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[发明专利]大偏角籽晶的加工方法-CN200910064345.2无效
发明人：李百泉;陈坚邦;李闯 -专利权人：新乡市神舟晶体科技发展有限公司
申请日： 2009-03-09 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大偏角籽晶的加工方法，本发明首先选取比较完整、电学参数好的水平砷化镓单晶锭，在单晶锭的头部先确定出(111)晶面，在晶面上根据晶向要求确定偏角值，然后用(331)衍射角衍射，根据所需长度切割出单晶块，再用环氧树脂把截取的单晶段晶头朝上粘接在底部粘固有金属块的石墨板上，粘贴后切片定向(211)晶面的偏差角度，用(311)衍射角衍射，根据所需高度切割，然后将单晶块旋转90°，定准(110)晶面的偏差角为零度时切割出所需宽度
偏角籽晶加工方法

[发明专利]通过定向固化生长单晶硅锭的系统及方法-CN200980122771.5无效
发明人：钱德拉·P·卡塔克;圣塔纳·润格哈文·帕萨萨拉梯;布瓦拉盖斯艾米·G·拉维 -专利权人： GT太阳能公司
申请日： 2009-06-15 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：提供用于产生如硅的单晶材料的系统及方法，该等单晶材料可使用在半导体和光伏打的应用中。于熔炉(10)中容置用于生长单晶锭的坩埚(50)，该坩埚(50)初始装有单一个种晶(20)和原料(90)，其中该种晶(20)至少部分被熔解，而该原料(90)完全熔解于该坩埚(50)中，接下来进行生长和固化程序通过定向固化达到生长单晶材料(如硅锭)，其中利用可相对于装有原料(90)的坩埚(50)而移动的隔离件(14)来达到生长阶段期间的排热。也设置有热交换器(200)，以控制在该生长和固化程序期间来自该坩埚(50)的排热，以达到单晶生长。
通过定向固化生长单晶硅系统方法

[发明专利]晶片的生成方法-CN201511009172.6有效
发明人：平田和也;高桥邦充;西野曜子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：提供晶片的生成方法，从锭高效地生成晶片。晶片的生成方法包含分离起点形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距锭的正面相当于要生成的晶片厚度的深度，并且使该聚光点与该六方晶单晶锭相对地移动而对锭的正面照射该激光束，形成与正面平行的改质层和沿着
晶片生成方法

[实用新型]具有多生长腔的生长碳化硅单晶的坩埚-CN202220989471.X有效
发明人：李有群;贺贤汉;高攀;周杰;汤晶;夏振伟 -专利权人：安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶体生长技术领域，具体是具有多生长腔的生长碳化硅单晶的坩埚。本实用新型包括外壳，所述外壳底部固定有电机。该具有多生长腔的生长碳化硅单晶的坩埚，加热座可将其加热腔内的三个石英坩埚进行加热，从而将其内部的高纯度多晶硅加热融化，而设置的电机可带动主动齿轮及其外壁啮合的三个从动齿轮进行转动，从而使得从动齿轮上的三个石英坩埚一同进行旋转，以便保证坩埚内添加的掺杂剂更加均匀，确保后续单晶硅锭的生产效果，而籽晶架下端的单晶晶种会从外壳上表面的进料口伸入坩埚内的熔融硅中，从而进行晶体生长，其过程能够在同一生长周期内生产出三个单晶硅锭，生产效率大大提升且配合可旋转的坩埚大大提供了硅锭的质量
具有生长碳化硅坩埚

[发明专利]具有经改进的机械强度的高电阻率单晶硅锭及晶片-CN202310269969.8在审
发明人：舒柏·巴萨克;伊格·佩杜斯;卡瑞喜玛·玛丽·哈德森;李衡敏;金昞天;罗伯特·J·法斯特 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本申请涉及具有经改进的机械强度的高电阻率单晶硅锭及晶片。本发明提供一种用于制备单晶硅锭的方法及从其切割的晶片。所述锭和晶片包括至少约1x1014个原子/cm3的浓度的氮及/或至少约1x1019
具有改进机械强度电阻率单晶硅晶片

