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[发明专利]一种制备发光多孔硅粉的方法-CN202010079366.8在审
发明人：汪舰;顾亚琦;李成;胡保付;杜保立;徐坚 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2020-02-04 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备发光多孔硅粉的方法，包括以下步骤：1)向球磨罐中加入单晶硅片、去离子水、磨球，充入氩气或氮气作为保护气体，用球磨机研磨后得到单晶硅粉和水的混合物；2)将步骤1)的混合物在真空干燥箱中干燥得到单晶硅粉；3)将HF溶液与去离子水混合制备腐蚀液；4)将步骤2)得到的单晶硅粉加入到反应釜中，再加入步骤3)的腐蚀液；5)将反应釜密封之后放入烘箱中加热；6)将反应釜移出烘箱，冷却至室温；7)用微孔滤膜过滤，干燥后得到多孔硅粉体相比于普通硅片腐蚀法，可一次性制得大量多孔硅粉体，解决了普通方法产量低，要想获得大量多孔硅粉体，只能多次重复的问题。
一种制备发光多孔方法

[发明专利]晶体制造方法-CN201180051141.0无效
发明人：小林伸行;前田一树;近藤浩一;七泷努;今井克宏;吉川润 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2011-10-31 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： C30B1/04 文献下载
摘要：本发明的晶体制造方法，包含：进行在原料成分单晶化的规定的单晶化温度下，喷射含有该原料成分的原料粉体，在由单晶构成的晶种基板上形成含有原料成分的膜的成膜处理的同时，进行令含原料的膜直接在规定的单晶化温度下结晶化的结晶化处理的成膜结晶化工序该成膜结晶化工序中，单晶化温度优选在900℃以上。此外，成膜结晶化工序中，原料粉体及晶种基板优选为氮化物或氧化物。
晶体制造方法

[发明专利]一种长针状和薄片状单晶MoAlB的制备方法-CN201810262047.3有效
发明人：胡春峰;索尔沃托瑞·格拉索;朱德贵;许璐迪;施鸥玲 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： C30B29/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种长针状和薄片状单晶MoAlB的制备方法，包括以下步骤：步骤1：将MoB粉和Al粉按摩尔比为1：（40～100）的比例混合，得到混合粉体；步骤2：将步骤1中得到的混合粉体进行高温固液合成反应，冷却后得到反应产物；步骤3：将步骤2得到的反应产物酸洗去除未反应的铝，清洗和干燥后既得所需长针状和薄片状单晶MoAlB；本发明通过将MoB粉混在超过量的Al粉中，从而在高温下实现MoB粉完全处在熔融的铝液中，可得到纯净的长针状和薄片状单晶MoAlB；制备工艺简单、成本低，易于工业化推广。
一种针状薄片状单晶 moalb 制备方法

[发明专利]一种铁磁薄膜外延单层石墨烯及其制备方法-CN202010456103.4有效
发明人：潘孟春;邱伟成;胡佳飞;李裴森;彭俊平;胡悦国;张琦 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明公开了铁磁薄膜外延单层石墨烯的制备方法，通过高温退火使得铁磁薄膜单晶化，结合碳成核、扩散和析出过程调控，诱导石墨烯在单晶铁磁表面的自我终止生长，实现单层石墨烯的外延制备。本发明可解决高溶碳金属材料上生长单层石墨烯的困难，同时保证了制备的铁磁金属/石墨烯界面晶格外延特性，界面结构稳定，可大幅提高相关石墨烯电子器件的性能。
一种薄膜外延单层石墨及其制备方法

[外观设计]超导磁体（磁控直拉单晶硅用）-CN202030091311.X有效
发明人：李超;张弛;马鹏;刘伟;葛正福;兰贤辉;李猛;周涛;闫果;刘向宏;冯勇;张平祥 -专利权人：西安聚能超导磁体科技有限公司
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： 13-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：超导磁体（磁控直拉单晶硅用）。2.本外观设计产品的用途：用于对磁控直拉法制备单晶硅提供背景磁场。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
超导磁体磁控直拉单晶硅

[外观设计]超导磁体（磁控直拉单晶硅用）-CN202030120917.1有效
发明人：马鹏;刘伟;李超;葛正福;周涛;兰贤辉;张弛;李猛;杨战锋;闫果;刘向宏;冯勇;张平祥 -专利权人：西安聚能超导磁体科技有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： 13-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：超导磁体（磁控直拉单晶硅用）。2.本外观设计产品的用途：用于对磁控直拉法制备单晶硅提供背景磁场。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
超导磁体磁控直拉单晶硅

