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[发明专利]一种基于半导体测试数据的数据处理方法-CN200810177528.0无效
发明人：陈健华;顾荣华 -专利权人：和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2008-11-18 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： G06F17/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于半导体测试数据的数据处理方法，首先从数据库中将已存储在数据库中的数据传递给被处理系统，然后在该被处理系统中中将所述数据与半导体测试数据进行比较，比较两个数据中的至少一个待比较值，如果有待比较值异常，则进入数据矫正阶段，对有待比较值异常的半导体测试数据进行矫正，如果数据无法矫正则转为人工处理，如果数据可以矫正则将半导体测试数据矫正并存入数据库中。
一种基于半导体测试数据数据处理方法

[发明专利]一种半导体二极管阵列侧面泵浦2μm激光模块-CN200910243142.X无效
发明人：高春清;林志锋;高明伟;王然;张云山;朱凌妮 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2009-12-29 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01S3/0941 文献下载
摘要：本发明是一种半导体二极管阵列侧面泵浦2μm激光模块，属于激光技术领域。本发明由半导体二极管阵列、2μm激光晶体、半导体二极管阵列热沉、激光晶体热沉和热沉反射面组成。半导体二极管阵列输出的泵浦光进入2μm激光晶体并被其吸收，未吸收尽的泵浦光被激光晶体热沉的表面所反射，再次进入2μm激光晶体获得再次吸收；激光晶体热沉的反射面上镀对泵浦光的高反膜，使用中该反射面与2μm
一种半导体二极管阵列侧面激光模块

[发明专利]一种可吸收太阳能的半导体复合光催化剂的制备方法-CN201010215722.0无效
发明人：樊彩梅;王艳;丁光月;李双志;王韵芳;郝晓刚;孙彦平 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2010-07-02 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： B01J37/04 文献下载
摘要：一种可吸收太阳能的半导体复合光催化剂的制备方法，属于环境化工光催化氧化水处理技术领域。具体来说是公开一种能利用太阳光中的紫外和可见光的光催化剂制备方法。其特征在于利用常规的热分解、溶胶-凝胶或共沉淀法中任意单一技术制备得到A，B和C三种半导体氧化物单体、其中两者或三者的混合物，然后将它们进行相互组合，形成三元体系的太阳能半导体复合光催化剂。本发明通过不同带隙(2.0-3.5eV)多种半导体氧化物能带结构的合理组合，不仅吸收了太阳光中的紫外光和可见光，而且形成了多光子激活机制，特别适合于水中微量难氧化有机物的处理，氧化效率高，绿色环保，上述研究尚未见报导
一种吸收太阳能半导体复合光催化剂制备方法

[发明专利]半导体器件、半导体器件的制造方法、显示装置和电子设备-CN201010164659.2无效
发明人：米屋伸英 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-04-16 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供了半导体器件、半导体器件的制造方法、显示装置和电子设备。半导体器件包括：第一层配线，其包括被安装在衬底上的栅极电极；栅极绝缘膜，其具有将第一层配线的一部分暴露的开口，并覆盖包括栅极电极在内的衬底的整个表面；第二层配线，其包括被安装在栅极绝缘膜上的源极电极和漏极电极；绝缘分隔层，其具有第一开口和第二开口，第一开口将源极电极与漏极电极之间的边缘以及栅极绝缘膜的位于源极电极与漏极电极之间的部分暴露，第二开口与形成在栅极绝缘膜中的所述开口对准；以及有机半导体层，其跨着源极电极和漏极电极布置在形成在分隔层中的第一开口的底表面处
半导体器件制造方法显示装置电子设备

[发明专利]面板处理装置及其方法-CN201010145619.3无效
发明人：守屋秀喜;冈田弘;青山昌史;浅见畅彦;岩间聪 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2010-03-29 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： G02F1/1345 文献下载
摘要：该面板处理装置中包括：ACF粘贴机构，将ACF粘贴到面板的TAB搭载部；临时压接结合机构，将分别设置于TAB搭载部和半导体电路装置的外部引线部的标记间的当前偏移量与负反馈量相加而得到的值作为新的偏移量来进行位置对准，将TAB搭载部和半导体电路装置临时压接结合；正式压接结合机构，对临时压接结合的半导体电路装置在加热条件下加压将半导体电路装置经ACF压接结合于面板；偏移检查机构，测量压接结合后的标之间的位置偏移，针对
面板处理装置及其方法

