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[发明专利]像素单元的FD有源区结构及其制备方法及CMOS图像传感器-CN200810241085.7有效
发明人：郭同辉 -专利权人：北京思比科微电子技术有限公司
申请日： 2008-12-25 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：该FD有源区结构包括：P型硅半导体衬底上形成P型阱，P型阱上设有N型硅半导体注入层，所述N型硅半导体注入层中包含有N-Plus离子注入层，所述N型硅半导体注入层周围设有P型硅半导体注入层，所述P型硅半导体注入层用于隔离N型硅半导体注入层与器件的浅槽隔离区STI，所述N型硅半导体注入层上设有P型硅半导体Pin层，掩埋型接触孔底部穿过P型硅半导体Pin层与N型硅半导体注入层电连接。通过在像素单元FD有源区的N型硅半导体注入层中加入N-Plus注入层，在N型硅半导体注入层周围增加P型硅半导体注入层，在N型硅半导体注入层上增加Pin注入层等几中结构的改变，有效减小FD有源区漏电流的产生
像素单元 fd 有源结构及其制备方法 cmos 图像传感器

[发明专利]具有岛状分布结构的半导体芯片及其制造方法-CN200610163133.6无效
发明人：大汤静宪;青木茂 -专利权人：尔必达存储器株式会社;株式会社日立制作所
申请日： 2006-11-30 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明目的是提供一种具有低破损风险的高可靠性的半导体芯片。具体而言，本发明提供一种具有半导体硅衬底的半导体芯片，该半导体硅衬底包含半导体器件层、多孔硅域层，在所述半导体硅衬底的一个表面上的主表面区内形成所述半导体器件层，在背面即该半导体硅衬底的另一表面上的主表面区内形成所述多孔硅域层，并且所述多孔硅域层具有在该半导体硅衬底的背面上以岛状分布的多孔硅域。
具有分布结构半导体芯片及其制造方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201410143530.1有效
发明人：丁兆民;阮信晓;林昆志;廖智弘;曾奕文 -专利权人：新日光能源科技股份有限公司
申请日： 2014-04-10 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种太阳能电池及其制造方法，包含一晶体硅半导体基板、一本质非晶硅半导体层、一非晶硅半导体层以及一透明导电层。所述晶体硅半导体基板具有一第一型掺杂，且所述晶体硅半导体基板上设有至少一沟槽，形成一封闭图形，封闭图形内定义为一第一电极区域，封闭图形外定义为一第二电极区域。其中本质非晶硅半导体层、非晶硅半导体层与透明导电层依序形成于晶体硅半导体基板上以及沟槽内，所述本质非晶硅半导体层、非晶硅半导体层与透明导电层于沟槽处会形成不连续的结构，并于第一与第二电极区域之间产生绝缘效果
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN201010145265.2无效
发明人：尹海洲;朱慧珑;骆志炯 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-04-09 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，涉及半导体制造领域。其中该半导体结构包括：硅衬底；形成于所述硅衬底上的宽带隙半导体层；以及形成于所述宽带隙半导体层上的硅层。该方法包括在硅衬底上生长宽带隙半导体层；和在所述宽带隙半导体层上生长硅层。本发明实施例可以用于半导体器件的制造。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体发光装置及其制造方法-CN200780003900.X无效
发明人：神井康宏;丹羽爱玲;佐藤纯治;田岛未来雄 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2007-01-22 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体发光装置及其制造方法。半导体发光装置具有硅衬底(3)和由化合物半导体构成的主半导体区域(4)。在硅衬底(3)上外延生长主半导体区域(4)时主半导体区域(4)的III族元素向硅衬底热扩散，从而在硅衬底(3)上产生p型硅半导体层(9)。该p型硅半导体层(9)被用作过电压保护二极管的构成要素。过电压保护二极管相对基于主半导体区域(4)的发光二极管并联连接。
半导体发光装置及其制造方法

