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[发明专利]一种基于氢化硼烯的纳米尺度电流限制器-CN201811077750.3有效
发明人：安义鹏;康军帅;焦聚涛;武大鹏;刘志勇;王天兴;焦照勇 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2018-09-16 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氢化硼烯的纳米尺度电流限制器，属于纳米尺度电子器件技术领域。本发明的技术方案要点为：一种基于氢化硼烯的纳米尺度电流限制器，由具有类石墨烯结构的蜂窝状氢化饱和单层硼烯构成，氢化饱和单层硼烯上根据原子排列位置在相互垂直的锯齿型方向和扶手椅型方向分别搭建电路组建四电极双电路系统，无论电路在锯齿型方向还是扶手椅方向导通，电路均表现出各向同性的电流限制作用。该氢化硼烯纳米尺度电流限制器性能优良，当电压达到0.6伏特阈值时即可实现电流限制作用。本发明具有结构超薄、尺寸可调、功耗低的优良特点。
纳米尺度电流限制器氢化硼扶手椅电流限制作用电路饱和单层锯齿型氢化技术方案要点类石墨烯结构双电路系统尺寸可调电子器件原子排列垂直的蜂窝状四电极阈值时导通功耗组建表现

[发明专利]一种带电流导引结构的红光LED及其制作方法-CN202110702416.8在审
发明人：白继锋;陈杏;赵敏博;曹来志;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及红光LED技术领域，尤其涉及一种带电流导引结构的红光LED及其制作方法。本发明提供了一种带电流导引结构的红光LED，包括电流扩展层、限制层和电极，电流扩展层为所述红光LED外延片的最上层，所述电流扩展层上开设有环形槽。电流在电流扩展层中流动扩展时，由于有环形槽内的限制层对回流的电流进行拦截，限制层起到了不但隔离了电流扩展层表面的电流，还隔离了电流扩展层内回流电极下方的电流，克服了电流的回流，进而起到真正导引电流的作用，提升了发光强度；同时限制层延伸到N形层且限制层底部附近的限制层被氧化，进一步在N形层限制了电流的回流，进一步起到真正导引电流的作用而进一步提升了发光强度。
一种电流导引结构红光 led 及其制作方法

[发明专利]AlGaInP基发光二极管-CN200610088943.X无效
发明人：郭德博;王国宏;梁萌;范曼宁 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-07-27 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种AlGaInP基发光二极管，其特征在于，包括：一反射器；一n型下限制层，该n型下限制层制作在反射器之上，提供载流子限制作用；一有源层，该有源层生长在n型下限制层之上；一p型上限制层，该p型上限制层制作在有源层之上，提供载流子限制作压；一窗口层，该窗口层键合在p型上限制层之上，以促进电流扩展和提高光提取率；一p型金属电极，该p型金属电极与GaP窗口层形成良好的欧姆接触；一n型金属电极，该n型金属电极制作在反射器的下面
algainp 发光二极管

[发明专利]应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED-CN201110147591.1无效
发明人：张逸韵;汪炼成;郭恩卿;孙波;伊晓燕;王国宏 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-06-02 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED，包括：一p型金属电极，该p型金属电极包括一金属支撑衬底，以及制作在金属支撑衬底上的金属反射镜；一空穴注入层，该空穴注入层制作在P型金属电极的金属反射镜上；一电子阻挡层，该电子阻挡层制作在空穴注入层上；一发光层，该发光层制作在电子阻挡层上；一电子限制层，该电子限制层制作在发光层上；一电子注入层，该电子注入层制作在电子限制层上；一电流扩展层，该电流扩展层制作在电子限制层上；两个n型金属电极，制作在电流扩展层上，覆盖一部分电流扩展层。
应用石墨薄膜电流扩展氮化垂直结构 led

[发明专利]用于控制或管理DC电机的方法和系统-CN201710379640.1有效
发明人： P·普拉莫德;K·M·P·南博里;J·A·克莱瑙 -专利权人：操纵技术IP控股公司
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H02P29/032 文献下载
摘要：控制系统的实施例包括：电流指令模块，被配置为接收转矩指令并输出用于控制直流(DC)马达的电流指令；以及电源电流限制模块，被配置为接收电源电流限制作为输入，并且基于所述电源电流限制主动地计算马达电流限制，所述电源电流限制模块被配置为基于所述马达电流限制来限制所述电流指令。
用于控制管理 dc 电机方法系统