[发明专利]高显色荧光转换型白光激光光源用荧光材料及其制备方法-CN202110103119.1在审
发明人：樊嘉杰;杜运佳 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：本发明荧光材料，包括YAG单晶基片和荧光玻璃膜层，荧光玻璃膜层是红色荧光粉和低熔点玻璃粉混合物的薄膜层；YAG单晶基片采用提拉法制备，且单面抛光、单面研磨粗糙；所述荧光玻璃膜层通过丝网印刷工艺将荧光玻璃浆料印刷在YAG单晶粗糙面上，然后进行热处理；红色荧光粉可以补充激光激发YAG单晶时缺少的红色光谱部分，优化其发光性能，在蓝色激光激发下可以得到高显色指数的白光。本发明制备的单晶‑PIG荧光材料在作为激光白光用荧光转换材料时具有热稳定性好、显色指数高等优势，具有广泛的应用前景。
显色荧光转换白光激光光源材料及其制备方法

[发明专利]一种降低碳化硅单晶内部碳包裹体缺陷密度的方法-CN202210936589.0在审
发明人：张小刚;王胜亚;于文明 -专利权人：江苏芯恒惟业电子科技有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低碳化硅单晶内部碳包裹体缺陷密度的方法，属于碳化硅单晶制备技术领域，包括以下步骤：制备碳化钽和五氧化二钽的颗粒混合物、烧结、除残、隔离、制备碳化硅单晶。本发明采用耐腐蚀、熔点高、孔隙均匀的钽多孔块体替代了粉料区域上部呈分散状的碳化硅粉料，钽多孔块体孔隙的孔径为0.1‑50μm，不仅可以有效阻止粉料中的残余碳随气流的上升，还可以保证Si(g)、Si2C(g)、SiC2(g)等组分的自由通过，从而降低碳化硅单晶中的碳包裹体缺陷密度，有利于实现高质量碳化硅单晶的生长。
一种降低碳化硅内部包裹缺陷密度方法

[发明专利]一种氟化镁钡单晶的生长方法-CN201110434476.2有效
发明人：武安华;徐军;苏良碧;李红军;钱国兴;姜林文;钱小波;王静雅 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种氟化镁钡单晶的生长方法，所述生长方法包括如下步骤：首先将BaF2和MgF2的混合粉体或BaMgF4粉体进行氟化处理；然后将氟化处理后的粉体和籽晶放入铂坩埚中，气密坩埚；再将铂坩埚置入单晶炉中，采用坩埚下降法生长氟化镁钡单晶。本发明所述的氟化镁钡单晶的生长方法具有如下优点：温场稳定，生长过程中无需通入CF4气体；生长的BaMgF4单晶完整性好，无宏观及微观缺陷；成品率高，晶体尺寸和外形容易控制；晶体不易开裂；另外，该方法工艺设备简单
一种氟化镁钡单晶生长方法

[发明专利]一种用于磁控直拉单晶用MgB₂超导磁体-CN201310034330.8有效
发明人：李超;闫果;梁书锦;熊小伟;葛正福;刘向宏;冯勇;张平祥 -专利权人：西部超导材料科技股份有限公司
申请日： 2013-01-29 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01F6/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于磁控直拉单晶用MgB2超导磁体，包括低温容器，制冷机安装到所述低温容器上。本发明制作的磁控直拉单晶用高温超导磁体具有磁场强度高、制作成本低、系统简单、功耗小、操作容易等优点，由于硅熔体的热对流得到有效抑制，能使拉出的单晶硅具有更高的纯度和均匀性，晶体熔体界面处的氧、点缺陷及其它杂质得到了有效控制
一种用于磁控直拉单晶用 mgb sub 超导磁体

[发明专利]一种双层织构化钴铁氧体－锆钛酸铅多铁性复合膜材料及制备方法-CN201310098341.2有效
发明人：简刚;邵辉;胡庆贤;芦笙 -专利权人：江苏科技大学
申请日： 2013-03-25 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：制备方法是：以CoFe2O4粉体、Pb(ZrxTi1-x)O3粉体为原料制备得到CoFe2O4流延前驱浆料和Pb(ZrxTi1-x)O3流延前驱浆料；将棒状CoFe2O4单晶加入到CoFe2O4前驱浆料中，得到铁磁相混合浆料；将片状SrTiO3单晶加入到Pb(ZrxTi1-x)O3前驱浆料中，得到铁电相混合浆料；通过流延成型工艺，分别制备CoFe2O4坯体、Pb(ZrxTi1-x)O3坯体，将两种坯体叠层本发明工艺较简单，获得的铁磁/铁电双层共织构化结构，增强材料宏观性能以及提高材料界面特性。
一种双层织构化钴铁氧体锆钛酸铅多铁性复合材料制备方法

