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[发明专利]基于氮化物的发热半导体器件的热管理结构-CN202180014044.8在审
发明人： K·黄;N·J·科利亚斯 -专利权人：雷声公司
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：一种半导体结构，其具有：晶体衬底；生长在衬底上的单晶体半导体层；以及形成在单晶体层的一部分上的发热半导体器件。衬底在其选定部分中具有孔洞，所述选定部分设置在发热器件下方的半导体层的区域中，所述孔洞从衬底的底部部分延伸到单晶体半导体层。单晶体或多晶体导热材料被设置在孔洞中，这种材料填充所述孔洞，并从所述衬底的底部延伸到半导体层，并与之直接接触。
基于氮化物发热半导体器件管理结构

[发明专利]用于分离衬底晶片的方法-CN201180030855.3有效
发明人：拉尔夫·瓦格纳 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2011-06-14 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：在用于从半导体单晶体（100）分离半导体层的方法中，提供具有单一晶体结构的半导体单晶体（100）。通过借助于激光（106）的照射，将在所述半导体单晶体（100）中的分离面（104）内的晶体结构局部地改性到已改变的组织结构状态。通过选择性刻蚀移除已改性的分离面（104）。
用于分离衬底晶片方法

[发明专利]弛豫铁电单晶铌钪酸铅-CN201310519614.6在审
发明人：王祖建;龙西法;李修芝;何超;刘颖;李涛;庞东方 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2013-10-29 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种弛豫铁电晶体铌钪酸铅。采用顶部籽晶晶体生长工艺对其进行生长，通过X-射线粉末衍射，确定该体系为钙钛矿结构，通过电学性能测量，分析了其铁电性和介电性。
弛豫铁电单晶铌钪酸铅

[发明专利]单晶体生产的装料方法及预装料坩埚-CN201110275943.1无效
发明人：孟涛;闫永兵 -专利权人：镇江仁德新能源科技有限公司
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶体生产的装料方法，包括：向置于单晶炉外的石英坩埚装料；在已装好料的石英坩埚上加盖一与所述石英坩埚紧密扣合的预装料盖；使用吊车勾吊预装料盖以使石英坩埚提起，再放入单晶炉热场的石墨坩埚中；使所述预装料盖和所述石英坩埚脱离，再由吊车吊走预装料盖，完成单晶体生产的装料。采用本发明的单晶体生产的装料方法，节省了单晶炉的有效利用时间，降低了因为装料不规范而造成挂边、搭桥等事故的发生。本发明还涉及用于单晶体生产的装料方法的预装料坩埚。
单晶体生产装料方法预装坩埚

[发明专利]碳化硅晶片及其研磨方法-CN202210382005.X在审
发明人：邱锦桢 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：首先，将单晶晶体切成几个晶片，其中每个晶片都具有硅面，即第一表面。相反的另一面是碳面，称为第二表面。然后，将晶片的硅面朝下，并置于研磨载台上以执行第一次研磨。
碳化硅晶片及其研磨方法

[实用新型]X射线定向仪-CN00211018.0无效
发明人：赵久 -专利权人：赵久
申请日： 2000-03-02 - 公布日： 2000-12-06 - 主分类号： G01N23/207 文献下载
摘要：本实用新型涉及的是一种用于精确测试单晶晶片并为其定向的机电一体化产品—X射线定向仪,它包括有X射线管、被测晶体样品台、计数器、放大器、数显器、电表、风冷电机、稳压器、控制器、高压发生器、高压电缆、吸泵等
射线定向

