专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种时空调制自旋-轨道耦合分布结构的方法及装置-CN202211675189.5在审
  • 宋淑伟;徐勤政;刘腾阳 - 哈尔滨理工大学
  • 2022-12-26 - 2023-03-21 - G21K1/00
  • 本发明公开了一种时空调制自旋‑轨道耦合分布结构的方法及装置,该装置包括真空结构和激光产生结构;真空结构,用于捕获控制超冷原子气体和目标超冷原子气体,其中,控制超冷原子气体和目标超冷原子气体之间存在自旋‑交换相互作用;激光产生结构,用于在真空结构中产生多个不同激光束,用以制备控制超冷原子气体的光学势阱,对控制超冷原子气体的时空密度分布进行调控,以在目标超冷原子气体中产生时空调制的自旋‑轨道耦合强度分布。本发明通过光学势阱对控制超冷原子气体的密度进行直接调控,对目标超冷原子气体中的有效自旋‑轨道耦合进行间接调控,本发明提供的装置结构简洁且动态可调,适用性强。
  • 一种时空调制自旋轨道耦合分布结构方法装置
  • [发明专利]原子层级的等离子体刻蚀方法-CN201110315395.0有效
  • 韩秋华;隋运奇 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2011-10-17 - 2013-04-17 - H01L21/3065
  • 一种原子层级的等离子体刻蚀方法,包括:提供单一元素的半导体衬底;通入刻蚀反应气体,等离子化后刻蚀反应气体与半导体衬底的表层原子发生反应生成化合物,刻蚀气体引入的原子与半导体衬底的表层原子的结合将使得半导体衬底的表层原子与其相邻层的原子的结合力大大降低,以至低于刻蚀气体引入的原子与半导体衬底的表层原子的结合力;采用溶液溶解刻蚀反应气体与半导体衬底的表层原子发生反应后所生成的化合物,得到被剥去一层原子的半导体衬底。采用本发明提供的技术方案,同样可以得到被剥去一层原子的半导体衬底,且避免了现有技术中需采用中性原子气体轰击,因此,对工艺条件要求低,易于实现且成本较低。
  • 原子层级等离子体刻蚀方法
  • [发明专利]增加原子层沉积速率的方法-CN02149043.0有效
  • 吴志远;林国楹;蔡嘉雄 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2002-11-20 - 2004-06-09 - H01L21/20
  • 一种增加原子层沉积速率的方法。首先,提供一基底于一原子层沉积反应室中,通过第一反应气体入口导入第一反应气体,使第一反应气体化学吸附于基底上;然后,导入惰性气体来吹净原子层沉积反应室内部,但仍残留部分第一反应气体原子层沉积反应室中;接着,通过第二反应气体入口导入第二反应气体,使第二反应气体与吸附于基底上的第一反应气体产生化学反应,并且同时地第二反应气体与残留的第一反应气体产生化学反应,因而形成一化合物层于基底上;之后,导入惰性气体来吹净原子层沉积反应室内部,但仍残留部分第二反应气体原子层沉积反应室中。
  • 增加原子沉积速率方法
  • [发明专利]合成CVD金刚石-CN201510083320.2在审
  • D·J·特威切恩;A·M·贝内特;R·U·A·卡恩;P·M·马蒂诺 - 六号元素有限公司
  • 2010-12-15 - 2015-07-01 - C23C16/27
  • 本发明涉及合成CVD金刚石以及用于在合成环境中在基底上合成金刚石材料的化学气相沉积(CVD)方法,所述方法包含提供基底;提供源气体;使所述源气体离解;和允许在基底上的同质外延金刚石合成;其中所述合成环境包含原子浓度为约0.4ppm至约50ppm的氮;并且其中该源气体包含a)氢的原子分数Hf,其为约0.40至约0.75;b)碳的原子分数Cf,其为约0.15至约0.30;c)氧的原子分数Of,其为约0.13至约0.40;其中Hf+Cf+Of=1;其中碳的原子分数与氧的原子分数之比CfOf满足比率约0.451<CfOf<约1.251;其中源气体包含以氢分子H2形式添加的氢原子,占存在的氢、氧和碳原子总数的原子分数为0.05至0.40;和其中所述原子分数Hf、Cf和Of是源气体中存在的氢原子、氧原子和碳原子的总数的分数。
  • 合成cvd金刚石
  • [发明专利]合成CVD金刚石-CN201080058389.5有效
  • D·J·特威切恩;A·M·贝内特;R·U·A·卡恩;P·M·马蒂诺 - 六号元素有限公司
  • 2010-12-15 - 2012-09-12 - C30B25/10
