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[发明专利]合成CVD金刚石-CN201510083320.2在审
发明人： D·J·特威切恩;A·M·贝内特;R·U·A·卡恩;P·M·马蒂诺 -专利权人：六号元素有限公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明涉及合成CVD金刚石以及用于在合成环境中在基底上合成金刚石材料的化学气相沉积(CVD)方法，所述方法包含提供基底；提供源气体；使所述源气体离解；和允许在基底上的同质外延金刚石合成；其中所述合成环境包含原子浓度为约0.4ppm至约50ppm的氮；并且其中该源气体包含a)氢的原子分数Hf，其为约0.40至约0.75；b)碳的原子分数Cf，其为约0.15至约0.30；c)氧的原子分数Of，其为约0.13至约0.40；其中Hf+Cf+Of＝1；其中碳的原子分数与氧的原子分数之比CfOf满足比率约0.451＜CfOf＜约1.251；其中源气体包含以氢分子H2形式添加的氢原子，占存在的氢、氧和碳原子总数的原子分数为0.05至0.40；和其中所述原子分数Hf、Cf和Of是源气体中存在的氢原子、氧原子和碳原子的总数的分数。
合成 cvd 金刚石

[发明专利]合成CVD金刚石-CN201080058389.5有效
发明人： D·J·特威切恩;A·M·贝内特;R·U·A·卡恩;P·M·马蒂诺 -专利权人：六号元素有限公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：一种用于在合成环境中在基底上合成金刚石材料的化学气相沉积（CVD）方法，所述方法包含：提供基底；提供源气体；使所述源气体离解；和允许在基底上的同质外延金刚石合成；其中所述合成环境包含原子浓度为约0.4ppm至约50ppm的氮；并且其中该源气体包含：a)氢的原子分数Hf，其为约0.40至约0.75；b)碳的原子分数Cf，其为约0.15至约0.30；c)氧的原子分数Of，其为约0.13至约0.40；其中Hf+Cf+Of=1；其中碳的原子分数与氧的原子分数之比Cf:Of满足比率：约0.45:1
合成 cvd 金刚石