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[发明专利]一种在环境扫描电镜中原位生长磷酸二氢钾单晶体的方法-CN200910084277.6无效
发明人：吉元;张隐奇;卫斌;王丽 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2009-05-15 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： C30B29/14 文献下载
摘要：一种在环境扫描电镜中原位生长磷酸二氢钾单晶体的方法属于材料学科领域。本发明应用ESEM的可控真空环境和变温条件，原位生长KDP单晶体，同时原位观测KDP的溶解和生长过程。本发明通过控制ESEM样品室内的水蒸气压力、相对湿度及样品台的温度，由KDP多晶粉末制备出KDP单晶体：溶解KDP多晶粉末的压力为600-670Pa，温度为-1-1℃，φ≈100％；生长KDP单晶体的压力为本发明方法还适用于生长其它水溶性晶体，并为动态研究水溶性晶体的微观形貌特征，生长机理，水湿环境对水溶性晶体的影响等基础问题提供了方法和条件。
一种环境扫描电镜原位生长磷酸二氢钾单晶体方法

[实用新型]超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统-CN201921484951.5有效
发明人：王文杰 -专利权人：仪晟科学仪器（嘉兴）有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，快速进样室包括第一传样杆、高真空腔体部、第一超高真空插板阀，所述第一传样杆与所述高真空腔体部刀口法兰密封连接，电极生长室包括超高真空腔体部、第一真空获得系统、第一真空测量系统，所述快速进样室的第一超高真空插板阀与所述电极生长室的超高真空腔体部刀口法兰密封连接。本实用新型公开的一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，可以对生长好的薄膜样品进行特殊形状的刻蚀加工并原位生长电极获得用于测量材料输运特性的特殊样品。
超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统

[发明专利]一种玉米成熟胚原位转基因的方法-CN201110051783.2有效
发明人：季静;王罡;武卫党;关春峰 -专利权人：天津大学
申请日： 2011-03-04 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C12N15/82 文献下载
摘要：本发明涉及一种玉米成熟胚原位转基因的方法。将获得玉米成熟胚原位转基因所需的成熟胚胚芽，处理胚芽使其露出生长点并使其稍微损伤，用浸染液在玉米生长点处进行原位转基因，对浸染过的生长点处细胞与根癌农杆菌共培养，使Bar基因通过根癌农杆菌的T-DNA整合在玉米染色体上并复壮；再除草剂筛选初步获得原位转基因抗除草剂植株并移栽；通过原位转基因玉米PCR阳性植株的自交授粉获转基因玉米种子。本发明的方法对玉米成熟胚胚芽的生长点进行转基因，通过向玉米叶片喷洒或涂抹除草剂的方法进行筛选转基因植株和分子检测进一步验证PCR阳性植株，方法简单高效，转化率可达4％，对玉米基因工程和遗传育种具有重大意义
一种玉米成熟原位转基因方法

[发明专利]双尺度结构原位生长石墨烯增强铜基复合材料的制备方法-CN202010356124.9有效
发明人：李亮;刘跃;董龙龙;霍望图;张于胜;卢金文;黎栋栋 -专利权人：西安稀有金属材料研究院有限公司;西北有色金属研究院
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： B22F1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种双尺度结构原位生长石墨烯增强铜基复合材料的制备方法，该方法包括以下步骤：一、将电解铜粉高温氧化得到氧化铜粉；二、将氧化铜粉与乙醇、葡萄糖混合后高能球磨，干燥得到复合粉末；三、将复合粉末进行原位化学气相还原得到原位生长的石墨烯包覆铜纳米颗粒粉末；四、放电等离子烧结得到双尺度结构原位生长石墨烯增强铜基复合材料。本发明通过将电解铜粉氧化成氧化铜粉并与乙醇、葡萄糖高能球磨后还原，得到原位生长的石墨烯包覆铜纳米颗粒粉末，提高了石墨烯在铜基体中的均匀分散性，避免了石墨烯的团聚，经后续烧结得到两种明显不同大小的铜晶粒，
尺度结构原位生长石墨增强复合材料制备方法

[发明专利]原位限域还原-生长制备一维铋纳米带电催化剂的方法-CN202210442581.9在审
发明人：王欢;李有增 -专利权人：南开大学
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： B22F9/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位限域还原‑生长制备一维铋纳米带电催化剂的方法，将生长在基底晶体上的氧化铋纳米薄片在二维空间下进行原位限域还原，氧化铋由氢气还原并在二维空间进行生长，由于生长空间限域在二维空间，所得到的低熔点的铋在本发明基于原位限域还原‑生长策略，能够高效大量制备一维铋纳米带，且解决了低熔点的铋在高温下易团聚、难以制备的问题，实现的铋纳米带结构稳定与催化性能稳定的目标。
原位还原生长制备一维铋纳米带电催化剂方法

