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[发明专利]半导体纳米材料-CN201880010816.9在审
发明人： D·莫卡塔;A·霍尔茨曼;N·利迪希;Y·尼森霍尔茨 -专利权人：默克专利股份有限公司
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： C09K11/70 文献下载
摘要：本发明涉及合成半导体材料的方法。
半导体纳米材料合成半导体

[发明专利]半导体纳米晶荧光材料的制备方法以及通过所述方法制备的半导体纳米晶荧光材料及其应用-CN201911055146.5有效
发明人：李良;张庆刚 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体纳米晶荧光材料的制备方法，所述方法包括以下步骤：1)将一种或多于一种半导体纳米晶前驱体与微/介孔材料均匀混合；2)在不低于所述微/介孔材料的坍塌温度条件下煅烧制得半导体纳米晶荧光材料通过本发明的半导体纳米晶荧光材料的制备方法，可以将半导体纳米晶前驱体负载在微/介孔材料中，在常压或高压氛围下，进行高温煅烧，利用材料的微/介孔限域生长半导体纳米晶，同时高温导致孔道坍塌，从而将半导体纳米晶封装在微/介孔材料的孔道中，得到高度稳定的半导体纳米晶荧光材料。该高度稳定的半导体纳米晶荧光材料，能够有效阻挡水分、氧气、光照对半导体纳米晶荧光材料的腐蚀，提高半导体纳米晶荧光材料的操作稳定性，将该半导体纳米晶荧光材料封装在LED芯片上，可做成各种背光源器件。本发明还公开了几种应用该制备方法制得的半导体纳米晶荧光材料，以及所述半导体纳米晶荧光材料的应用。
半导体纳米荧光材料制备方法以及通过及其应用

[发明专利]纳米片的多阈值电压-CN202111435501.9在审
发明人：张婧芸;安藤崇志;李忠贤;A·雷茨尼采克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构。该半导体结构包括在衬底上的纳米片堆叠，每个纳米片堆叠包括牺牲半导体材料和半导体沟道材料的交替层以及围绕纳米片堆叠的第一子组的半导体沟道层的结晶化栅极电介质层、在结晶化栅极电介质的顶部上并且包围纳米片堆叠的第一子组的半导体沟道材料层的偶极层、以及由围绕纳米片堆叠的第二子组的半导体沟道层的扩散的偶极材料改性的栅极电介质。一种方法，包括在衬底上形成纳米片堆叠，每个纳米片堆叠包括牺牲半导体材料和半导体沟道材料的交替层，去除纳米片堆叠的组的牺牲半导体材料层，形成围绕纳米片堆叠的半导体沟道层的栅极电介质，以及结晶化纳米片堆叠的子组的栅极电介质
纳米阈值电压

[发明专利]半导体纳米线的凹槽式接触-CN201380073253.5在审
发明人： I.阿贝里;M.芒努松;D.阿索利;L.I.萨米尔森;J.奥尔松 -专利权人：索尔伏打电流公司
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种半导体纳米线器件，包括：至少一根半导体纳米线，其具有底面和顶面；绝缘材料，其包围所述半导体纳米线；以及电极，其欧姆接触所述半导体纳米线的顶面。所述电极与所述半导体纳米线的半导体材料的接触由与所述半导体纳米线的顶面的接触占主导。
半导体纳米凹槽接触

[发明专利]半导体装置-CN202110791254.X在审
发明人：朱龙琨;黄懋霖;徐崇威;余佳霓;江国诚;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：半导体装置，包括基板；第一半导体通道，位于基板上。第一半导体通道包括第一半导体材料的第一纳米片；第二半导体材料的第二纳米片，物理接触第一纳米片的顶侧表面；以及第二半导体材料的第三纳米片，物理接触第一纳米片的下侧表面。第一栅极结构位于第一半导体通道上并横向围绕第一半导体通道，且物理接触第二纳米片与第三纳米片。
半导体装置

[发明专利]半导体混合材料及其制备方法、薄膜晶体管以及电子装置-CN201710743461.1有效
发明人：董晓楠;张超;高坤坤;黄中浩;赵永亮 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：一种半导体混合材料及其制备方法、薄膜晶体管以及电子装置，该半导体混合材料包括无机半导体纳米粒子和有机半导体材料，其中，所述无机半导体纳米粒子分散在所述有机半导体材料中，本公开通过将无机半导体纳米粒子和有机半导体材料混合
半导体混合材料及其制备方法薄膜晶体管以及电子装置

