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- [发明专利]超导薄膜制备方法及超导薄膜-CN202011012963.5在审
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倪健;楼厦;薛聪
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埃特曼(深圳)半导体技术有限公司
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2020-09-24
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2020-12-25
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C30B29/52
- 本申请涉及一种超导薄膜制备方法及超导薄膜,包括:提供基底;去除所述基底上表面的杂质并形成平滑上表面;采用分子束外延生长技术于所述平滑上表面上生长镧系金属单晶层,使得所述平滑上表面与所述镧系金属单晶层之间生成一原子级平整的界面本申请提供了一种制作工艺简单、周期短的超导薄膜制备方法,利用该方法制备的超导薄膜具有优良的低温超导性能;并且该超导薄膜中具有一原子级平整的界面,该原子级平整的界面在原子尺度上规则、平整、几乎无缺陷及杂质,可以通过该原子级平整的界面研究电子结构,以获取超导电性的起源,也可以为完善超导理论、探索更多超导材料提供启示。
- 超导薄膜制备方法
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