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[发明专利]超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法及单晶硅棒-CN202011433010.6在审
发明人：夏秋良;刘坤 -专利权人：新美光（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法及单晶硅棒，涉及单晶硅加工技术领域，本发明提供的超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法，包括以下步骤：加热单晶硅原料的底部，待单晶硅原料的底部熔化时向上拉制熔化的单晶硅原料；随着单晶硅原料被拉升，减小对熔化的单晶硅原料的拉升速度。本发明提供的超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法，可以在单晶硅棒的放肩部位形成弧形曲面，且可降低产生断线的几率。
超大尺寸半导体单晶硅生长方法

[发明专利]一种连续直拉单晶硅的制备方法及其产品-CN202210242601.8在审
发明人：刘海;彭亦奇;周子义 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种连续直拉单晶硅的制备方法及其产品，属于光伏与半导体硅片生产技术领域。本发明通过将坩埚内的硅原料加热熔融，再利用直拉单晶法进行单晶硅的生长；在单晶硅生长过程中，控制加料装置通过下料管向坩埚内持续添加硅原料，并利用高纯氩气辅助吹扫所述硅原料，使得硅原料落入坩埚内；在生长结束后，停止添加硅原料，将生长完成的单晶硅冷却后拆炉取出，得到单晶硅。本发明利用连续直拉法制备单晶硅，在进行单晶硅晶体生长的同时，持续向反应炉腔中添加硅原料，并利用高纯氩气持续吹扫下料管道，促使所述硅原料从下料管道落入反应坩埚内，避免了硅原料在管道中融化堵塞，提升了加料系统的稳定性
一种连续单晶硅制备方法及其产品

[发明专利]制造单晶硅的方法-CN201280063685.3在审
发明人：加藤英生;久府真一 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2012-07-10 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：提供了制造单晶硅的方法，其能够在采用由同一坩埚中的原料熔体提拉多根单晶硅的多重提拉法生长单晶硅时减少单晶硅的位错的产生。解决问题的手段：制造单晶硅的方法涉及采用通过Czochralski法在腔室内由同一坩埚(8)中的原料熔体(7)提拉多根单晶硅(1)的多重提拉法制造单晶硅(1)的方法，该方法包括省略掉单晶硅(1)的尾部的形成的至少一部分并由所述原料熔体分离出单晶硅的步骤
制造单晶硅方法

[发明专利]一种使用异常原料生产单晶硅的方法-CN201910339850.7在审
发明人：李立峰;胡海勇;曹森;侯雨;关鹏羽;曲雁鹏;陈朝霞 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种使用异常原料生产单晶硅的方法，包括装料：将多晶硅原料和异常原料混装在坩埚中；化料：将异常原料和多晶硅原料熔化；杂质提出：在化料后期将所述坩埚内未熔化的多晶硅异常原料提出；生长：利用籽晶将提出杂质后剩余的硅熔体提拉以获得单晶硅本发明所述的使用异常原料生产单晶硅的方法，通过对单晶硅生产过程中步骤及参数的改变，实现了将含杂质多、品质较差的多晶硅原料分离提出，解决了使用品质较差的多晶硅原料生产过程中单晶硅品质无法保证的问题，使单晶硅生产成本大大降低
一种使用异常原料生产单晶硅方法

[发明专利]制造单晶硅的方法-CN201280063749.X有效
发明人：加藤英生;久府真一;大久保正道 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2012-05-15 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：提供了制造单晶硅的方法，其能够在采用由同一坩埚中的原料熔体提拉多根单晶硅的多重提拉法生长单晶硅时减少单晶硅的位错的产生。解决问题的手段制造单晶硅的方法涉及采用通过Czochralski法在腔室内由同一坩埚8中的原料熔体7提拉多根单晶硅1的多重提拉法制造单晶硅1的方法，该方法包括在磁场中生长单晶硅1的步骤，其中将在大直径的坩埚
制造单晶硅方法

[发明专利]一种改良N型单晶硅棒特性的掺杂方法-CN201710009114.6在审
发明人：张立平;梁永生;冉瑞应;李博一;金雪 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明公开的一种改良N型单晶硅棒特性的掺杂方法，包括步骤：先按一定比例在硅原料中添加纯铝颗粒，然后将硅原料及纯铝颗粒装入单晶炉内的石英坩埚中，将单晶炉密封通入保护气体后，通过加热器将硅原料及纯铝颗粒熔化，最后经过引晶、放肩、转肩、等径、收尾、停炉工序后，得到N型单晶硅棒。本发明的一种改良N型单晶硅特性的掺杂方法解决了现有的单晶硅棒由于在生长过程中电阻分布不合理导致其尾部电阻不良率较高的问题。本发明的一种改良N型单晶硅特性的掺杂方法在硅原料中添加纯铝颗粒，高温熔化并分布在硅溶液中，随单晶硅棒的生长根据分凝原理在单晶硅棒中分布，从而达到改善N型单晶硅棒尾部电阻率分布和抑制缺陷产生的目的。
硅原料纯铝单晶硅棒掺杂改良单晶炉加热器熔化电阻率分布保护气体电阻分布高温熔化缺陷产生生长过程石英坩埚不良率硅溶液等径电阻放肩分凝停炉引晶收尾装入密封生长

