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[实用新型]用于汽车仪表的双向导通的静电保护电路及汽车仪表-CN201821914915.3有效
发明人：周海燕;付显波;李奇佩;冉华荣;邹耀;骆剑斌;华宇;周青松 -专利权人：重庆矢崎仪表有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于汽车仪表的双向导通的静电保护电路及汽车仪表，所述用于汽车仪表的双向导通的静电保护电路包括LVDS接口、第一双向TVS二极管以及第二双向TVS二极管；LVDS接口的低压差分信号正极输入端LVDS+连接第一双向TVS二极管的第一引脚，第一双向TVS二极管的第二引脚接地；LVDS接口的低压差分信号负极输入端LVDS‑连接第二双向TVS二极管的第一引脚，第二双向TVS二极管2的第二引脚接地。
汽车仪表静电保护电路双向导通低压差分信号本实用新型内部电路引脚接地引脚仪表负极输入端正极输入端保护仪器静电电压静电负向正向释放

[实用新型]有源微波电路的双平衡混频器-CN201720103352.9有效
发明人：何涛 -专利权人：成都杰联祺业电子有限责任公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H03D7/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种有源微波电路的双平衡混频器，包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、变换器U1和变换器U2，所述二极管D1、二极管D2、二极管D3和二极管D4连接成整流电路，所述变换器U1次级两端分别与所述二极管D1、二极管D2、二极管D3和二极管D4组成的整流电路的两端连接，所述变换器U1初级两端分别与所述二极管D1、二极管D2、二极管D3和二极管D4组成的整流电路的另外两端连接。
有源微波电路平衡混频器

[发明专利]具温度感测的发光二极管封装技术-CN200410064442.9无效
发明人：吴政男;索灵劳伦提尼各鲁 -专利权人：雅捷科技股份有限公司
申请日： 2004-08-25 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明是有关于一种具温度感测的LED封装，包括：一LED灯罩；至少一发光二极管晶粒，封装于LED灯罩中；以及一双载子晶体管，封装于LED灯罩中，并位于发光二极管晶粒旁，以感测发光二极管晶粒的温度。上述双载子晶体管的基极连接集极端。上述LED灯罩外有一控制电路连接发光二极管晶粒与双载子晶体管，接收双载子晶体管射极端与集极端之间的电压，并利用双载子晶体管电压与温度的线性关系，调整该控制电路的输出电流，使发光二极管晶粒的温度维持恒定。
温度发光二极管封装技术

[发明专利]一种逆导绝缘栅双极型晶体管结构及其制备方法-CN202310673738.3在审
发明人：胡洪兴;方敏 -专利权人：广东巨风半导体有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种逆导绝缘栅双极型晶体管结构及其制备方法，涉及功率器件技术领域，其包括绝缘栅双极型晶体管区域和二极管区域；二极管区域包括快恢复二极管阴极结构、第二漂移区结构和快恢复二极管阳极结构；快恢复二极管阴极结构包括二极管区域的下表面N+区和P+区组成的场电荷抽取二极管结构和位于场电荷抽取二极管结构上表面的第三金属结构；第二漂移区结构包括第二N‑基区和第二N型缓冲区。通过采用这种提高的FCE效应的二极管，在IGBT的反向恢复后期能够得到注入空穴的支持，从而可以持续输出稳定下降的电流，使得电流和电压的震荡减弱，实现了开关二极管的软恢复过程，并能够降低正向导通和反向恢复的总消耗
一种绝缘栅双极型晶体管结构及其制备方法

[实用新型]低功耗、高隔离单刀双掷开关电路-CN201220186049.7有效
发明人：邵高强 -专利权人：成都泰格微波技术股份有限公司
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低功耗、高隔离单刀双掷开关电路，它由两个互为对称的串联支路组成，第五PIN二极管D5与匹配电阻R1并联后于第一PIN二极管D1串联，第二PIN二极管D2、第三PIN二极管D3和第四PIN二极管D4依次并联在第一PIN二极管D1的负极与第五PIN二极管D5的正极之间，第二PIN二极管D2、第三PIN二极管D3和第四PIN二极管D4的负极分别接地。本实用新型单刀双掷开关的两个输入端做成吸收式，解决了功分器两个输出端口的匹配问题；增设的并联型PIN二极管，采用一串三并式二极管分布，提高了开关电路的隔离度；此外，本开关电路还具有结构简单、功耗低、使用方便且成本低等特点
功耗隔离单刀开关电路

