明专利]双异质结纳米棒及其制备方法及发光二极管-CN201911426017.2有效
发明人：苏亮 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开一种双异质结纳米棒及其制备方法及发光二极管。所述双异质结纳米棒的制备方法包括：将第一反应剂与第二反应剂混合进行反应，制备纳米颗粒溶液；在所述纳米颗粒溶液中加入第三反应剂，制备单异质结纳米棒溶液；在所述单异质结纳米棒溶液中加入第四反应剂与第五反应剂，制备双异质结纳米棒。本发明提供一种双异质结纳米棒及其制备方法及发光二极管，旨在解决现有技术中基于量子点的电致发光二极管的寿命较短的问题。
双异质结纳米及其制备方法发光二极管

[发明专利]一种改善磷化铟异质结双极型晶体管散热的制备方法-CN202011493926.0在审
发明人：吴立枢;戴家赟;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善磷化铟异质结双极型晶体管散热的制备方法，包括：磷化铟异质结双极型晶体管正面与临时载片键合；将磷化铟异质结双极型晶体管的磷化铟衬底以及亚集电极层去除；在集电极层背面沉积集电极金属；在集电极金属上旋涂一层BCB固化同时刻蚀掉集电极金属表面BCB再沉积键合金属；利用键合金属将磷化铟异质结双极型晶体管与高热导率衬底键合；最后将临时载片去除。本发明利用金属键合工艺将磷化铟异质结双极型晶体管与高热导率衬底结合在一起，可提高磷化铟异质结双极型晶体管的散热效果。
一种改善磷化铟异质结双极型晶体管散热制备方法

[发明专利]一种以双异质结为光敏层的有机近红外光上转换器-CN201610079906.6在审
发明人：彭应全;许自强;吕文理;王颖 -专利权人：中国计量学院
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种以双异质结为光敏层的有机近红外光上转换器，其特征在于，它采用“衬底/透明阳极/双异质结光敏层/OLED活性层/阴极”的下置结构，或“衬底/透明阴极/OLED活性层/双异质结光敏层/无论是采用上置结构或者下置结构，双异质结光敏层从下往上依次为模板层、近红外光吸收层和电子受体层。
一种双异质结为光敏有机红外光转换器

[发明专利]一种基于硅衬底的磷化铟异质结双极型晶体管的制备方法-CN201510394761.4在审
发明人：吴立枢;赵岩;程伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明是一种基于硅衬底的磷化铟异质结双极型晶体管的制备方法，包括以下步骤：1）准备样品；2）在磷化铟异质结双极型晶体管圆片上涂敷光刻胶；3）临时键合；4）背面工艺；5）涂敷BCB；6）清洗硅衬底表面；7优点：可将磷化铟异质结双极型晶体管完整剥离转移到硅衬底上，工艺简单，转移中不会对磷化铟异质结双极型晶体管造成破坏。
一种基于衬底磷化铟异质结双极型晶体管制备方法

[发明专利]一种大面积双异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202211407852.3在审
发明人：张昊 -专利权人：张昊
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H10K30/57 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积双异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池包括透明玻璃衬底、ITO层、电子传输层、双异质结钙钛矿层、空穴传输层以及金属电极层。双异质结钙钛矿层由三层带隙可调的Sn、Pb基钙钛矿结构组成，双异质结的钙钛矿层，吸收光谱更宽，更加容易与电子传输层和空穴传输层的能级匹配，同时光损失更低，转换效率更高，双异质结钙钛矿层由于能带重叠的区域多同时对于钙钛矿层，保护层材料为2‑莰酮含有醛基，起到钝化表面缺陷的作用，能够提高双异质结钙钛矿层质量，提升转换效率。
一种大面积双异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种垂直双异质结光探测器面阵及其制作方法-CN202010386632.1有效
发明人：彭铭曾;郑新和;卫会云 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直双异质结光探测器面阵及其制作方法，该垂直双异质结光探测器面阵包括透明基底，该透明基底上设置有下欧姆接触层，该下欧姆接触层上设置有多个柱形双异质结探测器单元，多个柱形双异质结探测器单元在下欧姆接触层上有序排列，形成柱形双异质结探测器阵列；每一柱形双异质结探测器单元分别包括自下而上设置的下光吸收层、中光吸收层、上光吸收层以及上欧姆接触层；在下欧姆接触层上设置有共电极，每一上欧姆接触层上分别设置有上电极，多个上电极形成上电极阵列
一种垂直双异质结光探测器及其制作方法