[发明专利]一种柔性有机单晶场效应晶体管及其制备方法-CN201910447268.2在审
发明人：陈鸿铭;曹菊鹏;孟鸿 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性有机单晶场效应晶体管及其制备方法，其中，所述柔性有机单晶场效应晶体管的制备方法通过制备有机半导体单晶薄膜，之后再配制高绝缘性聚合物溶液，并通过溶液加工将所述高绝缘性聚合物溶液涂覆于柔性栅极衬底的表面，形成介电层；再将所述有机半导体单晶薄膜转移至涂覆有介电层的柔性栅极衬底表面；之后在所述有机半导体单晶薄膜的两端分别进行蒸镀电极处理，得到柔性有机单晶场效应晶体管。本发明通过溶液加工得到高介电常数的介电层和超薄的有机半导体单晶薄膜，并采用简单的方法实现有机半导体单晶薄膜的转移，从而降低了柔性有机单晶场效应晶体管的工作电压，并提高了柔性有机单晶场效应晶体管的迁移率。
场效应晶体管有机单晶有机半导体单晶制备薄膜介电层聚合物溶液高绝缘性溶液加工栅极衬涂覆高介电常数薄膜转移电极处理工作电压迁移率蒸镀配制

[发明专利]单晶膜的晶体离子切割-CN99803025.2无效
发明人： M·列文;小R·M·奥斯古德 -专利权人：纽约市哥伦比亚大学托管会
申请日： 1999-02-08 - 公布日： 2004-07-21 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：提供一种从外延层(32)/衬底(37)或体晶体结构上分离单晶膜的方法。该方法包括以下步骤：把离子(38)注入晶体结构以在晶体结构内在晶体结构的上表面以下的注入深度处形成损伤层(36)，并对损伤层进行化学腐蚀以实行单晶膜从晶体结构的分离。本发明的方法尤其有用于从金属氧化物晶体结构上分离单晶金属氧化物膜。
单晶膜晶体离子切割

[发明专利]合成宝石用结晶体的制造方法-CN202111465301.8有效
发明人：小原亦聪;木本恒畅 -专利权人：株式会社宝利雅
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C30B33/04 文献下载
摘要：本申请涉及一种合成宝石用结晶体的制造方法。合成宝石用结晶体的制造方法包括：准备包含n型杂质的SiC单晶体的工序；以及通过向SiC单晶体照射电子射线，在SiC单晶体内生成碳空位的工序，以碳空位的密度大于n型杂质的密度的方式设定照射电子射线的照射能以及照射量
合成宝石结晶体制造方法

[发明专利]一种单晶硅的生长方法以及引晶结构-CN202110918118.2在审
发明人：黄旭光;王玉龙;刘彬国 -专利权人：晶澳太阳能有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅的生长方法以及引晶结构。该单晶硅的生长方法包括：在籽晶的下端连接晶体预热块，晶体预热块与籽晶为两个分离体；将连接在籽晶的下端的晶体预热块与硅溶液接触并熔接；下降籽晶和晶体预热块，直至晶体预热块完全浸入硅溶液中，并使籽晶的下端与硅溶液熔接该单晶硅的生长方法能够有效地提高单晶的细颈的生长尺寸，以满足大投料量的需求，提高单晶硅的产量。
一种单晶硅生长方法以及结构

[发明专利]单晶体切割方法-CN201380031273.6无效
发明人：奥克塔维安·菲利普;鲍里斯·埃佩尔鲍姆;马蒂亚斯·比克尔曼;阿尔布雷希特·温纳克;保罗·海曼;乌尔里希·赛茨 -专利权人： N-水晶有限公司
申请日： 2013-04-16 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于切割具有第一极轴(P1)的单晶体(1)的方法，所述方法包括以下步骤：将所述单晶体(1)相对于切割工具(2)设置为使得第一极轴(P1)基本垂直于待切割平面(SE)；将具有第二极轴(P2)的至少一个另一单晶体(5)设置为使得所述第一极轴(P1)与所述第二极轴(P2)基本平行但彼此相反；以及同时引导所述切割工具(2)沿待切割平面(SE)穿过所述单晶体(1)与所述至少一个另一单晶体(5)。
单晶体切割方法

