“原位生长”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果398794个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种反式注入合成连续VGF晶体生长装置及方法-CN201811532441.0有效
发明人：王书杰;孙聂枫;孙同年;刘惠生;史艳磊;邵会民;付莉杰;姜剑;张晓丹;李晓岚;王阳;李乔;张学谦 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种反式注入合成连续VGF晶体生长装置及方法，涉及半导体晶体制备与单晶生长的装置，具体涉及一种使用VGF法，反式注入合成晶体，在原位连续进行晶体生长方法及装置。装置包括炉体、安装在炉体内的坩埚、保温系统、加热系统、温度控制系统及气压调节系统，所述坩埚上部为合成部、下部为晶体生长部和籽晶部，合成部与晶体生长部之间通过毛细孔连通。将红磷和氧化硼投入生长部，铟和氧化硼投入合成部，固体籽晶投入籽晶部，控制温度和压力，完成材料合成和晶体的原位生长。本发明，使用毛细孔，通过温度和压力控制，在材料合成阶段，磷气泡上升到铟熔体，可以使两种物质充分融合，磷气化完成后，铟磷熔体滴入生长部，完成晶体的原位生长。
一种反式注入合成连续 vgf 晶体生长装置方法

[发明专利]超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统-CN201910842219.9在审
发明人：王文杰 -专利权人：仪晟科学仪器(嘉兴)有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，快速进样室包括第一传样杆、高真空腔体部、第一超高真空插板阀，所述第一传样杆与所述高真空腔体部法兰刀口密封连接，电极生长室包括超高真空腔体部、第一真空获得系统、第一真空测量系统，所述快速进样室的第一超高真空插板阀与所述电极生长室的超高真空腔体部法兰刀口密封连接。本发明公开的一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，可以对生长好的薄膜样品进行特殊形状的刻蚀加工并原位生长电极获得用于测量材料输运特性的特殊样品。
超高真空超高真空腔高真空腔体刀口密封电极生长刻蚀电极生长系统插板阀传样杆进样室法兰薄膜真空测量系统真空获得系统薄膜样品测量材料输运特性原位生长电极刻蚀生长加工

[发明专利]一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法-CN201510466401.0有效
发明人：李国强;高芳亮;温雷;张曙光;李景灵 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜的制备方法，包括以下步骤(1)Si(111)衬底清洗；(2)Si(111)衬底预处理；(3)Si(111)衬底脱氧化膜；(4)第一InxGa1‑xAs缓冲层的生长；(5)第一InxGa1‑xAs缓冲层的原位退火；(6)GaAs缓冲层的生长；(7)GaAs缓冲层的原位退火；(8)第二InxGa1‑xAs缓冲层的生长；(9)第二InxGa1‑xAs缓冲层的原位退火；(10)GaAs外延薄膜的生长。本发明还公开了生长在Si衬底上的GaAs薄膜。本发明得到的GaAs薄膜晶体质量好，表面平整，对半导体器件的制备，尤其是太阳电池领域，有着积极的促进意义。
一种生长 si 衬底 gaas 薄膜及其制备方法

[发明专利]一种石墨片原位生长石墨烯增强铝基复合材料的制备方法-CN201910560855.2有效
发明人：欧阳求保;王超宇 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨片原位生长石墨烯增强铝基复合材料的制备方法，包括：S1,对石墨片的表面处理，清除表面杂质；S2，对石墨片表面进行进一步除杂和还原；S3，石墨烯的垂直生长：通入甲烷气体，为石墨烯生长提供所需的碳源，得到石墨片原位生长石墨烯复合碳材料；S4，将石墨片原位生长石墨烯复合碳材料与铝粉进行低能球磨以制备均匀混合的复合粉体；S5，将制备得到的复合粉体放入石墨模具中，经过真空热压烧结获得石墨片原位生长石墨烯增强铝基复合材料
一种石墨原位生长增强复合材料制备方法

[发明专利]一种原位生长制备石墨烯化学修饰电极的方法-CN201310444550.8有效
发明人：江奇;曹甫洋;卢晓英;赵勇 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2013-09-23 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位生长制备石墨烯化学修饰电极的方法，其做法主要是：A、基底的清洗；B、原位生长石墨烯：将A步获得的基底置于干净的石英舟中，并将石英舟置于水平式电阻炉的石英管中；先通氩气去除石英管中的氧气，然后在氩气的保护下，将石英管加热到石墨烯的生长温度；然后保温1～180min、在保温时改通碳源气体和氢气；随后，在氩气的保护下冷却至室温，取出即得到原位生长有石墨烯的基底；C、将B步得到的原位生长有石墨烯的基底连接上导线或直接放入夹具中
一种原位生长制备石墨化学修饰电极方法

