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[发明专利]一种制备4H碳化硅单晶的方法-CN202010230813.5在审
发明人：刘欣宇;袁振洲 -专利权人：江苏超芯星半导体有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明属于晶体生长技术领域，提供了一种制备4H碳化硅单晶的方法，以碳化硅粉料作为原料，采用物理气相传输法制备碳化硅单晶，在所述碳化硅粉料中添加有含有稀土元素的稀土物质。本发明提供的制备4H碳化硅单晶的方法，通过在制备碳化硅单晶的原料碳化硅粉料中添加稀土物质，可以100％稳定生长4H‑SiC晶体。
一种制备碳化硅方法

[发明专利]一种磁控拉单晶超导磁体及磁屏蔽方法-CN202111109028.5在审
发明人：刘伟;李超;马鹏;张弛;李勇;葛正福;兰贤辉;冯勇;刘向宏;张平祥 -专利权人：西安聚能超导磁体科技有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01F6/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁控拉单晶超导磁体，包括屏蔽结构和超导线圈。屏蔽结构包括磁屏蔽铁轭上板、磁屏蔽铁轭下板和磁屏蔽铁轭筒体，磁屏蔽铁轭上板和磁屏蔽铁轭下板分别连接在磁屏蔽铁轭筒体的两端，磁屏蔽铁轭筒体为多层结构。超导线圈设置在磁屏蔽结构内部。本发明采用多层优化过的磁屏蔽结构，在节约电工纯铁的基础上，进一步降低磁体的漏磁，从而满足磁控拉单晶用超导磁体周围电气设备的安全、稳定运行。同时单层磁屏蔽结构的厚度也较小，可以降低因单层较厚电工纯铁磁屏蔽结构造成的磁屏蔽与超导线圈之间的电磁作用力过大，诱发的磁体运行稳定性问题的风险，提高磁控拉单晶用超导磁体的稳定性，保证生产效率及稳定性。
一种磁控拉单晶超导磁体屏蔽方法

[实用新型]一种复投容纳硼粉的原料结构-CN202122002084.0有效
发明人：韩飞宇;王淼;郝小龙;王连文;庞国东;贾海洋;张强;周宏邦;娄中士 -专利权人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种复投容纳硼粉的原料结构，其特征在于，包括：第一部件和第二部件，所述第一部件与所述第二部件套接，形成一用于容纳硼粉的空腔，复投熔融后，释放所述空腔中的所述硼粉。本实用新型的有益效果是解决硼粉不能全部均匀的与原料进行混合，拉制出来的单晶硅棒电阻率不能达到使用范围，导致单晶硅棒不能使用的问题。且解决硼粉的投放问题，同时解决了目前拉制该单晶硅棒时不能进行复投的问题，防止了剩料多，产量低的情况发生，提高了该单晶以及该单晶制备的TVS P型产品的产量。
一种容纳原料结构

[发明专利]单晶锗锰磁性半导体/锗磁性异质结二极管及其制备方法-CN200910017191.1无效
发明人：颜世申;田玉峰;邓江峡;陈延学;刘国磊;梅良模 -专利权人：山东大学
申请日： 2009-08-06 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： H01L29/96 文献下载
摘要：单晶锗锰铁磁半导体/锗磁性异质结二极管及其制备方法，属于信息技术自旋电子器件技术领域。异质结二极管的p型层为单晶Ge_1-xMn_x铁磁半导体，锰的摩尔百分比含量x为：0＜x＜15％；Ge层为商业的本征的单晶半导体Ge或微量Sb掺杂的n型单晶半导体利用分子束外延在单晶锗衬底上通过共蒸发的方式外延生长锗锰磁性半导体制备单晶锗锰铁磁半导体/锗磁性异质结二极管。且本发明方法制备的单晶锗锰铁磁半导体/锗磁性异质结二极管可以与现代半导体硅工艺很好的匹配，因此在自旋电子器件方面具有良好的应用前景。
单晶锗锰磁性半导体异质结二极管及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅单晶的制备方法-CN202210833990.1在审
发明人：袁振洲;刘欣宇 -专利权人：江苏超芯星半导体有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅单晶的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)SiC粉料一次加热升华，进行沉积生长；(2)步骤(1)沉积生长所得SiC多晶取下与剩余的SiC粉料混合，进行二次加热升华，得到所述碳化硅单晶，所述SiC多晶与剩余的SiC粉料混合过程中还需额外添加SiC粉料。本发明采用物理气相传输法进行制备碳化硅单晶，通过将碳化硅生长过程中生成的碳化硅多晶重复利用，加热升华产生的碳化硅多晶掺混在剩余的SiC原料中，节约了碳化硅粉料的用量，降低了SiC粉料中的杂质，且提升了碳化硅单晶的产率
一种碳化硅制备方法

