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[发明专利]三维纳米铁氧化物、其凝胶原位制备方法及其应用-CN201810340568.6有效
发明人：庄媛;石宝友;孔岩 -专利权人：中国科学院生态环境研究中心
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： B01J20/06 文献下载
摘要：一种三维纳米铁氧化物、其凝胶原位制备方法及其应用，该制备方法包括：将水溶性高分子、铁盐溶于水中，得到混合溶液；将混合溶液加热，得到原位生长有序分级的纳米铁氧化物；将上述产物反复冷解冻，即得到原位生长并凝胶固定的三维纳米铁氧化物复合凝胶本发明利用聚乙烯醇等水溶性高分子的模板作用控制铁氧化物在聚乙烯醇中原位生长，利用聚乙烯醇能通过冻融法形成凝胶进一步固定分散铁氧化物，从根本上抑制铁氧化物的团聚，也解决了铁氧化物粉末水处理中难于固液分离的问题
三维纳米氧化物凝胶原位制备方法及其应用

[发明专利]原位自生长制备三氧化钨/钨酸锌复合光催化材料的方法-CN201811224407.7有效
发明人：羊求民;毛莉;陈丽勇 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： B01J23/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位自生长制备三氧化钨/钨酸锌复合光催化材料的方法，以水溶性钨酸盐和锌盐为原料，通过水热法制备纳米钨酸锌粉末，随后通过H2气氛下对钨酸锌粉末进行原位轻度还原制备W/WO3/ZnWO4复合粉末，最后进行热处理工艺将W氧化成WO3获得原位自生长的本方法操作简单，制备过程中利用在ZnWO4表面原位自生长WO3，有效解决了现有技术中制备WO3
原位生长制备氧化钨钨酸锌复合光催化材料方法

[发明专利]采用无机膜实现微生物原位分离发酵的方法-CN200610015378.4有效
发明人：路福平;杜连祥;李涛;史文玉;刘逸寒 -专利权人：天津科技大学
申请日： 2006-08-21 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： C12P1/00 文献下载
摘要：采用无机膜实现微生物原位分离发酵的方法，属于微生物菌体高密度发酵领域，涉及无机膜分离技术与微生物发酵耦连实现原位分离发酵。它解决了分批补料发酵不能将抑制菌体生长的目标产物或代谢副产物及时分离出去、很难达到很高的菌体浓度和目标产物产量的问题。本发明引入主要由发酵罐，无机膜组件，色谱柱、中空纤维膜组件或萃取装置，补料罐，储液罐和蠕动泵组成的原位分离发酵反应器，将发酵过程中产生的对微生物菌体有严重抑制作用的目标产物或代谢副产物及时从发酵体系中分离出去，有效解除代谢产物对菌体生长的抑制作用，使菌体快速生长，在原位分离发酵中，提高了菌体浓度和目标产物产量，实现了高密度发酵。
采用无机实现微生物原位分离发酵方法

[发明专利]一种Zn原位掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法-CN201810112003.2有效
发明人：陈占国;王鑫;侯丽新;刘秀环;全海燕;王帅;高延军;贾刚 -专利权人：吉林大学
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种Zn原位掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法，属于半导体材料制备和半导体掺杂技术领域。其是将高纯的hBN靶、高纯Zn靶和清洗后的衬底放入磁控溅射生长室内，采用射频磁控双靶共溅射技术，在hBN薄膜生长过程中原位掺入Zn杂质，生长结束后，在N₂气氛下对薄膜进行原位退火，并在N₂气保护下冷却至室温，从而在衬底上得到Zn原位掺杂的P型hBN薄膜。
薄膜原位掺杂制备六方氮化硼薄膜衬底高纯半导体材料薄膜生长过程半导体掺杂双靶共溅射磁控溅射溅射功率射频磁控无毒无害原位退火杂质激活电阻率气保护生长靶距掺入点位放入冷却清洗掺杂室内占据

[发明专利]一种球形铜粉表面原位生长三维石墨烯的制备方法-CN201610697806.X有效
发明人：赵乃勤;杨昆明;何春年;师春生;刘恩佐 -专利权人：天津大学
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种球形铜粉表面原位生长三维石墨烯的制备方法。将聚甲基丙烯酸甲酯和钢球按照质量比为1:10～20放入球磨罐中，抽真空后充满氩气作为保护性气氛；经过球磨，制得聚甲基丙烯酸甲酯复合粉末；将复合粉末和纳米铜粉按照(0.1‑0.3)：10混合后放进管式炉中原位化学气相还原；温度800℃，还原气氛为氢气，保护性气氛为氩气，氢气和氩气的流量比为1:2～2:1；还原时间5～15min；聚甲基丙烯酸甲酯分解生成的碳原子在铜表面生成石墨烯，得到原位生长的三维石墨烯包覆铜的复合材料本发明利用球磨法和粉末冶金法原位生长石墨烯，并且实现了对铜基体材料的强化，对于高强铜材在电子器件上的应用有着较好的前景。
石墨烯聚甲基丙烯酸甲酯氩气三维表面原位生长复合粉末球形铜粉原位生长氢气制备粉末冶金法铜基体材料电子器件还原气氛纳米铜粉气相还原复合材料抽真空流量比球磨法碳原子铜表面质量比包覆钢球进管球磨铜材还原分解应用