[发明专利]一种石榴状的硅碳复合材料及其制备方法-CN202310104519.3在审
发明人：徐国军;岳之浩;周浪;金晨鑫 -专利权人：南昌大学
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供一种石榴状的硅碳复合材料及其制备方法，硅碳内核均匀分散在网络化的碳骨架，硅碳内核包括碳基内核、原位生长在碳基内核表面的硅层以及原位生长在硅层表面的碳层。将碳基材料在真空、惰性气氛下制成分散粉体；以一定升温速率升温后依次通入气态硅源、气态碳源原位生长硅层和碳层；将粉体破碎后加入到乙醇+水中搅拌，将碳纳米管与无定形碳前驱体加入乙醇+水中，二者混合经喷雾造粒及干燥硅原位生长在碳基内核表面避免了纳米硅材料的团聚，改善了电化学性能；原位生长的碳层有效阻止了电解液与硅接触，提高了库伦效率；硅碳内核均匀分散在碳骨架中，缓解了嵌锂/脱锂带来的体积变化，提升了循环寿命。
一种石榴复合材料及其制备方法

[发明专利]一种复合隔膜及其制备方法以及应用-CN202310309323.8在审
发明人：庄思东;华秉杨 -专利权人：江苏正力新能电池技术有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01M50/451 文献下载
摘要：本发明提供了一种复合隔膜及其制备方法以及应用，本发明提供的复合隔膜，包括隔膜基底以及原位生长在隔膜基底上的多孔状的薄水铝石层，所述薄水铝石层为片层状的薄水铝石纵向生长于隔膜基底。原位生长薄水铝石层既能保持多孔结构又能提高吸液率。此外，原位生长薄水铝石膜具有较强的热稳定性和机械性能，提高穿刺强度，具有较低的DCR和较优的倍率性能，能够提高电池的性能及寿命，展现了良好的应用前景。
一种复合隔膜及其制备方法以及应用

[发明专利]一种铸造原位生长石墨烯增强铜复合材料的制备方法-CN202110990043.9在审
发明人：王飞;郑志强;黄平 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： C22C1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种铸造原位生长石墨烯增强铜基复合材料的制备方法，包括：(1)对铜粉表面进行还原处理；(2)石墨烯的原位生长：以甲烷气体作为碳源，采用射频等离子体增强化学气相沉积方法在铜粉表面原位生长石墨烯本发明通过结合原位生长与铸造的方法，有效解决了石墨烯在铜基体中的分散性差问题，具有制造成本低，工艺灵活性大，可以获得复杂形状和大型的铸件的优点。
一种铸造原位生长石墨增强复合材料制备方法

[发明专利]一种银纳米线原位生长过程的表征方法、监控方法及其在银纳米线可控制备中的应用-CN202210845334.3在审
发明人：叶晃青;曾西平;汪颖;吴俊青 -专利权人：深圳市华科创智技术有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G01N27/06 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种银纳米线原位生长过程的表征方法、监控方法及其在银纳米线可控制备中的应用，所述表征方法包括以下步骤：(1)建立银纳米线反应体系；(2)实时监测反应体系电导率，并采集电导率数据；(3)重复步骤(1)‑(2)，总结银纳米线原位生长过程中电导率变化规律，建立电导率变化趋势模型，表征银纳米线原位生长过程。本发明通过建立电导率变化趋势模型，表征银纳米线原位生长过程，该表征方法可实时监测银纳米线反应过程的电导率，进而对反应过程进行实时在线表征，操作简单快速、结果准确，且适用于常规的银纳米线制备体系，具有良好的应用价值
一种纳米原位生长过程表征方法监控及其可控制备中的应用

[发明专利]一种原位透射电子显微镜观测纳米颗粒生长的方法-CN201710953015.3有效
发明人：余兆丰;徐旭辉;王婷 -专利权人：香港理工大学
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： G01N23/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种原位透射电子显微镜(TEM)观测纳米颗粒生长的方法，取形成玻璃的原料成分与形成纳米颗粒的原料成分混合均匀，加热至熔融，降温以形成玻璃前驱体材料；将玻璃前驱体材料研磨成微米尺寸的颗粒，分散至TEM加热芯片上用于原位TEM测试；在TEM环境下将加热芯片加热到一定温度并保温，以观测纳米颗粒在玻璃前驱体中的形核、生长等过程。本发明的观测方法在原位条件下，纳米颗粒可以在玻璃前驱体材料中形核结晶、生长，可实现高温、高稳定性以及高分辨的原位TEM观测，操作更加简便，观测效果优异且可对纳米颗粒生长速度进行调节，对于推动、扩大纳米材料的研究和应用都具有重要的价值
一种原位透射电子显微镜观测纳米颗粒生长方法