[发明专利]容许工艺条件变动而制备无缺陷硅晶体的工艺-CN99807092.0无效
发明人： R·J·法勒斯特;V·沃诺考弗;P·马逖 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 1999-06-25 - 公布日： 2001-07-18 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种生长具有一个基本上无团聚本征点缺陷的轴向对称区单晶硅锭的工艺。单晶硅锭一般是按照左克拉斯基方法生长;可是,该锭从固化温度冷却到超过约900℃的一个温度被控制得容许有本征点缺陷的扩散以使在此轴向对称区内无团聚缺陷形成。
容许工艺条件变动制备缺陷晶体

[实用新型]2－3英寸砷化镓定向划线尺-CN200720140729.4无效
发明人：佟丽英;杨春明;张海林;史继祥;王聪 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2007-04-03 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种2－3英寸砷化镓定向划线尺，在透明材料平板上刻有同心的Φ2英寸圆弧线和Φ3英寸圆弧线，用于对准2英寸或3英寸砷化镓单晶锭的外圆；在两条同心圆弧线的一条直径上刻有一条槽，并在该直径两边位置两端各刻有与其平行的条形槽，这两组三条槽一起组成主参考面划线槽，用于确定砷化镓单晶锭的镓面；在与主参考面划线槽垂直的直径线上刻有另一条槽，为次参考面划线槽，用于确定砷化镓单晶锭的砷面；在次参考面划线槽分割的其中一个半圆内，划有与其平行的一组平行线，用于保证砷化镓样片上的信息移植到砷化镓单晶锭上的准确性。
英寸砷化镓定向划线

[发明专利]单晶锭直径的控制系统及控制方法-CN201580074232.4有效
发明人：金润求;罗光夏;安润河 -专利权人：爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： C30B15/32 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及一种在使用丘克拉斯基方法生长硅锭时用于控制硅锭的直径偏差的系统，所述系统可以包括：晶种夹头，所述晶种夹头用于支撑与也称为籽晶的晶种结合并生长的硅锭；测量单元，所述测量单元通过缆绳与所述晶种夹头的上表面连接，并被配置用于测量施加到所述晶种夹头上的负载；负载控制单元，所述负载控制单元在所述晶种夹头与缆绳连接的状态下，通过使所述晶种夹头的位置向上或向下移动，用于改变施加到硅锭上的负载；和控制单元，所述控制单元用于根据由所述测量单元测量的负载值驱动所述负载控制单元来控制施加到硅锭上的负载因此，防止了在进行单晶锭生长时晶种的摇晃，由此可以减小生长的单晶锭的直径偏差。
单晶锭直径控制系统控制方法

[发明专利]通过定向凝固制备铸造硅的方法-CN201380016323.3无效
发明人： J·陈;A·德什潘德 -专利权人： MEMC新加坡私人有限公司
申请日： 2013-01-28 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： C03B11/00 文献下载
摘要：本发明提供制备铸造硅晶锭的方法。该方法包括将硅隔离物装入坩埚的底面；将单晶硅晶种排列在硅隔离物上使得单晶硅材料的表面不与坩埚的底面接触；将多晶硅原料装入坩埚中；和通过开口和至少一个侧壁中的至少一个施加热以在坩埚中形成部分熔融的硅装料。铸造硅晶锭不具有小于约5cm的横向尺寸，且铸造硅晶锭具有小于1000位错/cm2的位错密度。由铸造硅晶锭切割的晶片具有至少17.5％的太阳能电池效率和不大于0.2％的光致降解。
通过定向凝固制备铸造方法

[发明专利]氮化铝晶体的扩径-CN202080069543.2在审
发明人： R·邦德克夫;T·米巴赫;陈贱峰;铃木崇志;L·J·邵瓦尔特 -专利权人：晶化成半导体公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：在各种实施例中，氮化铝单晶在生长过程中快速扩径并且具有较大的晶体增强参数。氮化铝单晶可以具有较大的晶锭质量和体积。氮化铝单晶可以在增强的径向热梯度下从气相生长，实现较高的扩径率。
氮化晶体