[发明专利]一种直拉法生长单晶硅用石墨件的清洗方法-CN201210232540.3有效
发明人：潘永娥;高贻刚;张国霞 -专利权人：宁夏隆基硅材料有限公司;银川隆基硅材料有限公司;西安隆基硅材料股份有限公司;无锡隆基硅材料有限公司
申请日： 2012-07-06 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉法生长单晶硅用石墨件的清洗方法，具体步骤包括：将石英粉均匀地涂在石墨件腐蚀层上，将涂覆过石英粉的各个石墨件，按照生长单晶硅时各个石墨件的结构顺序安装于单晶炉内；抽真空，将石墨件逐步加热到1650℃-1700℃，缓慢降温，待热场温度≤100℃以下时拆炉；打开单晶炉炉体，待热场冷却后，取出各个石墨件；去除每个石墨件表面上的残余石英粉，并将每个石墨件表面清理干净即成。本发明的方法，通过SiC与石英粉在高温下的反应，能够延长石墨件的使用寿命15-30炉；适用于直拉单晶硅中使用的各个石墨件。
一种直拉法生长单晶硅石墨清洗方法

[发明专利]一种单晶碳化硅晶片的化学集群磁流变复合加工方法-CN201210304530.6有效
发明人：路家斌;潘继生;祝江亭;阎秋生;徐西鹏 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明是一种单晶碳化硅晶片的化学集群磁流变加工方法。本发明将单晶碳化硅晶片通过粘结剂粘结在抗磁工具头上，抗磁工具头安装在电机主轴上，抗磁工具头和抛光盘绕各自的轴线旋转的同时，抗磁工具头相对抛光盘做一定幅度的摆动，本发明的方法基于磁流变效应，将磨料及酸碱化学试剂混入磁流变液作为抛光工作液，以磁性体作为基体形成磁流变效应小磨头约束聚集游离磨料，运用集群作用原理由多点磁流变效应小磨头的阵列组合构成柔性抛光膜，控制工件与抗磁抛光盘之间的间距及工件与抛光盘之间的相对转速，减小单晶碳化硅晶片的表面缺陷和损伤层本发明发挥了集群磁流变的机械高效率和化学抛光的化学催化优点，抛光效率高。
一种碳化硅晶片化学集群流变复合加工方法

[发明专利]一种开合式单晶永磁场结构-CN201110154362.2有效
发明人：张承臣;李波;李恒盛;李朝朋 -专利权人：沈阳隆基电磁科技股份有限公司
申请日： 2011-06-10 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01F7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种开合式单晶永磁场结构，其包括磁扼端板(1)、导磁板一(2)、角轮(3)、折页(4)、开合推杆(5)、导磁板二(6)、磁体外罩(7)、磁体(8)和磁盒(9)；磁盒与导磁板一和导磁板二固定在一起，两端的磁扼端板通过导磁板一和导磁板二焊接牢固，形成两个半圆“C”臂磁极，组成一对圆形磁场；使用折页(4)连接两个半圆磁极，并且能够由开合推杆驱动以折页为轴使两个半圆磁极开合转动；将内部置有磁体的磁盒封装在磁体外罩内；角轮用于灵活移动开合式单晶永磁场结构。应用本发明可以保证多晶硅在结晶为单晶时的工艺参数，与电磁磁场相比，不耗电能，工作过程中不耗能，免维护，工作过程中无故障。
一种合式永磁结构

[发明专利]一种压电性氧化物单晶基板的制造方法、SAW滤波器-CN202111293376.2在审
发明人：王阳;吴洋洋;曹庭松;陆彬 -专利权人：北京超材信息科技有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：本发明提出了一种压电性氧化物单晶基板的制造方法，包括：制备富锂多晶粉体，将碳酸锂和金属氧化物混合，进行高温固相反应后，破碎，制备富锂多晶粉体，金属氧化物中的金属元素与压电性氧化物单晶基板中的金属元素相同，富锂多晶粉体中的锂与金属具有第一化学计量比，压电性氧化物单晶基板中的锂与金属具有第二化学计量比；制备还原片，将富锂多晶粉体与还原性粉体按照预置的比例混合，压片制备第一还原片和第二还原片；还原处理，将第一还原片、压电性氧化物单晶基板、第二还原片依次安放在支架上，高温还原处理预置时间后生成表面为伪化学计量组成的压电性氧化物单晶基板。由此，能够维持压电性氧化物单晶基板的极化构造，提高基板的压电性。
一种压电氧化物单晶基板制造方法 saw 滤波器

[发明专利]一种大尺寸低缺陷碳化硅单晶的生长方法-CN202310055979.1在审
发明人：陈晶莹;罗烨栋;浩瀚;赵新田;杨弥珺;章宣;都佳豪 -专利权人：宁波合盛新材料有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种大尺寸低缺陷碳化硅单晶的生长方法，属于碳化硅单晶制备技术领域。本发明提供的大尺寸低缺陷碳化硅单晶的生长方法中，利用大尺寸低缺陷碳化硅单晶生长装置，以碳化硅粉料为原料，在N型掺杂剂存在条件下基于PVT法进行第一阶段长晶，得到晶锭；以硅粉、碳粉、铬粉和P型掺杂剂的混合物为原料，以所述晶锭作为籽晶，基于LPE法进行第二阶段长晶，得到大尺寸低缺陷碳化硅单晶。采用本发明提供的方法可以生长得到大尺寸低缺陷碳化硅单晶，且可在同一块碳化硅单晶上实现不同类型的掺杂。
一种尺寸缺陷碳化硅生长方法