[发明专利]DC电机的再生电流限制-CN201811123071.5有效
发明人： P·普拉莫德;K·纳姆布利 -专利权人：操纵技术IP控股公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H02P7/285 文献下载
摘要：针对控制系统描述了技术方案，该控制系统包括：电流指令模块，被配置为接收转矩指令并输出用于控制直流(DC)马达的电流指令；以及再生电流限制模块，被配置为接收再生电流限制作为输入并基于再生电流限制主动计算马达电流限制，再生电流限制模块被配置为基于马达电流限制来限制电流指令。
dc 电机再生电流限制

[实用新型]电子电机设备的节源装置-CN200720142584.1无效
发明人：陈文麟 -专利权人：崴信科技股份有限公司
申请日： 2007-04-28 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H02M7/06 文献下载
摘要：它包括限制电路、大电流电路及控制电路，其中，电源电路设有限制电路及大电流电路，该限制电路及大电流电路并联于桥式整流器，该限制电路、大电流电路及控制器依序串联，限制电路及大电流电路供给电子设备在待机状态或开启状态时，所需的电流及电压通过，藉由电源电路的设计，便可使其有效降低电子设备在待机状态时所浪费的消耗功率，且不使其产生干扰讯号。优点在于：可以根据电子设备在待机状态或使用状态个别调整所需电流及电压，不易造成电源电路损坏，延长电源电路的寿命；节省能源及电源，且达到环保的作用：电流限制电路制作成本低；实用性强。
电子电机设备装置

[发明专利]一种半导体激光bar条及其制备方法-CN201710857921.3在审
发明人：关永莉;米洪龙;梁健;李小兵;王琳;董海亮 -专利权人：山西飞虹微纳米光电科技有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体激光bar条及其制备方法，方法包括制作GaAs外延片；在P‑GaAs欧姆接触层上刻蚀出脊型电流注入区和非注入区，并露出部分所述P‑GaAs限制层；制作出光隔离区；形成将所述P‑GaAs欧姆接触层以及露出的部分所述P‑GaAs限制层均覆盖住的电流限制层，并对所述电流限制层进行刻蚀，以露出所述脊型电流注入区；在所述电流限制层和所述脊型电流注入区上方形成P面金属电极层，并在所述P面金属电极层上制作出电隔离区；在所述GaAs衬底远离所述N‑GaAs限制层的一面形成N面金属电极层。
一种半导体激光 bar 及其制备方法

[发明专利]具有N-型半导体限制孔结构的VCSEL器件-CN201910930389.2在审
发明人：张紫辉;高元斌;张勇辉 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明为一种具有N‑型半导体限制孔结构的VCSEL器件及其制备方法。该器件包括衬底、缓冲层、氮化物外延DBR、N‑型半导体传输层、多量子阱层、P‑型电子阻挡层、第一层P‑型半导体传输层、N‑型半导体限制孔、第二层P‑型半导体传输层，P‑型欧姆接触层、绝缘电流限制孔、电流扩展层、介质DBR、P‑型欧姆电极；圆环状的N‑型半导体限制孔位于第一层P‑型半导体传输层上部内的外缘。本发明具有更明显的空穴横向限制作用，从而具有更低的阈值电流，更高的器件输出功率。
半导体传输层限制孔第一层空穴氮化物外延电流扩展层电子阻挡层多量子阱层欧姆接触层横向限制绝缘电流欧姆电极输出功率阈值电流缓冲层圆环状衬底制备

[实用新型]一种具有安全电路的触觉激励信号生成器-CN201520181168.7有效
发明人：孙晓颖;吴赛文;王庆龙;董杨瑞;王婷婷;龙慧;陈建 -专利权人：吉林大学
申请日： 2015-03-29 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：包括通讯接口、信号发生器、功率放大器和安全电路，该安全电路用于限制过载的电压或电流，保证人体和外部设备的安全，所述的安全电路包括信号输入端、过压保护电路、限流保护电路和信号输出端，过压保护电路实现对触觉激励信号过压保护作用，限流保护电路实现对触觉激励信号电流限制作用。本实用新型优点是结构新颖，通过安全电路的保护限制，可以为触觉装置提供适宜的触觉激励信号，避免过高电压和过大电流对人体和外部设备造成损害。
一种具有安全电路触觉激励信号生成器

[发明专利]用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法-CN201110049791.3有效
发明人：陈微;周文君;刘安金;付非亚;张建心;渠红伟;郑婉华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-03-02 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：一种用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上依次生长下限制层、有源区和上限制层，形成横向波导结构；步骤3：采用感应耦合等离子体刻蚀的方法对上限制层进行刻蚀，在上限制层上形成周期性的条状结构，该条状结构的一部分为条状电流注入区，其余部分为光场调制区，结合这两个区便能实现侧向模式的调控；步骤4：在条状电流注入区的上面制作电极实现电流的选择性注入；步骤5：将衬底减薄，改善电流注入特性；步骤6：在衬底的背面制作背面电极，完成器件的制作。
用于改善条形激光器侧向光子晶体波导制作方法