[实用新型]一种耐高温性能好的单晶硅片-CN202020868502.7有效
发明人：陈路 -专利权人：上海壹晖能源科技有限公司
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： B32B27/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种耐高温性能好的单晶硅片，包括单晶硅本体，所述单晶硅本体的顶部设置有粘合层，所述粘合层远离单晶硅本体的一侧设置有基材层，所述基材层包括硼原料层，所述硼原料层远离基材层的一侧设置有石英石原料层，所述基材层远离粘合层的一侧设置有耐磨层，所述单晶硅本体的底部设置有胶层，所述胶层远离单晶硅本体的一侧设置有耐高温层，所述耐高温层包括玻璃纤维层，所述玻璃纤维层远离耐高温层的一侧设置有单晶硅薄膜层。本实用新型通过设置单晶硅本体、粘合层、基材层、耐磨层、胶层和耐高温层的相互配合，达到了耐高温性能好的优点，不会影响单晶硅片的使用，不会缩短了单晶硅片的使用寿命。
一种耐高温性能单晶硅

[发明专利]单晶硅制造方法以及单晶硅晶片-CN201780075050.8有效
发明人：菅原孝世;星亮二 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明是一种单晶硅制造方法，当对原料融液施加磁场并利用切克劳斯基法提拉单晶硅时，设定单晶硅的提拉直径为300mm以上，设定单晶硅的生长轴取向为＜111＞，设定单晶硅的提拉直径为D[mm]，设定原料融液表面的中心磁场强度为M[Gauss]，设定单晶硅的旋转速度为R[rpm]，以满足1096/D‑(0.134×M+80×R)/D＞0.7的关系的方式进行单晶硅的生长。
单晶硅制造方法以及晶片

[发明专利]一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺-CN201710417949.5在审
发明人：李顺利 -专利权人：界首市七曜新能源有限公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺，包括加料，熔化，缩颈生长，放肩生长，等径生长，尾部生长步骤。本发明将单晶硅原料送入长晶炉前进行低温加热处理，释放单晶硅原料内部应力，减少长晶时产生的位错，改善结晶质量；熔化时先将温度升至800～900℃，将长晶炉抽成真空，再将氩气充入长晶炉一方面进一步释放单晶硅原料的内部应力，另一方面通过升温将单晶硅原料内的气泡、氧杂质去除并随氩气一起排出长晶炉，保证单晶硅原料的纯度；本发明制得的单晶硅内部缺陷少，结晶质量高，作为太阳能板电池板使用具有较高的光电转换效率，同时使用寿命长。
一种太阳能电池板单晶硅制备工艺

[发明专利]光电转换装置的制造方法-CN200810189178.X有效
发明人：大沼英人;广濑贵史 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-12-29 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：在单晶硅衬底中形成脆弱层，在单晶硅衬底的表面一侧形成第一杂质硅层，在其上形成第一电极。在将支撑衬底的一表面和第一电极贴合之后，沿着脆弱层分离单晶硅衬底，以在支撑衬底上形成单晶硅层。在进行单晶硅层的结晶缺陷修复处理或结晶缺陷去除处理之后，使用至少包含硅烷类气体的原料气体，由在大气压或接近大气压的压力下产生的等离子体使原料气体活性化，来使单晶硅层外延生长。在外延生长的单晶硅层的表面一侧形成第二杂质硅层。
光电转换装置制造方法

[发明专利]单晶硅的制造方法-CN201680036860.8有效
发明人：梶原薰;斋藤康裕;金原崇浩;片野智一;田边一美;田中英树 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2016-07-06 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明的目的在于在多段拉晶法中，防止单晶硅的针孔不良，并且降低第2根以后的单晶硅中的碳浓度。通过反复进行以加热器（15）将填充于腔室（10）中石英坩埚（12）内的硅原料加热熔融的工序及从石英坩埚（12）内的硅熔液（3）提拉单晶硅（2）的工序，使用同一个石英坩埚（12）制造多根单晶硅（2）。将用于提拉第2根以后的单晶硅（2）而追加供应于石英坩埚（12）内的硅原料熔融时的腔室（10）内的炉内压设定为高于将用于提拉第1根单晶硅（2）而供应于石英坩埚（12）内的硅原料熔融时的腔室（10）内的炉内压
单晶硅制造方法