[发明专利]平行平板棱镜组实现半导体激光束耦合的激光装置-CN201010161499.6无效
发明人：顾媛媛;王峙皓;甘露 -专利权人：长春德信光电技术有限公司
申请日： 2010-05-04 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：本发明提供一种平行平板棱镜组实现半导体激光耦合的激光装置，由平行并列放置的两个半导体激光迭阵、两个快轴准直透镜、两个慢轴准直棱镜、平行平板玻璃棱镜堆、两个柱透镜组成的扩束系统和胶合透镜组成的聚焦系统组成克服了化学激光器，CO2激光器，灯泵及半导体激光泵浦的Nd:YAG基频1064nm等体积大、能量效率低、寿命短等的缺点。本发明涉及的大功率半导体激光光源功率可达到百瓦级至千瓦输出，最终可耦合进光纤。
平行平板棱镜实现半导体激光束耦合激光装置

[发明专利]微机电系统传感器及微机电系统传感器的制造方法-CN200910265656.5无效
发明人：服部敦夫 -专利权人：雅马哈株式会社
申请日： 2009-12-28 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：在SOI中，在支撑基底中限定出用于将质量体和支撑体分离的沟道，在半导体层中限定出十字形柔性梁。在柔性梁的交叉区域中和在支撑体的上方的环形区域中对SOI的半导体层和中间绝缘层进行蚀刻。将半导体层构图为位于质量体上方的十字形柔性梁。在支撑体基底中蚀刻沟道，以暴露中间绝缘层，随后蚀刻中间绝缘层以在质量体和柔性梁之间形成间隙。止挡件通过在质量体角部的上方延伸连接件层而形成，或者通过保留半导体层而形成。
微机系统传感器制造方法

[发明专利]一种半导体衬底的生长方法-CN200910055732.X无效
发明人：任国强;徐科;王建峰;张育民 -专利权人：苏州纳维科技有限公司
申请日： 2009-07-31 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种半导体衬底的生长方法，包括如下步骤：提供支撑衬底；提供第一反应气体，所述第一反应气体中含有III族元素与卤族元素；提供第二反应气体，所述第二反应气体中含有稀土元素与卤族元素；提供第三反应气体，所述第三反应气体中含有V族元素；将第一、第二和第三反应气体相互混合；加热支撑衬底并将混合后的气体通过加热的支撑衬底表面，从而形半导体层，其厚度不小于20微米。本发明的优点在于，三种气体在生长之前进行了预先混合，能够使III族原子和稀土元素的原子相互充分扩散，使得稀土元素的原子在半导体层中均匀分布。并且采用含有卤族元素的III族反应气体能够提高III族元素在反应气体中的浓度，从而加速半导体层的沉积速度，因此生长速度快。
一种半导体衬底生长方法

[发明专利]在线式不间断电源装置-CN200810034045.5无效
发明人：王庆文 -专利权人：德观电子（上海）有限公司
申请日： 2008-02-28 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种在线式不间断电源装置，包括滤波装置、电池、交流/直流转换装置、直流/交流转换装置、以及处理装置；其中所述直流/交流转换装置包括低通滤波器和两个自关断电力半导体器件；所述交流/直流转换装置包括低通滤波器、用于储能的电感、两个自关断电力半导体器件、以及用于滤波的电容；所述处理装置在输出端检测到电流谐波时，控制所述直流/交流转换装置的自关断电力半导体器件交替开关切换以产生谐波电流注入市电输出端，以抵消所检测到的电流谐波；并根据所述交流/直流转换装置的输入电流波形及输出电压反馈，控制所述交流/直流转换装置的两个自关断电力半导体器件交替开关切换以使输入电流的波形接近正弦波。
在线不间断电源装置