  • 一种用于在合成环境中在基底上合成金刚石材料的化学气相沉积(CVD)方法,所述方法包含:提供基底;提供源气体;使所述源气体离解;和允许在基底上的同质外延金刚石合成;其中所述合成环境包含原子浓度为约0.4ppm至约50ppm的氮;并且其中该源气体包含:a)氢的原子分数Hf,其为约0.40至约0.75;b)碳的原子分数Cf,其为约0.15至约0.30;c)氧的原子分数Of,其为约0.13至约0.40;其中Hf+Cf+Of=1;其中碳的原子分数与氧的原子分数之比Cf:Of满足比率:约0.45:1气体包含以氢分子H2形式添加的氢原子,占存在的氢、氧和碳原子总数的原子分数为0.05至0.40;和其中所述原子分数Hf、Cf和Of是源气体中存在的氢原子、氧原子和碳原子的总数的分数。
  • 合成cvd金刚石
  • [发明专利]用于半导体加工的原子层刻蚀方法-CN202010053225.9有效
  • 刘珂;蒋中伟 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2020-01-17 - 2023-03-21 - H01L21/223
  • 一种用于半导体加工的原子层刻蚀方法,包括:表面原子沉积步骤:向反应腔室中通入刻蚀气体以使所述刻蚀气体与晶圆的表面原子结合;表面修复步骤:通入修复气体以使所述修复气体吸附所述表面原子,其中,所述修复气体所包括的成分与制成所述晶圆的部分元素相同;调节用于承载所述晶圆的下电极的温度来调节所述晶圆的温度,借以移动所述表面原子使得所述晶圆的表面平坦化;表面原子脱附步骤:提高所述表面原子的能量以使所述表面原子脱附所述晶圆,借以刻蚀所述晶圆。本发明在表面原子沉积和表面原子脱附之后加入表面原子修复,借此修复粗糙的表面形貌,避免因为持续对粗糙的表面形貌进行刻蚀而造成局部形貌刻蚀不足或者过度刻蚀的问题。
  • 用于半导体加工原子刻蚀方法
  • [发明专利]原子层沉积反应气体的制备机构及其制备方法-CN202111590788.2在审
  • 周向前 - 周向前
  • 2021-12-23 - 2022-05-06 - C23C16/448
  • 本发明公开了一种原子层沉积反应气体的制备机构及其制备方法,制备机构包括:反应源、载气源和反应气体罐,所述反应源内可操作地储有原子层沉积反应液;所述载气源通过载气管道与所述反应源连通,所述载气管道可操作地插入所述反应液内;所述反应气体罐与所述反应源连通,所述反应气体罐能够密封。本发明提供了一种原子层沉积反应气体的制备机构,该机构包括:反应源和反应气体罐,反应源内的反应气体被载气携带进入反应气体罐内,反应气体和载气在反应气体罐内被密封。当小型实验室需要对原子层沉积反应进行实验时,可以仅仅购买一罐反应气体罐,将反应气体罐接入原子层沉积反应室上,就能够进行原子层沉积实验。
  • 原子沉积反应气体制备机构及其方法
  • [发明专利]一种槽型原子气体腔及其构造的原子钟物理系统-CN201110203006.5有效
  • 吴亚明;徐静;张志强;李绍良 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2011-07-20 - 2012-01-18 - G04F5/14
  • 本发明涉及一种槽型原子气体腔及其构造的原子钟物理系统。所述的槽型原子气体腔由设有槽的硅片和Pyrex玻璃片键合围成腔体结构构成;该腔体结构用于充入碱金属原子蒸汽和缓冲气体;所述槽的横截面为倒梯形,该槽包括底面和与底面成夹角的侧壁。所述的槽型原子气体腔基于MEMS技术制造,由<100>单晶硅片通过硅各向异性腐蚀形成硅槽,并通过硅-玻璃阳极键合制作槽型腔,槽型气体腔的侧壁为硅片的{111}晶面。本发明的优点是利用所述的槽型原子气体腔,通过原子腔体尺寸设计易于增加腔内两反射镜之间的距离,从而增加了激光与原子气体间的相互作用空间长度,使相干布局囚禁效应(Coherentpopulationtrapping,CPT)信号的信噪比增强,有利于提高微型CPT原子钟频率稳定度。
  • 一种原子体腔及其构造原子钟物理系统
  • [发明专利]一种高超声速气固界面原子碰撞事件统计方法-CN202211523451.4在审
  • 韩权;田嘉全;夏海涛;伍根生;马晨波 - 南京林业大学
  • 2022-11-30 - 2023-04-07 - G06F30/15
  • 本发明公开了一种高超声速气固界面原子碰撞事件统计方法。该方法包括:在NAMD软件中模拟物体在气体环境中高速飞行,输出不同时刻下体系内所有原子的位置和速度信息;利用VMD软件统计系统稳态后某一时间段内所有可能与前表面相互作用的气体原子,并输出这些气体原子的坐标、速度和势能;定义气体原子在气固原子排斥力层内发生转向的时刻为碰撞点,由碰撞点前序搜寻得到气体原子进入吸引力层的入射点、后序搜寻得到气体原子离开时的反射点,记为一次碰撞事件,循环得到不同原子与表面的碰撞事件信息本发明提出了一种高超声速强激波条件下气固界面原子碰撞事件统计方法,能够从更深层次研究气固界面能量传递机理,揭示气动加热本质。
  • 一种高超声速界面原子碰撞事件统计方法

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