[发明专利]一种原位监测物理气相沉积法生长单晶微观缺陷的方法-CN202111643917.X在审
发明人：王蓉;张俊然;皮孝东;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G01N23/207 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位监测物理气相沉积法生长单晶微观缺陷的方法，使用X射线衍射观测PVT生长炉，采用面探测器收集单晶散射的高能XRD信号，获得的XRD谱用于分析单晶的结晶度、应力与位错密度。本发明采用高能X射线原位监测PVT法生长单晶过程中的晶体缺陷产生过程和晶体质量分析；对PVT法生长单晶过程并无影响。
一种原位监测物理沉积生长微观缺陷方法

[发明专利]大气环境下双火焰法在绝缘基底上原位生长石墨烯的方法-CN201410191859.5有效
发明人：王公堂;刘风景 -专利权人：山东师范大学
申请日： 2014-05-07 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： C23C8/20 文献下载
摘要：本发明公开了大气环境下双火焰法在绝缘基底上原位生长石墨烯的方法，预先在SiO₂基底上沉积镍膜，然后再利用镍膜的渗碳/脱碳机理及非平衡表面偏析过程，在SiO₂基底上形成石墨烯薄膜在镍膜的上下两个面都会生长出石墨烯薄膜，然后把镍膜和外层的石墨烯去除掉，在SiO₂基底上直接得到原位生长的石墨烯薄膜。给出的该生长方法提供了在绝缘介质如SiO₂基底上，原位沉积高质量石墨烯的新方法。本发明批量在SiO₂基底上直接制备了双层和少层石墨烯，省去了传统的石墨烯生长和转移的复杂工序和过程。由于该发明的直接在绝缘基底上原位生长石墨烯的方法具有高效、节能和低成本的特点，这明显有助于未来石墨烯的实际应用。
大气环境火焰绝缘基底原位生长石墨方法

[发明专利]一种原位生长碳纳米管增强铝基钎料及其制备方法-CN201310239601.3有效
发明人：亓钧雷;张大磊;张丽霞;曹健;冯吉才 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-06-17 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C22C47/00 文献下载
摘要：一种原位生长碳纳米管增强铝基钎料及其制备方法，本发明涉及钎料及其制备方法。本发明要解决传统铝基钎料在钎焊连接铝基复合材料构件时存在的热应力大及接头力学性能差的问题。一种原位生长碳纳米管增强铝基钎料由六水硝酸镍和铝基复合粉末制备的；本发明方法：一、制备Ni(NO3)2/铝基复合粉末；二、原位沉积碳纳米管。本发明用于制备原位生长碳纳米管增强铝基钎料。
一种原位生长纳米增强铝基钎料及制备方法

[发明专利]一种原位生长于泡沫镍的梭形MnFeNi-MOF-74材料及其制备方法与应用-CN202010819578.5在审
发明人：胡建强;周维德 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： B01J31/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位生长于泡沫镍的梭形MnFeNi‑MOF‑74材料及其制备方法与应用。该原位生长于泡沫镍的梭形MnFeNi‑MOF‑74材料是Mn2+盐、Fe2+盐、2,5‑二羟基对苯二甲酸及泡沫镍通过简单的水热法合成的该三金属MOF‑74材料，可通过调控金属比例调控材料电子结构及生长形貌，制得原位生长于泡沫镍的梭形Mn0.52Fe0.71原位生长于泡沫镍的梭形Mn0.52Fe0.71Ni‑MOF‑74材具有廉价、制备简单环保、电催化过程稳定、高效及可直接用作电极等优点
一种原位生长泡沫 mnfeni mof 74 材料及其制备方法应用

[发明专利]一种氮化物异质结材料表面原位生长SiN钝化膜的方法-CN202111093843.7在审
发明人：杨乾坤;李忠辉;彭大青;张东国;李传皓;徐轩 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物异质结材料表面原位生长SiN钝化膜的方法，包括以下步骤：S1.选取一单晶衬底，置于MOCVD反应腔内的石墨基座上，在氢气和氨气氛围下依次外延生长成核层、缓冲层和氮化物异质结；S2.关闭金属有机源，保持氨气流量不变，将反应腔中氢气转换为氮气，并降低反应腔温度；S3.通入较高流量的硅烷，在氮化物异质结上原位生长第一SiN钝化层；S4.关闭硅烷，保持压力和气氛不变，升高反应腔的温度；S5.通入较低流量硅烷，在第一SiN钝化层上原位生长第二SiN钝化层；S6.关闭硅烷，保持氨气和氮气气氛，降温至取片温度。本发明适用范围广泛，能够在AlN/GaN、AlGaN/GaN、InAlN/GaN、InAlGaN/GaN等多种异质结表面原位生长SiN钝化膜。
一种氮化物异质结材料表面原位生长 sin 钝化方法