[发明专利]一种生长单晶硅的拉制装置和拉制方法-CN201710031668.6在审
发明人：银波;范协诚;夏高强;王文;胡颖;宋高杰 -专利权人：新疆知信科技有限公司
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长单晶硅的拉制装置和拉制方法，该装置包括：第一腔室，第一腔室内设置有用于加热的管式反应器、第一坩埚，第一坩埚用于盛放熔融硅，气体硅源在管式反应器内热分解反应生成硅粉，硅粉或者硅粉熔融成为熔融硅进入到第一坩埚内；单晶硅提拉炉，用于以熔融硅为原料提拉生长单晶硅；输送机构，分别与第一腔室和单晶硅提拉炉连接，输送机构用于将第一腔室的第一坩埚内的熔融硅导入到单晶硅提拉炉内，使得该熔融硅作为单晶硅提拉炉提拉生长单晶硅的原料采用气体硅源为原料生长单晶硅的装置和方法，省略了固体硅料的生产步骤，一方面可以降低能耗，另一方面可以节约生产及处理固体硅料所需的巨额投资。
单晶硅熔融硅提拉炉坩埚第一腔室生长硅粉管式反应器固体硅料拉制装置气体硅源输送机构拉制提拉分解反应生产步骤省略内热熔融盛放加热室内节约投资生产

[发明专利]一种铸造单晶硅的制备方法-CN201810876213.9在审
发明人：明亮;邱昊;黄美玲;段金刚;刘福刚 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种铸造单晶硅的制备方法，该制备方法包括以下步骤：在石英坩埚底部中心放置一块单晶硅籽晶，装入硅原料和母合金；对石英坩埚进行加热，使硅原料和母合金完全熔化，单晶硅籽晶部分熔化，进入长晶阶段；控制硅熔体的横向温度梯度和纵向温度梯度，使晶体从单晶硅籽晶和硅熔体的接触面向四周及向上生长，得到铸造单晶硅锭。本发明制备方法具有工艺简单、易操作、成本低廉、单晶硅籽晶用量小、单晶率高、位错率低等优点，适合于大规模制备，利用工业化生产，有着很好的应用价值和应用前景。
制备单晶硅籽晶熔化单晶硅铸造石英坩埚硅熔体硅原料母合金横向温度梯度纵向温度梯度单晶硅锭底部中心向上生长单晶位错加热装入应用

[发明专利]一种利用掺氮单晶硅回收料生产直拉单晶硅棒的方法-CN201810332678.8在审
发明人：张文霞;谷守伟;高润飞;郝勇;刘伟;武志军;田野;张全顺;裘孝顺 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种利用掺氮单晶硅回收料生产直拉单晶硅棒的方法，包括S11：加料，将多晶硅、掺杂物和掺氮单晶硅回收料作为原料装入坩埚内；S12：熔化，加热，使所述坩埚内的原料熔化。本发明的有益效果是与现有的通入氮气的掺氮方式相比，本发明采用掺氮单晶硅回收料作为掺氮原料，节省了原材料，降低了生产成本，采用掺氮单晶硅回收料，利用固态的氮，不影响成晶，并且改善了电池端的性能。
掺氮单晶硅回收料直拉单晶硅棒原料装入坩埚氮气熔化原料熔化加料掺杂物多晶硅坩埚加热生产成本电池生产

[发明专利]一种单晶硅锭的制造方法及单晶硅培育装置-CN202210627684.2在审
发明人：蒋继林;王刚;刘学军 -专利权人：扬州方通电子材料科技有限公司
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明适用于单晶硅生产技术领域，公开了一种单晶硅锭的制造方法，其包括以下步骤；S1：加料：将多晶硅原料放入石英坩埚内等待加热融化,同时加入硼，磷，锑和砷进行混合，从而来提高硅原料的生产质量、S2：熔化：将多晶硅原料和添加的硼，磷，锑和砷进行加热，通过晶炉加热，将加热温度提升至1450℃。本发明通过石英坩埚内部的顶端设置有控温环，在单晶硅位于控温环的内部被提拉生长的过程中，控温环可对单晶硅周围温度形成恒定降温效果，在单晶硅等径生长的过程中，将对硅棒的外壁形成降温冷却，从而可以保证单晶硅的外壁得到一个稳定的生长值，从而大大提高单晶硅生产制作过程中的整体质量。
一种单晶硅制造方法培育装置

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