[发明专利]一种硅的深沟槽形成方法和半导体结构-CN201710038632.0在审
发明人：邹浩;丁振宇;夏爱华;刘志攀;陈幸 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2017-01-19 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明特别涉及一种硅的深沟槽形成方法和半导体结构。方法包括在半导体硅晶片上沉积硬质掩膜层；对所述硬质掩膜层的预设区域进行刻蚀直到露出所述半导体硅晶片，在所述硬质掩膜层中形成至少一个纵切面为倒梯形的图形；以所述硬质掩膜层为掩膜刻蚀所述半导体硅晶片,在所述半导体硅晶片中与所述纵切面为倒梯形的图形对应位置形成深沟槽；去除所述硬质掩膜层，直至露出半导体硅晶片的上表面。本发明通过半导体硅晶片上形成倒梯形图形的硬质掩膜层作为掩膜，刻蚀半导体硅晶片可以在半导体硅晶片上得到更小和更深的沟槽。
一种深沟形成方法半导体结构

[发明专利]半导体装置-CN202310128708.4在审
发明人：季彦良 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置，包括：半导体部件；以及硅基被动部件，沿该半导体部件的厚度方向堆叠在该半导体部件上。本发明中，硅基被动部件可以是与半导体部件同样在晶圆工艺中形成的，因此硅基被动部件的尺寸可以与半导体部件的尺寸相当，并且硅基被动部件堆叠在半导体部件上，因此可以节省面积占用，减小半导体装置的尺寸。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610075163.1有效
发明人：相宗史记 -专利权人：尔必达存储器株式会社
申请日： 2006-04-25 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种具有在由半导体硅基板上的氧化膜和栅布线限定的各个预定位置中提供的升高的源/漏结构的半导体装置，其中升高的源/漏结构的上端部的形状沿垂直于半导体硅基板的方向在半导体硅基板上的正投影图像基本上与由半导体硅基板上的相应的氧化膜和栅布线限定的预定形状一致，并且升高的源/漏结构的沿平行于半导体硅基板的平面剖开的横截面沿垂直于半导体硅基板的方向在半导体硅基板上的正投影图像的至少之一大于由半导体硅基板上的相应的氧化膜和栅布线限定的预定形状。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]包括分布电流的硅通孔的半导体装置-CN201811580255.4在审
发明人：卢寿政;吴致成;孙教民;金勇基;文钟淏;禹昇汉;尹载允 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种包括分布电流的硅通孔的半导体装置，所述半导体装置包括：第一半导体裸片至第M半导体裸片，堆叠在第一方向上。第一半导体裸片至第M半导体裸片中的每个半导体裸片包括：基底；第一硅通孔至第K硅通孔，在第一方向上穿过基底；以及第一电路，通过电连接到第一硅通孔的电源线接收电力。第N半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的每个硅通孔电连接到第N+1半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的在平面图中与其间隔开的硅通孔。
硅通孔半导体裸片半导体装置分布电流电连接基底电源线堆叠电路穿过

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210439014.4无效
发明人：安正烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-11-06 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：隔离层，所述隔离层形成在半导体衬底的隔离区上；硅图案，所述硅图案形成在隔离层之间的半导体衬底之上；绝缘层，所述绝缘层形成在硅图案与半导体衬底之间；以及结，所述结形成在硅图案之间的半导体衬底中，其中，每个硅图案具有倾斜的顶表面。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体元件和半导体元件的制造方法-CN202280009609.8在审
发明人：门胁拓也;川添忠 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/34 文献下载
摘要：追求着利用饰缀态光子工作的新的半导体元件及其制造方法。半导体元件的制造方法包括：准备半导体层叠体的工序，所述半导体层叠体具备硅基板和在所述硅基板上设置的硅半导体层，所述硅基板以第一浓度具有第一导电型的第一杂质，所述硅半导体层包括以比所述第一浓度低的第二浓度具有所述第一导电型的第二杂质的第一硅半导体层和具有第二导电型的第三杂质的第二硅半导体层，所述第一导电型是p型和n型的一方，所述第二导电型是p型和n型的另一方；一边使顺向电流向所述硅半导体层流动一边以具有规定的峰值波长的光照射所述硅半导体层而使所述第三杂质扩散的工序。
半导体元件制造方法