[发明专利]一种原位生长量子点光学膜的制备方法-CN201410297048.3有效
发明人：杨尊先;郭太良;胡海龙;徐胜;严文焕 -专利权人：福州大学
申请日： 2014-06-28 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位生长量子点光学膜的制备方法，利用溶胶-凝胶和旋涂相结合工艺技术，在ITO玻璃衬底上，原位生长出具有高分散性量子点有机膜层作为光致发光层，随后再通过有机物旋涂、封装、隔离工艺，最终制备出原位生长高分散性量子点光学膜此外，由于采用原位生长技术，因而光致发光层中的量子点粒径精确可控、分散性良好，该量子点光学膜制备工艺可充分利用有机物对量子点生长的阻隔和调控作用，实现对量子点粒径有效控制和量子点在光致发光层中高分散性分布
一种原位生长量子光学制备方法

[发明专利]一种用于研究植物根系与环境相互作用的无菌滤纸栽培方法-CN201810490155.6有效
发明人：梁翠月;吴炜炜;田江;赵彤 -专利权人：华南农业大学
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： A01G2/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于研究植物根系与环境相互作用的无菌滤纸栽培方法，包括步骤：S1.设计可视的栽培系统，包括透明的栽培容器、处理介质、三角支架和和生长介质；S2.植物种子灭菌和催芽，出芽后移苗到栽培容器，保持植物在生长介质中自然生长；S3.待植物种子萌发，进行生物或非生物胁迫处理，然后倾斜培养；S4.采用照相机拍照系统，体式显微镜和扫描仪对根系进行扫描，进行根系二维的原位观察和图像捕获。该方法可在不改变植物根系及其周围生长环境的前提下，直接将植物根系原位生长状况进行二维可视化，并结合计算机图像分析，从而对根系响应环境的状况进行原位观察和测定，从而实现动态的、原位的而非破坏性的根系与环境相互作用的观察和测定
一种用于研究植物根系环境相互作用无菌滤纸栽培方法

[发明专利]一种研究MnMoO₄·H₂O纳米棒原位生长过程的方法-CN201010602567.8无效
发明人：黄在银;马玉洁;陈洁;范高超 -专利权人：广西民族大学
申请日： 2010-12-23 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：本发明首次采用微量热法原位监测了298.15K下微乳液法合成MnMoO4·H2O纳米棒的特征热谱曲线；通过XRD和TEM技术对MnMoO4·H2O纳米棒的结构、形貌及尺寸进行了表征。通过微热量计实时记录热电势随时间的变化来获取MnMoO4·H2O纳米棒原位生长过程的热动力学信息，结合XRD图谱和TEM图片，从而研究其生长过程的热动力学规律和生长机理。本发明利用高精度、高灵敏度的微热量计自动化地在线监测体系变化过程，同时获取过程热力学信息和动力学信息，为MnMoO4·H2O纳米棒原位生长过程的研究提供了新的方法，且此方法可广泛用于无机功能材料原位生长过程的研究
一种研究 mnmoo sub 纳米原位生长过程方法

[发明专利]一种原位生长二氧化锰高效铅离子吸附剂的制备方法-CN201811529517.4在审
发明人：厉宗洁;康卫民;刘雍;程博闻;赵义侠;李晓捷;庄旭品;鞠敬鸽;李磊;王利媛;邓南平 -专利权人：天津工业大学
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： B01J20/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种原位生长二氧化锰高效铅离子吸附剂的制备方法，它是由静电纺丝制备出还原氧化石墨烯掺杂超细聚合物纳米纤维膜之后，在其表面原位生长一层二氧化锰所得，其特征包括1)纺丝液的配置，2)静电纺丝，3)原位水热生长二氧化锰三个步骤。
二氧化锰制备铅离子吸附剂静电纺丝原位生长还原氧化石墨烯表面原位生长负载型吸附剂超细聚合物纳米纤维膜重金属离子高吸附性纳米纤维三个步骤水热生长纺丝液铅离子掺杂配置应用

[发明专利]ZIF-8原位生长改性聚醚砜正渗透膜的方法及所得膜-CN201811523084.1有效
发明人：孟祥民;王新萍;陈夫山 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： B01D61/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZIF‑8原位生长改性聚醚砜正渗透膜的方法及所得膜，属于水处理膜技术领域，包括以下步骤：利用多巴胺对聚醚砜基底膜进行改性得到改性膜；将改性膜置于ZIF‑8母液中进行反应，利用原位生长的方法本发明的技术方案为原位法生长改性聚醚砜正渗透膜最简单、有效的技术，全程无需高温高压，使用水溶剂，无毒无污染，是一种绿色合成工艺。
改性聚醚砜原位生长渗透膜改性膜致密绿色合成工艺高温高压水处理膜用水溶剂多巴胺基底膜聚醚砜膜表面原位法改性膜层母液无毒全程生长