[实用新型]一种防静电编码器电路-CN201720089977.4有效
发明人：刘文龙;李重材 -专利权人：济南轲盛自动化科技有限公司
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本实用新型提供的防静电编码器电路包括电源模块、第一双向二极管、第二双向二极管和电源地；电源模块具有电源输入端、电源输出端和电源接地端，电源模块通过其电源输入端接入外部电源，并将外部电源转换为工作电压，并通过电源输出端将工作电压输出；电源输入端与第一双向二极管的一端连接，电源输出端与第二双向二极管的一端连接，第一双向二极管的另一端、第二双向二极管的另一端和电源接地端均与电源地连接。该防静电编码器电路通过在电源模块端设置两个双向二极管，可有效抑制高压静电和电弧，实现对电路元器件的保护，提高电路可靠性，节约企业和社会资源。
一种静电编码器电路

[实用新型]具光电耦合隔离的智能功率模块及三相全桥驱动电路-CN202223379801.2有效
发明人：黄进文 -专利权人：四川美阔电子科技有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H02M1/092 文献下载
摘要：本实用新型公开了具光电耦合隔离的智能功率模块及三相全桥驱动电路，其中，具光电耦合隔离的智能功率模块包括封装为一体的发光二极管、光电二极管、IGBT驱动集成电路及绝缘栅双极型晶体管，发光二极管与光电二极管之间设有透光绝缘层，发光二极管用于输入启动电讯号并将电讯号转换成光讯号，透光绝缘层用于透过光讯号并传输给光电二极管，光电二极管用于接收光讯号并转换成电讯号，光电二极管将其转换的电讯号传输至IGBT驱动集成电路，IGBT驱动集成电路用于将其接收到的电讯号放大并发送至绝缘栅双极型晶体管，绝缘栅双极型晶体管接收放大后的电讯号作为驱动其启动的电流讯号。
光电耦合隔离智能功率模块三相驱动电路

[发明专利]太赫兹频段双缝型混频天线-CN201210384791.3有效
发明人：胡延安 -专利权人：胡延安
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：本发明提供了太赫兹频双缝型混频天线、太赫兹频段双缝型亚谐波混频天线以及太赫兹频段双缝型亚谐波可偏置混频天线。所述混频天线包括双缝型天线和肖特基二极管，肖特基二极管包括肖特基接触电极、欧姆接触电极和电镀引线，肖特基二极管位于双缝型天线的射频馈电端口位置；采用半导体工艺制作肖特基二极管和双缝型天线，肖特基二极管和双缝型天线以同一半绝缘砷化镓层为衬底
赫兹频段双缝型混频天线

[发明专利]具有指纹识别功能的OLED显示面板、显示装置及制备方法-CN202010737863.2在审
发明人：任怀森;侯鹏;杨柯;夏维;韩永占;李杰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种具有指纹识别功能的OLED显示面板、显示装置及制备方法，包括基板，基板上形成多个双栅TFT和多个单栅TFT，每个双栅TFT上方均设有PIN光电二极管，每个PIN光电二极管的N极均连接至双栅TFT的顶栅极；PIN光电二极管远离双栅TFT的一侧设有发光层，发光层包括间隔设置的多个子像素，PIN光电二极管设置在子像素之间。根据本申请实施例提供的技术方案，通过在显示面板上设置多个PIN光电二极管和与该PIN光电二级管相连的双栅TFT，使得该双栅TFT的源流电流由底栅偏压和因为PIN光电二极管引起的顶栅偏压共同作用，即该双栅
具有指纹识别功能 oled 显示面板显示装置制备方法

[实用新型]双色发光二极管-CN200520088197.5无效
发明人：李世煌 -专利权人：李世煌
申请日： 2005-10-18 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本实用新型双色发光二极管，涉及半导体发光器件，特别是涉及一种发光二极管。它是在一个封装结构内设置两只不同单色的发光二极管，其中第一只发光二极管的正电极与第二只发光二极管的负电极相互连接后由一只引出脚向外引出；第一只发光二极管的负电极由另一只引出脚向外引出，第二只发光二极管的正电极由第三只引出脚向外引出；或者第一只发光二极管的负电极与第二只发光二极管的正电极相互连接后由另一只引出脚向外引出。解决现有一只双色发光二极管的四条引出脚连接关系过于繁琐的问题。
发光二极管

