专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种纳米制造系统-CN201110030665.3无效
  • 刘泽文;尹明;司卫华;秦健 - 清华大学
  • 2011-01-28 - 2011-06-22 - B82B3/00
  • 一种纳米制造系统,包括原子粒子产生系统,原子粒子产生系统与气源连通,原子粒子产生系统与原子输运系统相连,原子输运系统与真空工作室相连,真空工作室内设置有纳米孔阵列掩模板,纳米孔阵列掩模板边缘上方为光学对准系统,下方为纳米级电子对准系统,纳米孔阵列掩模板下方设置有铺设有衬底材料;气源进入原子粒子产生系统获得能量与动量后产生原子粒子,原子粒子进入真空工作室,支架调节控制系统实现纳米孔阵列掩模板与衬底材料的相对运动,实现掩模功能与纳米图形加工;本发明具有控制精度高、加工尺度小、对衬底材料损伤小、电学影响小、系统结构相对简单、功能材料多样以及结构图形化方便的特点。
  • 一种纳米制造系统
  • [发明专利]一种三维钝体表面原子层沉积方法-CN202010413582.1在审
  • 张仕明;郭鸿晨;许淘元 - 南京恩腾电子科技有限公司
  • 2020-05-15 - 2020-09-01 - C23C16/455
  • 本发明涉及原子沉积领域,特别是涉及一种三维钝体表面原子层沉积方法。本发明提供一种三维钝体表面原子层沉积方法,所述方法包括:将含有反应源的流体引入反应腔体,在待处理器件表面内进行原子沉积反应,反应腔体中反应气体的宗量参数Z满足如下条件:8.5≤Z=(TV/PФ)≤1359.5本发明通过对原子层沉积反应腔体所涉及的宗量参数、气体发展距离、瑞利数等条件的控制,通过控制宗量Z的调整,可以维持反应腔体内的整体层流条件,从而保证了三维钝体表面原子尺度薄膜沉积时反应区内整体层流条件的建立
  • 一种三维体表原子沉积方法

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