专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]接触以及制作接触的方法-CN200710096170.4无效
  • 吴炳昌;黄杰勤 - 联华电子股份有限公司
  • 2007-04-18 - 2008-10-22 - H01L21/60
  • 本发明公开了一种接触和制作接触的方法。首先,提供基底,该基底中包含有至少一个内连线结构,然后形成第一金属层于该基底上,作为探测区。接着形成第二金属层于该基底上,作为电连接区。本发明同时利用两种不同的材料来形成接触的探测区以及电连接区。通过两种不同材料的金属层来分别进行探测与引线键合或凸块工艺,本发明的接触除了可达到电性测试的目的,又可同时防止接触表面因探针接触而造成后续进行引线键合或凸块工艺时可靠度不佳的问题。
  • 接触以及制作方法
  • [发明专利]接触阵列-CN201010546019.8有效
  • 李忠隆;林允中 - 友达光电股份有限公司
  • 2010-11-11 - 2011-05-25 - H01L23/00
  • 本发明提供一种接触阵列,其包含多个第一接触以及多个第二接触。第一接触沿着第一方向排列,各第一接触包含两个第一宽边以及两个第一长边。第二接触沿着第一方向排列,各第二接触包含两个第二宽边以及两个第二长边。第二长边的长度实质上小于第一长度之长度,第二宽边的宽度实质上大于第一宽边的宽度。每个第一接触的第一宽边于第一方向处的投影完全重迭于与第一接触对应的第二接触的第二宽边于第一方向处的投影。通过本发明所提供的接触阵列,可在相同面积内容纳更多的接触阵列,故更能节省成本,更适合大尺寸或高解晰度的显示面板。
  • 接触阵列
  • [发明专利]半导体装置接触接触制造的方法-CN202210454330.2在审
  • 臧辉 - 豪威科技股份有限公司
  • 2022-04-27 - 2023-02-21 - H01L27/146
  • 本申请案涉及半导体装置接触接触制造的方法。公开一种用于形成半导体装置的接触的方法。所述方法包括提供包含第一侧及第二侧的半导体衬底。所述方法进一步包含:将第一沟槽蚀刻到所述半导体衬底中;将电介质材料沉积到所述第一沟槽中以形成沿所述第一沟槽的侧壁延伸的电介质间隔件;蚀刻与所述第一沟槽对准的第二沟槽;及将金属材料沉积到所述第二沟槽中以形成接触所述第一金属互连件的所述接触
  • 半导体装置接触制造方法
  • [发明专利]半导体器件及其接触版图、接触结构和掩模板组合-CN201910926986.8在审
  • 童宇诚;曾依蕾;詹益旺 - 福建省晋华集成电路有限公司
  • 2019-09-27 - 2020-09-08 - H01L23/544
  • 本发明提供了一种半导体器件及其接触版图、接触结构和掩模板组合,通过在主接触图案所在的主版图区的一侧设置第一边缘版图区,且第一边缘版图区中每个所述第一边缘接触图案的面积大于每个所述主接触图案的面积,由此基于该接触版图而形成核心区的主接触和在核心区边界处或核心区与周边区之间的交界区的虚拟接触时,能使得虚拟接触的顶面面积大于主接触的顶面面积,进而在主接触和虚拟接触垫上上接电学结构时,能够增大虚拟接触垫上上接的电学结构的尺寸,以改善核心区与周边区之间的电路图案的密集/稀疏效应,并提高主接触垫上接的电学结构的一致性,同时还能避免核心区边界处的主接触垫上接的电学结构异常的问题。
  • 半导体器件及其接触版图结构模板组合
  • [实用新型]半导体器件及其接触版图、接触结构和掩模板组合-CN201921636137.0有效
  • 童宇诚;曾依蕾;詹益旺 - 福建省晋华集成电路有限公司
  • 2019-09-27 - 2020-06-16 - H01L23/544
  • 本实用新型提供了一种半导体器件及其接触版图、接触结构和掩模板组合,通过在主接触图案所在的主版图区的一侧设置第一边缘版图区,且第一边缘版图区中每个所述第一边缘接触图案的面积大于每个所述主接触图案的面积,由此基于该接触版图而形成核心区的主接触和在核心区边界处或核心区与周边区之间的交界区的虚拟接触时,能使得虚拟接触的顶面面积大于主接触的顶面面积,进而在主接触和虚拟接触垫上上接电学结构时,能够增大虚拟接触垫上上接的电学结构的尺寸,以改善核心区与周边区之间的电路图案的密集/稀疏效应,并提高主接触垫上接的电学结构的一致性,同时还能避免核心区边界处的主接触垫上接的电学结构异常的问题。
  • 半导体器件及其接触版图结构模板组合
  • [发明专利]接触的制作方法-CN01117669.5无效
  • 庄淑雅 - 联华电子股份有限公司
  • 2001-05-15 - 2002-12-18 - H01L21/768
  • 一种在一半导体晶片的基底上制作一共用接触的方法,半导体晶片包括一第一与第二栅极及其周围的侧壁子。去除掩模及第二侧壁子,并于残余的硅层上形成金属硅化物层,形成共用接触,以连接第一栅极及邻接第二栅极的一掺杂区。再于半导体晶片表面上形成绝缘层,以覆盖共用接触、二栅极以及各第一侧壁子。
  • 接触制作方法
  • [实用新型]一种接触结构-CN202320999110.8有效
  • 张钦福;冯立伟 - 福建省晋华集成电路有限公司
  • 2023-04-27 - 2023-09-05 - H01L23/522
  • 本实用新型实施例公开了一种接触结构。接触结构包括:衬底;多个第一接触,设置在衬底的第一区上;第一介电层,设置在衬底上且覆盖多个第一接触,第一介电层在相邻两个第一接触之间形成凹陷;蚀刻停止层,设置在第一介电层上并填充部分所述凹陷,蚀刻停止层在各凹陷中设有第一空隙如此,可使相邻的接触之间的寄生电容变小,进而改善彼此间的干扰问题。
  • 一种接触结构

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