[发明专利]一种重金属污染土壤的微生物原位修复方法-CN201310108243.2无效
发明人：李臻;李斌;周昊 -专利权人：天津地冠科技有限公司
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： B09C1/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种重金属污染土壤的微生物原位修复方法，其步骤为：⑴菌群培养：⑵菌群激活；⑶微生物生长剂配制；⑷营养液配制；⑸初投；⑹修复。本发明提供的重金属污染土壤的微生物原位修复方法中由重金属微生物降解菌群、微生物生长加速剂作为主要成分，又补充了一定的微生物营养素，在向土壤中投入优选重金属微生物转化菌群的同时，增加微生物生长加速剂促使其高速繁殖，从而极大提高了土壤中重金属元素的转化与降解效率，解决了重金属污染土壤微生物原位修复方法中的时间长、见效慢的问题，使微生物原位修复技术成为可靠、高效、可操作的重金属污染土壤治理手段。
一种重金属污染土壤微生物原位修复方法

[发明专利]一种石油污染土壤的微生物原位修复方法-CN201310484371.7无效
发明人：李臻;李斌;周昊 -专利权人：天津地冠科技有限公司
申请日： 2013-10-16 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： B09C1/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种石油污染土壤的微生物原位修复方法，其步骤为：⑴菌群培养；⑵菌群激活；⑶微生物生长加速剂配制；⑷营养液配制；⑸生物表面活性剂配制；⑹初投；⑺修复。本发明提供的石油污染土壤的微生物原位修复方法中由石油微生物降解菌群、微生物生长加速剂作、生物表面活性剂为主要成分，又补充了一定的微生物营养素，在向土壤中投入优选石油微生物转化菌群的同时，增加微生物生长加速剂促使其高速繁殖，从而极大提高了土壤中石油元素的转化与降解效率，解决了石油污染土壤微生物原位修复方法中的时间长、见效慢的问题，使微生物原位修复技术成为可靠、高效、可操作的石油污染土壤治理手段。
一种石油污染土壤微生物原位修复方法

[发明专利]一种在陶瓷管上原位生长海胆状Fe-CN201710095842.3有效
发明人：徐红燕;翟婷;于焕芹;曹丙强 -专利权人：济南大学
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C04B41/85 文献下载
摘要：本发明涉及一种在陶瓷管上原位生长海胆状Fe
一种陶瓷原位生长海胆 fe2o3 纳米方法

[发明专利]一种在2°Si偏轴面上生长低缺陷密度的4H-SiC外延层的方法-CN202310871153.2在审
发明人：张梦龙;柯茜;李京波 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种在2°Si偏轴面上生长低缺陷密度的4H‑SiC外延层的方法，包括以下步骤：2°碳化硅衬底的原位湿法清洗，2°碳化硅衬底的原位干法刻蚀，对干法刻蚀后的衬底生长碳化硅缓冲层，在缓冲层碳化硅上再生长同质碳化硅外延层，本发明通过在2°碳化硅衬底和外延层之间设计一层缓冲层，并调节出最平衡的外延层及缓冲层生长C/Si和生长温度，可显著降低2°碳化硅外延层三角型缺陷密度及减少层错阶梯现象，从而提高在2°偏轴衬底上生长的外延层的表面质量。
一种 si 面上生长缺陷密度 sic 外延方法

[发明专利]一种监测原位水汽生长栅氧化膜的生长缺陷的方法-CN201410697355.0在审
发明人：邱裕明;肖天金;余德钦 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种监测原位水汽生长栅氧化膜的生长缺陷的方法，该方法为：提供一硅衬底；制备一栅氧化膜形成于所述硅衬底的生长区域；在预设时刻停止制备所述栅氧化膜；扫描所述硅衬底，对在所述硅衬底上形成栅氧化膜的区域和未形成栅氧化膜的区域进行定位；对形成栅氧化膜的区域与未形成栅氧化膜的区域进行切片分析，以获取所述栅氧化膜是否存在生长缺陷的监测结果。本发明采用明场扫描将未生长栅氧化膜的区域与正常生长栅氧化膜的区域利用高度差区分出来，再进行透射电子显微镜的切片分析，从而获取栅氧化膜是否存在生长缺陷的监测结果。采用本发明所述监测原位水汽生长栅氧化膜的生长缺陷的方法可有效缩短生长缺陷发现周期，从而提高器件良率。
一种监测原位水汽生长氧化缺陷方法