[实用新型]一种晶硅棒晶硅锭切割用锯床承接台-CN201020591711.8无效
发明人：钱其峰;钱鹏飞 -专利权人：浙江芯能光伏科技有限公司
申请日： 2010-11-04 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： B28D7/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶硅棒晶硅锭切割用锯床承接台。包括M型承接座和L型承接座，所述M型承接座设置于所述L型承接座之上。多晶硅块的切割时，可取下M型承接座，利用L型承接座；单晶硅棒切割时，可以重新将M型承接座安装于L型承接座上。采用本实用新型，能分别完成单晶硅棒和多晶硅锭的切割，使切割车间对于单晶硅棒、多晶硅块的生产安排更加灵活。
一种晶硅棒晶硅锭切割锯床承接

[发明专利]一种掺杂硅片的制备方法和太阳电池-CN201910361750.4在审
发明人：王丙宽;夏新中;徐卓;刘莹;张莉沫;张任远;刘磊;潘家明 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：所述制备方法包括如下步骤：制备掺硼多晶硅锭或掺硼单晶硅棒，切片，得到硅片；在形成P‑N结前，采用离子注入或热扩散方法向所述硅片中掺入掺杂元素；和/或在形成P‑N结后，在印刷工序中，向所述硅片中掺入掺杂元素本发明提供的制备方法，在形成多晶硅锭或单晶硅棒后，再对硅片进行掺杂，提高多晶硅锭或单晶硅棒的有效利用率，并抑制硼氧复合体的形成，延长少数载流子寿命，提升电池效率及电池性能。
制备硅片掺杂元素单晶硅棒多晶硅锭掺杂掺硼掺入少数载流子寿命太阳能电池技术有效利用率电池效率电池性能复合体热扩散硼氧切片离子印刷

[发明专利]激光加工装置和激光加工方法-CN201810660262.9有效
发明人：山本节男 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： B23K26/40 文献下载
摘要：激光加工装置(1)包含：卡盘工作台(10)，其利用保持面(11)对单晶SiC锭(600)进行保持；激光束照射单元，其对卡盘工作台(10)所保持的单晶SiC锭(600)照射激光束；以及相机单元(30)，其对卡盘工作台(10)所保持的单晶SiC锭(600)进行拍摄。
激光加工装置方法

[发明专利]铸造单晶硅籽晶的铺设方法、晶体硅锭及晶体硅锭切割开方方法-CN202011260883.1在审
发明人：黎金香 -专利权人：黎金香
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种铸造单晶硅籽晶的铺设方法，相邻硅籽晶的110晶向成较小锐角斜向上指向或斜向上远离拼接缝，所述两类拼接缝有规律地间隔分布。两侧硅籽晶的110晶向斜向上指向的拼接缝在晶体生长过程中可以显著抑制位错的产生及扩展，提高硅锭整体的晶体质量。本发明还提供了应用上述单晶硅籽晶的铺设方法制备而成的晶体硅锭，以及晶体硅锭的切割开方方法，在去除籽晶拼接缝产生的位错的同时，提高硅锭可切片部分占比，降低硅片成本，也便于制备大尺寸硅片。本发明解决了铸造法生产单晶硅时籽晶拼接缝处位错增殖迅速的问题，制备的晶硅太阳电池效率高且分布集中，电池外观颜色一致，具有显著的市场应用价值。
铸造单晶硅籽晶铺设方法晶体切割开方

[实用新型]晶锭纵向切割辅助装置-CN201920166462.9有效
发明人：赵延祥 -专利权人：宁夏银和半导体科技有限公司
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： B28D7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶锭纵向切割辅助装置，属于单晶硅晶棒加工设备技术领域。包括基座、晶锭支撑平台及进给量调整组件，进给量调整组件包括进给平台及调节丝杠，进给平台滑动连接于基座上，调节丝杠沿水平方向贯穿通过进给平台，且一端转动连接于基座上，晶锭支撑平台固定于进给平台的一端；调节丝杠螺纹连接进给平台进行晶棒纵向切割作业时，将基座固定于晶棒截割机上，将单晶硅晶棒直立固定于晶锭支撑平台上，通过转动调节丝杠，使得进给平台主动进给，完成对单晶硅晶棒的纵向切割，提高纵向切割的成功率。
进给平台纵向切割晶棒晶锭单晶硅调节丝杠支撑平台进给量调整辅助装置转动调节丝杠机台本实用新型滑动连接加工设备螺纹连接前后移动直立固定主动进给转动连接组件包括垂直度平行度硅料截割进给种晶成功率贯穿