[发明专利]一种半导体纳米材料热输运性质测试系统-CN202010404230.X有效
发明人：包本刚;孔永红;朱湘萍 -专利权人：湖南科技学院
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H04L1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体纳米材料热输运性质测试方法，包括：由具有无线通信功能的半导体纳米材料热输运性质测试装置对半导体材料的热输运性质进行测试，并得到测试数据；与第一半导体纳米材料测试中心数据收集终端建立通信连接；接收由第一半导体纳米材料测试中心数据收集终端发送的测量配置；接收由第二半导体纳米材料测试中心数据收集终端发送的参考信号；判断参考信号的接收功率是否大于门限值；如果判断参考信号的接收功率大于门限值，则向第一半导体纳米材料测试中心数据收集终端发送通知消息；由第一半导体纳米材料测试中心数据收集终端向第二半导体纳米材料测试中心数据收集终端发送询问消息；由第二半导体纳米材料测试中心数据收集终端判断是否能够接收发送的测试数据。
一种半导体纳米材料输运性质测试系统

[发明专利]具有包含不同材料取向或组成的纳米线或半导体主体的共衬底半导体器件-CN201710011200.0有效
发明人： A·卡佩拉尼;P·G·托尔钦斯基;K·J·库恩;G·A·格拉斯;V·H·勒 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：描述了具有纳米线或半导体主体的共衬底半导体器件和用于形成这种共衬底器件的方法，其中所述纳米线或半导体主体具有不同材料取向或组成。例如，半导体结构包括具有设置于结晶衬底之上的第一纳米线或半导体主体的第一半导体器件。所述第一纳米线或半导体主体由具有第一全局晶体取向的半导体材料组成。所述半导体结构还包括具有设置于所述结晶衬底之上的第二纳米线或半导体主体的第二半导体器件。所述第二纳米线或半导体主体由具有不同于所述第一全局取向的第二全局晶体取向的半导体材料组成。所述第二纳米线或半导体主体通过设置于所述第二纳米线或半导体主体与所述结晶衬底之间的隔离基座与所述结晶衬底隔离。
具有包含不同材料取向组成纳米半导体主体衬底半导体器件

[发明专利]具有包含不同材料取向或组成的纳米线或半导体主体的共衬底半导体器件-CN201180075728.5有效
发明人： A·卡佩拉尼;P·G·托尔钦斯基;K·J·库恩;G·A·格拉斯;V·H·勒 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：描述了具有纳米线或半导体主体的共衬底半导体器件和用于形成这种共衬底器件的方法，其中所述纳米线或半导体主体具有不同材料取向或组成。例如，半导体结构包括具有设置于结晶衬底之上的第一纳米线或半导体主体的第一半导体器件。所述第一纳米线或半导体主体由具有第一全局晶体取向的半导体材料组成。所述半导体结构还包括具有设置于所述结晶衬底之上的第二纳米线或半导体主体的第二半导体器件。所述第二纳米线或半导体主体由具有不同于所述第一全局取向的第二全局晶体取向的半导体材料组成。所述第二纳米线或半导体主体通过设置于所述第二纳米线或半导体主体与所述结晶衬底之间的隔离基座与所述结晶衬底隔离。
具有包含不同材料取向组成纳米半导体主体衬底半导体器件

[发明专利]一种堆叠纳米线及其制造方法-CN201711406301.4在审
发明人：马雪丽;王晓磊;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种堆叠纳米线及其制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上制备堆叠纳米线；在所述堆叠纳米线上沉积半导体薄膜，其中，所述半导体衬底的第一半导体材料与所述半导体薄膜的第二半导体材料不相同；对所述堆叠纳米线进行氧化退火和去除生成的氧化物，促使所述半导体薄膜中的半导体原子扩散进入所述堆叠纳米线，形成目标纳米线。本发明提供的器件和方法，用以解决现有技术中在硅衬底上制备的硅纳米线存在的电子和空穴迁移率低的技术问题。实现了在半导体衬底上制备与衬底不同材料的纳米线的方法。
纳米线堆叠衬底半导体制备半导体材料半导体薄膜沉积半导体薄膜半导体原子空穴迁移率硅纳米线目标纳米氧化退火硅衬底氧化物去除制造扩散