[发明专利]一种具有单极性电压调控性能的异质结突触晶体管及其制备方法-CN202211113305.4在审
发明人：王一如;聂诗淼;凌海峰;解令海 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术和神经形态硬件领域，具体涉及一种具有单极性电压调控性能的异质结突触晶体管及其制备方法。本发明所述异质结突触晶体管，从下至上依次为衬底（1）、栅电极（2）、栅绝缘层（3）、电荷俘获层（4）、P/N异质结（5）和源漏电极（6）。所述的P/N异质结分为P型半导体层和N型半导体层两层。本发明利用制备的P/N异质结结构以及电荷俘获层实现异质结突触晶体管的双极性特性，即异质结突触晶体管既能实现N型特性也能实现P型特性。并且在异质结突触晶体管双极性的基础上，通过P/N异质结和电荷俘获层的协同或者竞争作用，结合单极性电压的调控方法，能够实现器件单极性电压的可调控制。
一种具有极性电压调控性能异质结突触晶体管及其制备方法

[发明专利]基于水转印双体异质结的有机光电探测器及其制备方法-CN202210709005.6在审
发明人：于军胜;李昱昊;张大勇;刘宇哲 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于水转印双体异质结的有机光电探测器及其制备方法，有机探测器采用反型结构，从下至上依次设置为衬底、透明导电阴极ITO、电子传输层、光活性层、空穴传输层和金属阳极。其中光活性层由底层体异质结活性层与顶层体异质结活性层组成，且底层体异质结活性层和顶层体异质结活性层有明显的分层。制备出高效探测性能的有机光电探测器件，在维持光电流较高水平的情况下，同时解决传统体异质结结构暗电流高的问题。进一步地，通过水转印工艺有效解决了传统溶液处理带来的双体异质结互相渗透的问题。
基于水转印双体异质结有机光电探测器及其制备方法

[发明专利]磷化铟双异质结双极型晶体管-CN202210387714.7在审
发明人：王悦 -专利权人：虎翅凌云集成电路制造有限责任公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明涉及一种磷化铟双异质结双极型晶体管，属于半导体器件技术领域。本发明公开的磷化铟双异质结双极型晶体管结构，在磷化铟衬底上采用应变铟砷磷过渡区消除了铟镓砷基区与磷化铟集电区之间的导带势垒，构建出无电子阻挡效应的双异质结双极型晶体管，提升了所述晶体管在频率、增益与击穿电压方面的电学性能
磷化铟双异质结双极型晶体管

[发明专利]一种自适应线性化射频偏置电路-CN201910340074.2有效
发明人：张志浩;章国豪;蓝焕青;钟立平;黄国宏;唐浩 -专利权人：河源广工大协同创新研究院
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种自适应线性化射频偏置电路，包括线性化偏置电路和射频放大器单元电路；所述线性化偏置电路通过自适应线性补偿电路与所述射频放大器单元电路连接；所述线性化偏置电路包括异质结双极型晶体管HBT2、异质结双极型晶体管HBT3、异质结双极型晶体管HBT4、电阻R3、电阻R4、电阻R5和电容C2；所述异质结双极型晶体管HBT4的集电极与所述线性化偏置电路端口连接；本发明通过自适应线性补偿电路的异质结双极型晶体管HBT4的反馈实现自适应线性补偿，异质结双极型晶体管HBT0可以根据输出功率的大小选择偏置状态，功率放大器在兼顾效率的同时提高了线性度；能够有效地改善HBT的增益压缩和相位失真特性；结构简单，尺寸小，成本低
一种自适应线性化射频偏置电路

[发明专利]量子点修饰的双体异质结有机太阳能电池及其制备方法-CN201910188544.8有效
发明人：黄江;董怀远;侯思辉;何伊玫 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明涉及有机光电器件技术领域，具体公开了一种量子点修饰的双体异质结有机太阳能电池及制备方法。本发明的太阳能电池包括阳极、阴极以及设置在阳极和阴极之间的功能层，功能层包括第一有机体异质结层、第二有机体异质结层以及位于第一有机体异质结层与第二有机体异质结层之间的量子点修饰层；功能层还可包括空穴传输层本发明通过在双体异质结太阳能电池中引入量子点修饰层，有效的提升了双体异质结有机太阳能电池的开路电压和短路电流，获得了较现有技术有所提升的转换效率。
量子修饰双体异质结有机太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法-CN201610253781.4有效
发明人：汪耀祖 -专利权人：杭州立昂东芯微电子有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法。铟镓磷异质结双极型晶体管从下至上依次包括衬底、重掺杂次集电极区层、重掺杂铟镓磷蚀刻终止层、轻掺杂集电区层、基区层、轻掺杂铟镓磷发射区层和重掺杂发射帽层。本发明能够有效提高异质结双极型晶体管的线性度和可靠性。
一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条