专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]存储装置、存储系统以及数据存储方法-CN201210558490.8有效
  • 赵国庆;李更 - 华为技术有限公司
  • 2012-12-20 - 2013-04-24 - G11B5/02
  • 该装置存储数据,包括:存储介质,所述存储介质上按预设规律排列有多个原子单元组,每个原子单元组均由多个原子组成;所述原子单元组中原子排列形状可改变,并具有第一排列形状和第二排列形状,其中,所述第一排列形状用于表示数据位1,所述第二排列形状用于表示数据位0。本发明实施例还提供一种数据存储方法,可对利用原子排列形状的操作来对数据进行存储。本发明实施例可基于原子排列形状来表示数据存储时的数据位,从而可实现原子级的数据存储,可有效提高单位存储介质的存储容量。
  • 存储装置存储系统以及数据方法
  • [发明专利]原子移动装置-CN202211318902.0有效
  • 罗先刚;朱上果;龙云 - 天府兴隆湖实验室
  • 2022-10-26 - 2023-08-01 - G21K1/00
  • 本申请属于量子模拟和量子计算技术领域,具体涉及一种原子移动装置。原子移动装置包括原子阵列模块,被配置为生成空间上以阵列形式排列的多个位点,每个位点可通过光学方式囚禁原子,每个位点囚禁至多一个原子,以阵列形式排列的多个位点包括位于目标区域的多个目标位点,原子移动模块,被配置为在位点之间移动原子原子位置信息捕获模块,被配置为获取以阵列形式排列的多个位点的原子囚禁信息,控制器,被配置为根据原子囚禁信息,控制原子移动模块在位点之间移动原子以使目标区域内的每个目标位点上均囚禁一个原子本申请公开的原子移动装置的原子移动步数少、原子移动总距离少、算法计算时间少,可以节省原子移动时间,增加填充成功率。
  • 原子移动装置
  • [发明专利]一种链路式一发多收海底节点高精度授时系统-CN202010019411.0有效
  • 童思友;梁丹;王忠成;徐秀刚 - 中国海洋大学
  • 2020-01-08 - 2021-07-30 - H04J3/06
  • 本发明提供一种链路式一发多收海底节点高精度授时系统,信号发送基站和信号传输链路;所述信号发送基站包括原子钟和发送机;所述信号传输链路包括:若干条海底接收排列链路,每条海底接收排列链路包括若干海底节点,每条海底接收排列链路上的海底节点之间通过信号传输模块连接;在每条海底节点排列的一端设置有一只原子钟,所述原子钟的时钟信息通过发送机发送给各节链路上的首海底节点,然后采用感应耦合式无线传输方式对同一条级联链路各节点进行同步授时、实现水下各节点时钟的一致。本发明无需在每个海底节点配备原子钟的前提下,就能够实现水下用少量原子钟对大量的海底节点进行高精度同步授时的目的。
  • 一种链路式一发海底节点高精度授时系统
  • [发明专利]业务应用的开发方法及系统-CN201510652005.7在审
  • 何伽 - 阿里巴巴集团控股有限公司
  • 2015-10-10 - 2017-04-19 - G06F9/44
  • 该开发方法包括开发系统解析业务规则集合,获得业务系统的处理流程;开发系统拆分所述处理流程,形成由原子流程构成的第一集合;开发系统从原子流程的第一集合中选择原子流程,构成原子流程的第二集合;开发系统对原子流程的第二集合内的原子流程排列组合,形成用于处理业务对象生成目标对象的、原子流程的第一有序组合体,开发系统将业务系统的处理流程拆分为原子流程,并对原子流程重新排列组合生成新的处理流程,因而业务应用开发效率高。
  • 业务应用开发方法系统
  • [发明专利]SiC锭的制造方法-CN201811486783.3有效
  • 藤川阳平 - 昭和电工株式会社
  • 2018-12-06 - 2021-06-18 - C30B29/36
  • 包括:测定工序,至少沿着通过俯视中央的第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向来测定SiC单晶(1)的原子排列面(2)的弯曲方向,求出所述原子排列面(2)的形状;以及晶体生长工序,以所述SiC单晶(1)作为籽晶进行晶体生长,在所述测定工序中测定出的所述原子排列面(2)的形状是所述原子排列面(2)的弯曲方向在所述第一方向和所述第二方向上不同的鞍形的情况下,设定所述晶体生长工序中的晶体生长条件,以使得晶体生长结束时的第二生长面的凸面度比所述籽晶的中心处的晶体生长量为
  • sic制造方法

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