[发明专利]一种金属-硫属半导体材料、其制备方法和用途-CN201610250033.0在审
发明人：何佳清;谢晓滨;林京洋;冯丹 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属‑硫属半导体材料、其制备方法和用途，该金属‑硫属半导体材料包括金属‑硫属半导体晶体，金属‑硫属半导体晶体的三维尺度至少一个尺度为1‑100纳米，金属‑硫属半导体晶体为纳米片或纳米立方体，纳米片具有原子级厚度，纳米立方体暴露晶面为{100}晶面。所述金属‑硫属半导体材料属于纳米半导体晶体材料，粒径均一，形貌及大小可控，性能好，其制备方法所需的原料物种较少，反应条件温和，产率高，适于工业化应用。
一种金属半导体材料制备方法用途

[发明专利]具有嵌入基质中的半导体结构的复合材料-CN201280065133.6在审
发明人：朱厄妮塔·库尔京;科林·里斯;布赖恩·西奥博尔德;内森·麦克劳克林;马修·J·卡里洛;朴欧浩;杰奥尔杰塔·马松;史蒂文·M·休斯 -专利权人：太平洋光技术公司
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：描述了具有嵌入基质中的半导体结构的复合材料。在实例中，复合材料包括基质材料。多个半导体结构被嵌入基质材料中。每个半导体结构包括由第一半导体材料组成的并且具有在1.0至2.0之间但不包括1.0和2.0的宽高比的各向异性纳米晶体核。每个半导体结构还包括至少部分包围所述各向异性纳米晶体核的由不同的第二半导体材料组成的纳米晶体壳。绝缘体层封装每个纳米晶体壳和各向异性纳米晶体核配对。
具有嵌入基质中的半导体结构复合材料

[发明专利]应变半导体纳米线-CN201410708318.5有效
发明人：张慎明;I·劳尔;林崇勋;J·W·斯雷特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供应变半导体纳米线。在绝缘体层之上形成半导体衬垫部的对所横向邻接的至少一条半导体纳米线。部分所述绝缘体层从所述至少一条半导体纳米线下方被蚀刻，以使所述至少一条半导体纳米线悬置。在所述至少一条半导体纳米线之上沉积临时填充材料，并且该临时填充材料被平面化以使所述半导体衬垫部的对的顶面物理暴露。在所述半导体衬垫部的对内形成沟槽，并且用应力产生材料填充所述沟槽。随后去除所述临时填充材料。所述至少一条半导体纳米线以拉伸应变或压缩应变沿纵长方向发生应变。
应变半导体纳米

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202110585420.0在审
发明人：蓝文廷;潘冠廷;朱熙甯;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，该制造方法包括：对半导体工件施行化学机械研磨制程，半导体工件包括纳米片区域，纳米片区域具有第一类型的半导体材料与第二类型的半导体材料的交替层。上述方法还包括：当第一类型的半导体材料被第二类型的半导体材料覆盖时，停止化学机械研磨制程；将纳米片区域图形化，以形成纳米片堆叠物；形成隔离结构而围绕纳米片堆叠物；从纳米片堆叠物移除第二类型的半导体材料的顶层；将隔离结构凹陷；以及在纳米片堆叠物的上方形成栅极结构。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件的源极/漏极区域及其形成方法-CN202210340809.3在审
发明人：刘威民;舒丽丽;李启弘;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件的源极/漏极区域及其形成方法。一种器件包括：第一纳米结构，位于半导体衬底之上；第二纳米结构，位于第一纳米结构之上；栅极结构，围绕第一纳米结构和第二纳米结构；第一外延区域，位于半导体衬底中并与栅极结构相邻，其中，第一外延区域是第一掺杂半导体材料；以及第二外延区域，位于第一外延区域之上，其中，第二外延区域与第一纳米结构和第二纳米结构相邻，其中，第二外延区域是不同于第一掺杂半导体材料的第二掺杂半导体材料。在一个实施例中，第一掺杂半导体材料具有比第二掺杂半导体材料更小的掺杂浓度。
半导体器件区域及其形成方法

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