[发明专利]一种单晶体生长炉的热屏装置-CN202310364691.2在审
发明人：郑义三;崔时荣;沈福哲;李丞济 -专利权人：安徽联效科技有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及单晶体制备领域，具体说是一种单晶体生长炉的热屏装置，包括单晶体生长炉、机体外壳、绝热材料、坩埚、加热器、晶锭、热屏以及循环冷却系统，解决了现有的生长炉内部设置的热屏在对制备不同直径大小的晶锭时，通常需要对整个热屏结构体进行变更，这不仅会提高安装人员施工难度，增加安装人员的劳动强度，还会延长更换热屏时耗，从而降低单晶体的制备效率，同时在生产力方面也是低效的；除此之外，在长期的使用过程中发现，热屏装置虽然有利于单晶体热量的释放，以提高其生长效率，但是热屏本身并不能够主动散热，使得实际生产过程中单晶体温度梯度的增大效果不明显，相应的单晶体生长速度的提升幅度也有限的问题。
一种单晶体生长装置

[发明专利]一种生长碘化汞单晶体的立式炉及该晶体的生长方法-CN200910023947.3无效
发明人：许岗;李高宏;介万奇;夏峰;王喜锋;王春景 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2009-09-17 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及碘化汞(α-HgI₂)单晶体生长技术领域，具体指一种生长碘化汞(HgI₂)单晶体立式炉及其用该立式炉生长碘化汞单晶体的方法。本发明为解决现有技术存在的温控系统复杂、生产成本高、需要籽晶及加工造成的单晶体损伤较大的问题，现采用的技术方案是：一种生长碘化汞单晶体的立式炉及其用该立式炉生长碘化汞单晶体的方法，在炉体底板上依次套设筒状的石英真空保温层和炉膛与现有技术相比，本发明具有以下优点和效果：1.结构简单；2.生产成本低；3.单晶体利用率高；4.设备功能多。
一种生长碘化单晶体立式晶体方法

[发明专利]一种碳化硅单晶生长方法及碳化硅单晶-CN202211312028.X在审
发明人：谢雪健;王兴龙;徐现刚;陈秀芳;胡小波 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明属于晶体生长技术领域，提供了一种碳化硅单晶生长方法及碳化硅单晶。其中，该方法包括选用设定粒径的碳化硅粉料作为碳化硅单晶生长的原料，均匀摊铺在加热容器底部，将碳化硅籽晶粘接在加热容器顶部；将加热容器放入单晶生长设备后，密封单晶生长设备，对单晶生长设备内部进行抽真空处理；对抽真空处理后的单晶生长设备的内部进行加热，向单晶生长设备内充入载气至预设生长压力，当加热至设定生长温度后，保温预设时间进行晶体生长；其中生长压力与碳化硅粉料粒度有关，粉料粒度越大，生长压力越小；当晶体生长完成后，对单晶生长设备的内部进行降温，向单晶生长设备内充入载气至预设冷却压力，自然冷却晶体，得到碳化硅单晶。
一种碳化硅生长方法

[发明专利]一种人工合成云母超大尺寸单晶的熔制方法-CN201610210688.5有效
发明人：孙桂平;吕宝林;韩承峪;孙立东;孙宪峰;周玟岐 -专利权人：吉林省隆华测控股份有限公司
申请日： 2016-04-06 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种人工合成云母大尺寸单晶的熔制方法，合成云母经原材料提纯、原材料加密和晶体生长后形成人工合成云母超大尺寸单晶；该单晶为平整透明的长方体书状单晶体，尺寸为长323mm×宽139mm×厚21.5mm本发明方法可以合成超大尺寸的云母单晶体，该单晶体属于硅酸盐类人工云母晶体，是在1500℃高温状态下，经严格的工艺条件及材料配比，在铂金坩埚中熔炼而成的云母晶体(理想化学式为KMg3(AlSi3O10)F2人工合成云母大尺寸单晶充分解决了电绝缘、高频介质、高温真空、高温高压、强酸强碱、分子生物学研究、DNA结构分析、中子反射试验等领域的亟需材料的问题，具有明显的经济效益和社会效益。
一种人工合成云母超大尺寸方法