[发明专利]一种大直径碳化硅单晶及其制备方法-CN202011627014.8在审
发明人：魏汝省;李斌;毛开礼;周立平;戴鑫;靳霄曦;樊晓 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种大直径碳化硅单晶及其制备方法，属于结晶生长技术领域。本发明提供的方法：将结晶物料，在籽晶、保护气氛下进行结晶生长；结晶生长结束后，将所得单晶进行原位退火处理，得到所述大直径单晶；所述结晶生长在坩埚中进行；采用2个加热线圈分别对所述坩埚的顶部和底部进行加热；对所述坩埚顶部进行加热的加热线圈中心与晶体生长界面在同一水平面上。本发明采用两个感应加热线圈分别对坩埚的顶部和底部进行加热，保持坩埚的顶部和底部温度差；结晶生长过程中，保持上线圈中心与晶体生长界面在同一水平面上，维持生长界面温场稳定性，减小结晶生长过程引入热应力；结晶生长结束后，对晶体进行原位退火处理，消除晶体内部热应力。
一种直径碳化硅及其制备方法

[发明专利]一种浮游生物的原位培养方法及其培养系统-CN202210816574.0在审
发明人：张学治;刘青玲;张俊洁;李成;徐聪 -专利权人：中国科学院水生生物研究所
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C12N1/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种浮游生物的原位培养方法及其培养系统，包括以下步骤：研究不同光照强度对浮游生物的生长影响并得出不同光强对浮游生物生长的影响；研究不同温度对浮游生物的生长影响并得出不同温度对浮游生物生长的影响；研究不同营养盐浓度对浮游生物生长影响并得出不同营养盐浓度对浮游生物生长的影响；本发明得出浮游生物在不同光照强度、温度和营养盐浓度下的生长速率，用于评估原位水体中浮游生物生长、衰亡、种群演变、生产力估算以及浮游生物对环境变化的响应，同时具有传感器监测系统，随时监测培养环境内温度和叶绿素等指标，实时掌握浮游生物的生长状态，更好地控制浮游生物生长所需的温度、光照、营养盐等培养条件的单一变化。
一种浮游生物原位培养方法及其系统

[发明专利]原位合成三维纳米多孔石墨烯包覆金属氧化物/氢氧化物/硫化物复合材料的制备方法-CN201810588301.9有效
发明人：赵乃勤;刘鹏;秦凯强;马丽颖;师春生;刘恩佐;何春年;何芳 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明涉及一种原位合成三维纳米多孔石墨烯包覆金属氧化物/氢氧化物/硫化物复合材料的制备方法，包括：制备多成分纳米多孔金属；在纳米多孔金属表面生长氮掺杂石墨烯；三维氮掺杂石墨烯包覆纳米多孔金属的部分刻蚀；金属氧化物/氢氧化物/硫化物的原位生长。
原位合成三维纳米多孔石墨烯包覆金属氧化物氢氧化物硫化物复合材料制备方法

[发明专利]通过水路径生产锌电极的方法-CN201911336635.8在审
发明人：菲利普·史蒂文斯;格韦纳埃勒·陶萨因特 -专利权人：法国电力公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01M4/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种原位形成锌酸钙晶体的锌电极的生产方法。该方法尤其包括以下步骤：制备混合物，晶体生长，减慢电极的生长和生产。
通过水路生产电极方法

[发明专利]一种氮化物晶须涂层表面改性堇青石蜂窝陶瓷的低温原位合成方法及其制得的产品-CN202211456638.7有效
发明人：劳新斌;徐笑阳;涂治;邓宇洁;江伟辉;梁健;吴倩;虞澎澎 -专利权人：景德镇陶瓷大学
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅晶须涂层表面改性堇青石蜂窝陶瓷的低温原位合成方法及其制得的产品，以基料、结合剂、润滑剂、垫烧辅料为原料，采用低温原位合成的方式在烧制堇青石蜂窝陶瓷的同时原位生长出SiC晶须涂层，使其由蜂窝陶瓷基体的内部到外部协同生长，从而形成传热性强、耐久性好、性质稳定、原位合成的表面改性涂层，获得了高比表面积、高抗热震性、高强度的堇青石蜂窝陶瓷。
一种氮化物涂层表面改性青石蜂窝陶瓷低温原位合成方法及其产品