[发明专利]一种具有高浪涌电流的碳化硅MPS二极管-CN202111528940.4在审
发明人：罗茂久;邢婷婷;钮应喜;袁松;彭强;乔庆楠 -专利权人：芜湖启迪半导体有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明揭示了一种具有高浪涌电流的碳化硅MPS二极管，依次由阴极欧姆接触电极、碳化硅N+衬底、碳化硅N‑外延层层叠构成，所述碳化硅N‑外延层上间隔设置有多个P+注入区，所述P+注入区上设有欧姆接触电极，所述欧姆接触电极之间的间隙由肖特基接触电极填充，所述碳化硅N‑外延层两侧均设有双极性传输层。本发明MPS二极管由于变掺杂的双极性传输层存在，降低了MPS二极管的PN结导通电压，使二极管可以在更低的电流下提前进入双极性工作状态，发生电导调制效应，使二极管的导通电阻降低，降低二极管在大电流下的芯片温度，从而提高二极管的抗浪涌电流能力，也能提高MPS二极管的反向击穿电压。
一种具有浪涌电流碳化硅 mps 二极管

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管电路、相关应用系统和制造方法-CN202210726770.9在审
发明人：冯宇翔;张土明;华庆 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管电路、绝缘栅双极型晶体管应用系统以及绝缘栅双极型晶体管电路制造方法，绝缘栅双极型晶体管电路包括三极管、反相器、第一续流二极管、第二续流二极管、第一晶体管以及第二晶体管。本发明的绝缘栅双极型晶体管电路、绝缘栅双极型晶体管应用系统以及绝缘栅双极型晶体管电路制造方法可选择并联不同型号的续流二极管且应用范围广。
绝缘栅双极型晶体管电路相关应用系统制造方法

[发明专利]一种具有双沟道二极管的沟槽栅SiC MOSFET器件及其制备方法-CN202210876407.5有效
发明人：李伟聪;陈钱;姜春亮;雷秀芳 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体器件技术领域，具体涉及一种具有双沟道二极管的沟槽栅SiC MOSFET器件及其制备方法，通过第二源极多晶硅与第二沟道二极管氧化层、第二P型区和第二源区配合设置形成第二沟道二极管；通过源沟槽与第一沟道二极管栅氧化层、基区和第一源区配合设置形成第一沟道二极管；由于两个沟道二极管的开启电压不同，在二极管电流较低时，其中一个二极管导通；在二极管电流较高时，第一沟道二极管和第二沟道二极管都导通；双沟道二极管的设置在为器件提供反向并联续流二极管，能够有效提高二极管的抗浪涌性能，并且有效避免了寄生PN结二极管导通，防止发生双极退化效应。
一种具有沟道二极管沟槽 sic mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种采用多基岛引线框架的芯片封装结构-CN202010189763.0在审
发明人：李阳德;周占荣;徐鹏 -专利权人：上海晶丰明源半导体股份有限公司
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用多基岛引线框架的芯片封装结构，通过将一颗双N衬底二极管和一颗双P衬底二极管分别放在两个不同基岛上，组成二极管整流桥堆；相比传统的四颗独立二极管整流桥堆，该方案实现更简单、操作更容易、
一种采用多基岛引线框架芯片封装结构

[实用新型]一种组织氧检测探头-CN201220604063.4有效
发明人：李岳;祝建平;李南;张炜 -专利权人：苏州爱琴生物医疗电子有限公司
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： A61B5/1455 文献下载
摘要：一种组织氧检测探头，其包括第一电路板、第二电路板、一个双波长发光二极管、一个单波长发光二极管以及两个光敏管，组织氧检测探头为一体浇铸成型结构，双波长发光二极管与单波长发光二极管焊接于第一电路板上，两个光敏管焊接于第二电路板上，两个光敏管的中心线垂直于双波长发光二极管与单波长发光二极管的连线，垂足为双波长发光二极管与单波长发光二极管连线的中点。
一种组织检测探头