[发明专利]用于PVT法生长碳化硅单晶的碳化硅粉料的预处理方法-CN202011276502.9在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：用于PVT法生长碳化硅单晶的碳化硅粉料的预处理方法，它涉及碳化硅粉料的预处理技术。它是要解决现有的PVT法碳化硅单晶生长过程中因粉料烧结影响气体输运技术问题。本方法：将碳化硅粉料放入带搅拌的真空感应炉中在，抽真空状态下加热到处理；然后再充入氩气，搅拌的同时继续加热处理；然后冷却到室温，完成碳化硅粉料的预处理。在碳化硅粉末表面形成一层相对疏松的石墨隔离层，稳定的隔离层阻隔了碳化硅颗粒之间的相互接触，减少在高温条件下碳化硅的烧结，利于PVT法碳化硅单晶的生长时减少缺陷。本方法可用于碳化硅单晶生长领域。
用于 pvt 生长碳化硅预处理方法

[发明专利]一种磁光传感用成像单晶晶片快速生产的方法-CN202211207915.0在审
发明人：杨青慧;李涵;张鼎;俞靖彦;张元婧;张怀武 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：一种磁光传感用成像单晶晶片快速生产的方法，属于磁光传感用单晶晶片制备技术领域。包括：1)在石榴石单晶衬底上生长石榴石单晶晶片层；2)将衬底提出至熔体液面上方，液相外延炉的温度升高至1150～1200℃；3)将衬底下降至熔体液面下，单向旋转1min，保持旋转并将衬底提出，1min后停止旋转本发明将晶体表面处理过程合并至晶体生长过程中，省去了研磨、抛光等工艺流程，减少生长时间，提高生产效率、降低了生产成本；采用高温熔体浸渍清洗法，能有效控制表面白雾、团簇型裂纹等表面污染层，获得和传统工艺相同晶体表面质量的磁光成像单晶晶片
一种传感成像晶片快速生产方法

[发明专利]钛酸铜钙纳米单晶粉体及其制备方法-CN201710098560.9有效
发明人：慕春红;任和;宋远强;邓凯;罗建军 -专利权人：四川环碳科技有限公司
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸铜钙纳米单晶粉体及其制备方法。该纳米单晶粉体包括以下重量份的组分：铜盐2.5~20份、钙盐1~9份、钛酸丁酯3.5~16份、有机粘合剂5~25份、弱酸1.5~6份以及溶剂55~75份；其制备方法为：（1）按配方将铜盐、钙盐、钛酸丁酯、酸液和溶剂混合，超声后搅拌，得溶液Ⅰ；（2）将有机粘合剂加入溶液Ⅰ中，搅拌溶解，得溶液Ⅱ；（3）将溶液Ⅱ加入喷雾干燥机中处理，得无机/有机粉末，再将无机/有机粉末置于烧结炉中烧结，得钛酸铜钙纳米单晶粉体本发明可有效提升钛酸铜钙纳米单晶粉体的生产效率，降低生产成本。
钛酸铜钙纳米单晶粉体及其制备方法

[实用新型]一种基于CVD钻石的生物显微磁成像设备-CN202020407488.0有效
发明人：刘宏明;赵芬霞 -专利权人：湖州中芯半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本实用新型涉及磁成像设备技术领域，且公开了一种基于CVD钻石的生物显微磁成像设备，包括操作台，操作台的底部四角处均固定连接有支撑腿，操作台通过移动机构连接有支撑板，支撑板靠近操作台的一侧板壁上固定连接有外壳，外壳的顶部内壁上安装有光电探测器，外壳内安装有显微镜，且显微镜位于光电探测器下方设置，外壳内固定连接有CVD钻石单晶片，CVD钻石单晶片位于显微镜下方设置，且CVD钻石单晶片内部注入NV色心，外壳内固定连接有微波线圈，且微波线圈位于显微镜和CVD钻石单晶片之间设置，外壳上固定连接有激光发射器。本实用新型可以对生物样本进行空间扫描，从而得到生物样磁特征的二维图像，分析生物磁特征更方便，更便捷，检测的精度更高。
一种基于 cvd 钻石生物显微成像设备