[发明专利]一种在泡沫镍上原位生长Ni-MOF-74的方法-CN201711095864.6有效
发明人：徐洪波;韩莹平;赵九蓬;李垚 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：一种在泡沫镍上原位生长Ni‑MOF‑74的方法，它涉及一种无镍源离子在泡沫镍基底上原位生长Ni‑MOF‑74的制备方法。本发明：一、制备泡沫镍集流体；二、水热法原位生长制备Ni‑MOF‑74。本发明的制备方法简单可控，成本低，且原材料简单易得，可大规模制备；本发明制备的Ni‑MOF‑74无需外加镍离子，有机配体2,5‑二羟基对苯二甲酸均匀地原位生长在泡沫镍上。
一种泡沫原位生长 ni mof 74 方法

[发明专利]一种在泡沫镍上原位生长Fe掺杂草酸镍纳米棒、制备方法及其应用-CN201910941853.8有效
发明人：王秀华;何鹏 -专利权人：安徽师范大学
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： C25B11/054 文献下载
摘要：本发明提供了一种在泡沫镍上原位生长Fe掺杂草酸镍纳米棒、制备方法及其应用。制备方法为：将铁源和草酸分散到甲醇中，再加入泡沫镍，水热反应，得到在泡沫镍上原位生长Fe掺杂草酸镍纳米棒。与现有技术相比，本发明制备方法简单、成本低，而且，产物在泡沫镍上原位生长Fe掺杂草酸镍纳米棒具备电化学活性面积大、导电性好的性能，可作为性能优异的析氧电催化剂。在50mA/cm‑2的电流密度下，在泡沫镍上原位生长Fe掺杂NiC2O4纳米棒材料的电势仅仅为
一种泡沫原位生长 fe 掺杂草酸纳米制备方法及其应用

[发明专利]原位自生长纳米碳复合材料的制备方法-CN201010204539.0无效
发明人：朱申敏;张荻;刘庆雷;李尧 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2010-06-22 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01B1/04 文献下载
摘要：一种电化学材料技术领域的原位自生长纳米碳复合材料的制备方法。包括如下步骤：原位自生长纳米碳基体材料的制备；碳基体材料表面处理；配制金属氧化物前驱体溶液；将步骤(2)制备得到的碳基体材料0.2g加入到步骤(3)配制的前驱体溶液中，经超声处理、冲洗、干燥，在氮气保护下烧结，得到原位自生长纳米碳复合材料。本发明利用金属盐处理活性炭材料，通过高温处理后，碳材料中原位生长具有石墨层状结构的纳米碳。然后，利用超声反应的方法使纳米金属氧化物均匀地生成并分布在碳材料的表面。
原位生长纳米复合材料制备方法

[发明专利]制备氮化硼纳米管的方法、纳米材料、半导体器件及装置-CN202310323224.5有效
发明人：姚亚刚;周正阳;张凯 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明公开了制备氮化硼纳米管的方法、纳米材料、半导体器件及装置，方法包括：原位硼源实现：经过清洗并抛光的金属基底，在金属基底表面形成原位硼源，金属基底选自熔点温度高于氮化硼纳米管生长温度的，原位硼源为采用渗硼处理得到；纳米管生长：准备催化剂溶液并部分或者全部地涂覆于生长基底以形成生长区域，而后在保护气氛围下以2~30℃/min的升温速率，升至1200~1350℃后，通入氨气保温30~180min，随炉冷却至室温即可本发明制备效率高，工艺条件和产品可控性好，具有良好的生长控制性。
制备氮化纳米方法材料半导体器件装置

[发明专利]一种原位监测MBE生长碲镉汞材料组分和厚度的装置及方法-CN202310459512.3在审
发明人：王晓晖;琚海涛;张一帆;谭皓文;简贤 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位监测MBE生长碲镉汞材料组分和厚度的装置及方法。该装置由原位傅里叶红外光谱检测系统、样品托、衬底加热器及其他装置构成，其中样品托从中心到边缘由疏到密分布有一列光路通孔，且具有相应的补偿部件以消除通孔对导热系数的影响。该装置通过将傅里叶红外光谱检测系统原位地集成于MBE生长设备，以及样品托独特的结构设计，实现了MBE生长碲镉汞材料组分和厚度实时、原位、多点位的检测，最终提高了碲镉汞材料的质量。
一种原位监测 mbe 生长碲镉汞材料组分厚度装置方法