[发明专利]具有高机械强度的半导体封装-CN201811529570.4在审
发明人：王隆庆;杜震;陈波;鲁军;何约瑟 -专利权人：万国半导体（开曼）股份有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种半导体封装和半导体晶圆，分开半导体晶圆，形成多个半导体封装。半导体晶圆具有一个半导体衬底、一个金属层、一个附着层、一个刚硬的支撑层、一个钝化层以及多个接触垫。半导体封装具有一个半导体衬底、一个金属层、一个附着层、一个刚硬的支撑层、一个钝化层以及多个接触垫。刚硬的支撑层的厚度大于半导体衬底的厚度。金属层的厚度小于半导体衬底的厚度。整个刚硬的支撑层可以由单独的晶体硅材料或多晶硅材料制成。单独的晶体硅材料或多晶硅材料可以由回收的硅晶圆制成。使用回收的硅晶圆的好处在于节省成本。
半导体封装支撑层衬底刚硬半导体晶圆半导体金属层多晶硅材料晶体硅材料钝化层附着层硅晶圆接触垫回收

[发明专利]光电转换装置、光电转换元件及其基板与制造方法-CN200610072418.9无效
发明人：赖明雄;洪传献;温志中;许国强 -专利权人：新日光能源科技股份有限公司
申请日： 2006-04-11 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：该光电转换元件，包括一硅基板、一第一半导体层以及一第二半导体层。其中，硅基板中硅的纯度是大于等于95％，第一半导体层设置于硅基板之上，第二半导体层设置于第一半导体层上。该光电转换装置，包括：一光学转换元件，其包括一硅基板、一第一半导体层及一第二半导体层，该硅基板中硅的纯度是大于等于95％，第一半导体层设置于硅基板之上，第二半导体层设置于第一半导体层上；以及一电极对，包括一第一电极与一第二电极，第一电极与第一半导体层相连结，第二电极与第二半导体层相连结。其可改善现有的基板与第一半导体层间容易剥离的现象，进而能提高光电转换装置的光电转换效率与使用寿命。
光电转换装置元件及其制造方法

[发明专利]CMOS电路结构、其制作方法、显示基板及显示装置-CN201510103672.X有效
发明人：刘翔 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS电路结构、其制作方法、显示基板及显示装置，该方法中形成PMOS半导体层和NMOS半导体层的图形包括在衬底基板上形成位于PMOS区域的非晶硅半导体层的图形和位于NMOS区域的金属氧化物半导体层的图形；对非晶硅半导体层的图形和金属氧化物半导体层的图形进行第一退火处理；对多晶硅半导体层的图形进行P型离子掺杂；这样，在对非晶硅半导体层进行退火处理使非晶硅半导体层转化为多晶硅半导体层时，借助该退火处理同时对金属氧化物半导体层进行加热使金属氧化物半导体层经历一次再生长过程，可以减少金属氧化物半导体层内部的缺陷，从而可以改善NMOS区域的阈值电压漂移的问题，提升NMOS区域的性能。
cmos 电路结构制作方法显示显示装置

[发明专利]半导体衬底及其制造方法以及半导体器件-CN200510055305.3无效
发明人：永野元;水岛一郎;宫野清孝 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-03-15 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体衬底及其制造方法以及使用此半导体衬底的半导体器件，该半导体衬底包括具有大致相同高度的应变硅区域及弛豫硅区域。根据在此公开的本发明的实施方式的半导体衬底，包括：支持衬底；第一半导体区，包含在上述支持衬底的上方形成的第一硅层；第二半导体区，包含按照与上述第一硅层表面大致相同的高度在上述支持衬底的上方形成的、具有应变的第二硅层；以及在上述第一半导体区和第二半导体区的界面处的绝缘膜。
半导体衬底及其制造方法以及半导体器件

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