[发明专利]一种铁磁/石墨烯外延界面及其低温制备方法-CN202010456078.X有效
发明人：潘孟春;邱伟成;胡佳飞;李裴森;彭俊平;吴瑞楠;胡悦国 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁磁/石墨烯外延界面的低温制备方法，包括以下步骤：S1、在绝缘基底上生长具有六角对称性晶格属性的铁磁薄膜，绝缘基底为与铁磁薄膜晶格对称性一致的基底；S2、对铁磁薄膜依次进行退火处理和表面还原处理，得到活性单晶薄膜；S3、将活性单晶薄膜置于等离子体化学气相沉积系统中，控制温度、等离子功率等生长模式，结合表面势能诱导在活性单晶薄膜上外延生长石墨烯，关闭等离子体和停止前驱体的通入，降温冷却，得到铁磁本发明制备得到的铁磁/石墨烯外延界面的界面结合力强。
一种石墨外延界面及其低温制备方法

[发明专利]一种单晶金刚石磨粒的制备方法-CN201310675871.9有效
发明人：王振宇;胡晓刚;王院卫 -专利权人：北京保利世达科技有限公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶金刚石磨粒的制备方法，通过将微米级单晶金刚石与至少一种微米级金属粉在含有至少一种纳米金属粉的溶胶中充分分散，并控制两种不同数量级金属粉之间的适合比例，从而使得所述微米级单晶金刚石之间的大部分孔隙被微米级金属粉填充，只需要适合量的纳米金属粉就使得所述微米级金属粉与所述纳米级金属粉共同包覆在所述微米级金刚石的表面形成完整、均匀的包括至少两种金属颗粒的包覆层，进而最终制备得到的单晶金刚石磨粒表面呈现独特的粗糙形貌，研磨过程中呈现较多的接触点和接触面
一种金刚石磨制备方法

[发明专利]一种单晶高镍锂电正极材料及其制备方法-CN202210022258.6在审
发明人：黄陆军;宋金鹏;安琦;杨国波;丛光辉;王存玉;崔喜平;耿林 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶高镍锂电正极材料及其制备方法，该制备方法包括：(1)将氧化镍、四氧化三钴、二氧化锰和碳酸锂进行球磨处理，得到混合粉体；其中，所述混合粉体中镍、钴、锰的元素摩尔比为8:1:1；(2)将所述混合粉体进行烧结处理，得到所述单晶高镍锂电正极材料。本发明提供的单晶高镍锂电正极材料制备方法工序简单，成本低，能够有效合成单晶高镍锂电正极材料，且压实密度高。
一种单晶高镍锂电正极材料及其制备方法

[发明专利]一种小尺寸单晶极化装置-CN202210642845.5在审
发明人：夏钰坤;夏文英 -专利权人：江西匀晶光电技术有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C30B33/04 文献下载
摘要：一种小尺寸单晶极化装置，包括极化炉，极化炉内置坩埚，坩埚放置于坩埚托上，坩埚内裝盛有晶粉，单晶、电极立放悬置于坩埚内并被晶粉掩埋；还包括：收集池，位于极化炉下方；轴筒，设置于坩埚底部，其上设有外出料口，本发明通过立放单晶的方式进行极化，提高了极化质量，同时本发明通过夹持组件一并夹持取放电极和单晶，对于单晶和电极的安装十分便捷，达到立放的目的，结合坩埚底部的晶粉泄放结构，有利于晶粉的回收和夹持组件的取放，特别适合小尺寸单晶的极化使用。
一种尺寸极化装置

[发明专利]一种氧化铝复合单晶高温钨金属化方法-CN201010546386.8有效
发明人：陆艳杰;张小勇 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2010-11-16 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铝复合单晶高温钨金属化方法，属于陶瓷-金属封接技术领域。金属化工艺为在氧化铝复合单晶表面采用钨-氧化钇复合粉，通过二次涂膏和二次烧结工艺完成。步骤包括先将氧化铝复合单晶表面研磨、抛光处理及清洁处理；用硝棉溶液将钨-氧化钇复合粉调成膏状，均匀涂覆于氧化铝复合单晶表面，涂覆厚度30～40μm，低温烧结；二次涂膏，厚度为20～30μm，高温烧结。该工艺的特点在于金属化粉采用钨-氧化钇复合粉，金属化涂膏分两次完成，该工艺制备的金属化层与氧化铝复合单晶结合力强，不起皮，厚度均匀，为后期氧化铝复合单晶与金属的高气密、高强度封接提供了可靠保障。
一种氧化铝复合高温金属化方法