[发明专利]滤波电容阻流充放电电路-CN201210036940.7在审
发明人：李艳 -专利权人：李艳
申请日： 2012-02-13 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种简单实用的桥式整流电路中滤波电容的阻流充放电电路，该电路由2个整流二极管1个负温度系数热敏电阻和电感线圈组成，只要把该电路串联在滤波电容上，在通电瞬间，由于负温度系数热敏电阻和电感线圈的作用，限制了电容在充电时瞬间电流的过大，当充电完成后，电容放电时，电流直接经过整流二极管，而不经过负温度系数热敏电阻和电感线圈，不影响电容的放电能力。主要特点就是该电路只对滤波电容在通电瞬间过大的瞬态电流起到限制作用，对正常的电容充电限制很小，对电容的放电能力没用影响，并且电路设计简单，元器件使用较少，工作十分稳定，降低了电网中电压和电流的波动，极大的减少了因瞬态电流过大导致的其它电子元器件的损毁
滤波电容阻流充放电电路

[实用新型]电流限制系统、电流限制单元及电流限制单元的组件-CN201020286731.4有效
发明人： G·施奈德;T·武尔夫;T·拜亚图 -专利权人： ABB瑞士有限公司
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01H77/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及电流限制系统，其适于限制、然而不持续地中断流过电流限制系统的电流。电流限制系统沿着通过电流限制系统的电流通路具有第一联接触头、接触系统以及第二联接触头，其中，接触系统具有至少一个触头，其带有第一接触件和相对于第一接触件可运动的第二接触件以用于断开和闭合触头，其中，如果电流超过电流限制系统的响应阈值，断开接触系统的该至少一个触头，并且如果电流低于电流限制系统的闭合阈值，又闭合该至少一个触头。根据本实用新型，在超过电流的响应阈值和低于电流的闭合阈值之间，引起至少一个触头断开的作用力作用于该至少一个触头的第二接触件，其中，该作用力不同于在第一接触件和第二接触件之间起作用的电动斥力。本实用新型还提供了一种电流限制单元及电流限制单元的组件。
电流限制系统单元组件

[发明专利]数字多功能光盘用大功率650nm半导体激光器及制作方法-CN200510004243.3无效
发明人：郑凯;马骁宇;林涛;刘素平;张广泽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-01-14 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： G11B7/125 文献下载
摘要：一种数字多功能光盘用大功率650nm半导体激光器，包括：一衬底用于在其上进行激光器材料结构外延生长；一缓冲层制作在衬底上；一N型包层制作在缓冲层上，限制载流子泄漏；一有源区层，该有源区层制作在包层上；一第一P型包层制作在有源区层上，限制载流子泄漏；一电流阻挡层制作在P型包层上，阻挡电流扩散以减小电流泄漏，提高电光转化效率；一第二P型包层制作在电流阻挡层和第一P型包层上，限制载流子泄漏；一过渡层制作在第二P型包层上；一电极接触层制作在过渡层之上；一双沟道结构是形成在电极接触层、过渡层、第二P型包层中，采用腐蚀液刻蚀出深及这三层的沟道；一氮氧化硅层制作在电极接触层之上，并覆盖双沟道。
数字多功能光盘大功率 650 nm 半导体激光器制作方法

[发明专利]一种基于电网拓扑调整的短路电流限制方法-CN201310492605.2有效
发明人：汤必强;王礼文;姚建国;杨胜春;杨争林;於益军;冯树海;李峰;王勇;郭晓蕊;徐鹏;潘玲玲;刘俊;石飞 -专利权人：国家电网公司;中国电力科学研究院
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于电网拓扑调整的短路电流限制方法，具体步骤为1：构建潜在策略集合；2：根据综合有效性指标值确定候选拓扑调整策略；3：对执行候选拓扑调整策略后的电网短路电流和电网运行状态进行安全分析；4和现有技术相比，本发明提供的一种基于电网拓扑调整的短路电流限制方法，采用综合有效性指标值客观地反映拓扑调整策略对全网短路电流水平的限制作用，并能够快速准确地从数量庞大的潜在策略中搜索出有效的策略，对策略进行安全性评估确定可操作的拓扑调整策略
一种基于电网拓扑调整短路电流限制方法

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