[发明专利]发光器件-CN200910166973.1无效
发明人：马丁·库斯特 -专利权人：马丁·库斯特
申请日： 2009-05-27 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：包括一个用于发出光谱的范围内的电磁辐射的辐射源(4)、一个支承层(2)以及具有一第一电极(7)和至少一第二电极(8)的电极组件(3)；其中辐射源(4)设置在支承层(2)上并通过连接导线与电极组件(3)导电地相连；其中辐射源(4)通过一第一半导体器件(5)和至少一个第二半导体器件(6)构成；第一电极(7)通过一第一触点(9)与第一半导体器件(5)导电地相连，第二电极(8)通过一第二触点(10)与第二半导体器件(6)导电地相连。
发光器件

[发明专利]大功率半导体照明的直流母线驱动电源系统-CN200910190944.9无效
发明人：罗全明;周雒维;卢伟国;孙明坤 -专利权人：重庆大学
申请日： 2009-09-24 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： H02M7/04 文献下载
摘要：大功率半导体照明的直流母线驱动电源系统。该系统中的功率因数校正功能和恒流输出功能，是分别由相互独立的有源功率因数校正模块和其内部没有电解电容的恒流驱动模块来实现的。该有源功率因数校正模块的输入端连接在交流供电电网上、其输出端与直流母线连接，该恒流驱动模块的输入端连接在该直流母线上、其输出端与大功率半导体照明灯具内部的大功率LED阵列连接。在供电的电网变压与大功率半导体照明灯具的驱动电压不匹配的情况下，增加一级DC/DC变换模块连接在初级直流母线和次级直流母线之间进行降压。本发明电路相对简单，成本相对较低，有利于标准化；能整个驱动电源系统的可靠性，延长了大功率半导体照明灯具的使用寿命。
大功率半导体照明直流母线驱动电源系统

[发明专利]静电放电保护晶体管及其制造方法-CN200910194579.9无效
发明人：胡剑 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-08-25 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明揭露了一种静电放电保护晶体管，包括：半导体基底；栅极氧化层，位于所述半导体基底上；多晶硅栅极，位于所述栅极氧化层上；源极区与漏极区，位于所述半导体基底内，并分别位于所述多晶硅栅极的两侧；掺杂阱区集成在所述漏极区内；两个重离子掺杂区域分别形成于所述掺杂阱区两侧的半导体基底内；隔离结构位于所述两个重离子掺杂区域之间。
静电放电保护晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN200810181256.1无效
发明人：林俊吉;林孜翰;谢建成 -专利权人：采钰科技股份有限公司
申请日： 2008-11-18 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件及其制造方法，半导体元件包括：半导体基底具有空穴，以及发光二极管芯片设置于空穴内；空穴中填充封装树脂以覆盖发光二极管芯片；两个独立的金属线设置于封装树脂上，且电性连接至发光二极管芯片；至少两个独立的内导线设置于空穴内，且电性连接至独立的金属线；以及至少两个独立的外导线设置于半导体基底的底部表面上，且电性连接至独立的内导线。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]金属环形栅有机晶体管结构及其制备方法-CN200810118730.6无效
发明人：商立伟;刘明;涂德钰;甄丽娟;刘舸;刘兴华 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-08-20 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属环形栅有机晶体管结构，该结构包括：绝缘衬底、在该绝缘衬底表面制备的环形栅电极、在该绝缘衬底表面及环形栅电极上制备的栅介质层、在栅介质层上制备的有机半导体层，以及在该有机半导体层圆形表面制备的圆形源电极和环形漏电极本发明同时公开了一种制备金属环形栅有机晶体管结构的方法，该方法包括：在绝缘衬底上制备环形栅电极；在绝缘衬底表面及该环形栅电极上制备栅介质层；在该栅介质层上制备有机半导体层；在该有机半导体上制备圆形源电极和环形漏电极
金属环形有机晶体管结构及其制备方法

[发明专利]一种半导体激光器封装模块及其列阵-CN200810111852.2无效
发明人：房涛;王斌;郑光;褚少伟;亓岩;毕勇 -专利权人：北京中视中科光电技术有限公司;中国科学院光电研究院
申请日： 2008-05-16 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体激光器封装模块，包括管壳、锁紧槽、光纤耦合部件、半导体激光器和针脚；管壳的两侧设置有锁紧槽，管壳上还固定有光纤耦合部件和针脚，半导体激光器则安装在管壳内部；其中，光纤耦合部件和半导体激光器同轴放置
一种半导体激光器封装模块及其列阵