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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910402381.9在审
发明人：刘志拯 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中所述半导体结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中具有源区和漏区，所述源区和漏区中具有凹槽；金属硅化物层，位于所述凹槽的四周侧壁表面；绝缘层，位于凹槽的底部表面，且所述绝缘层的边缘与凹槽四周侧壁上的所述金属硅化物层底部表面接触本发明的半导体结构防止电流泄露到源漏区底部的半导体衬底中。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]晶体管及其制作方法-CN201110029642.0无效
发明人：冯雪;唐树澍;吴小利 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体管及其制作方法，所述晶体管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面栅极结构；位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的源区和漏区，所述源区和漏区之间的半导体衬底为沟道区；位于所述沟道区下方的半导体衬底内的隔离层，所述隔离层用于防止所述源区和漏区之间的漏电流，所述隔离层的宽度小于所述栅极结构的宽度。
晶体管及其制作方法

[发明专利]半导体器件的制作方法及半导体器件-CN200810203539.1有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-11-27 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体器件的制作方法及半导体器件，其中，所述制作方法包括：提供半导体衬底；对半导体衬底进行蚀刻以形成阻挡区块；在阻挡区块二侧形成阻挡壁；在半导体衬底上形成衬底覆层，阻挡壁与衬底覆层表面具有落差；在衬底覆层和半导体衬底上形成栅氧化层和栅极；在半导体衬底内进行低掺杂离子注入；快速热退火，在半导体衬底内形成低掺杂源/漏区；在栅氧化层和栅极的相对二侧形成隔离层；在半导体衬底内形成重掺杂源/漏区。本发明技术方案主要是在半导体衬底内形成有阻挡壁，可有效阻隔源/漏区之间的相互渗透，显著改善半导体器件的短沟道效应，避免源/漏区之间发生穿通(punch-through)效应，提升半导体器件的电学性能。
半导体器件制作方法

[发明专利]稳定绝缘体基半导体器件的方法及绝缘体基半导体器件-CN00105373.6无效
发明人：新美宪一;A·O·阿丹 -专利权人：夏普公司
申请日： 2000-03-31 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种稳定SOI半导体器件的方法，包括以下步骤：提供SOI半导体器件，该器件由包括支撑基片的SOI衬底、在支撑基片上形成的埋置绝缘膜、在埋置绝缘膜上形成的表面半导体层、形成在表面半导体层中的源/漏区、在源/漏区之间的表面半导体层上形成的栅极构成，栅绝缘膜介于栅极和表面半导体层之间；在支撑基片和源/漏区中的一个之间施加电应力，由此在半导体表面层一侧形成抵达埋置绝缘膜的后沟道，由此至少在所述源/漏区中的一个和埋置绝缘膜一侧中的表面半导体层之间的界面附近引入捕获电位
稳定绝缘体半导体器件方法

[其他]一种半导体结构-CN201190000062.2有效
发明人：尹海洲;朱慧珑;骆志炯 -专利权人：中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2011-08-24 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体结构，该结构包括衬底（100）、半导体基体（250）、空腔（410）、栅极堆叠、侧墙（230）、源/漏区（500）和接触层（520），其中栅极堆叠位于半导体基体之上，侧墙位于栅极堆叠的侧壁上，源/漏区嵌于半导体基体中，并位于栅极堆叠的两侧，空腔嵌于衬底中，半导体基体悬置于空腔上方，在沿栅极长度的方向上，半导体基体中间的厚度大于其两侧的厚度，在沿栅极宽度的方向上，半导体基体与衬底相连，接触层覆盖所述源/漏区暴露的表面。还提供了一种半导体结构的制造方法。利于减小源/漏区的接触电阻，提高器件性能，并降低成本，简化工艺。
一种半导体结构

[发明专利]一种环栅晶体管及其制造方法-CN202310944498.6在审
发明人：李永亮;孙龙雨 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种环栅晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，以提高环栅晶体管包括的源区和漏区的形成质量。所述环栅晶体管包括：半导体基底、有源结构、栅堆叠结构和半导体调节结构。有源结构包括源区、漏区、以及仅位于源区和漏区之间的至少一层纳米结构。沿至少一层纳米结构的长度方向，每层纳米结构具有沟道部和连接部。栅堆叠结构环绕在每层纳米结构具有的沟道部的外周。半导体调节结构位于栅堆叠结构和源区之间、以及位于栅堆叠结构和漏区之间。半导体调节结构的外侧壁与至少一层纳米结构沿自身长度方向的侧壁自对准，半导体调节结构的长度小于等于至少一层纳米结构具有的连接部的长度、且半导体调节结构分别与源区和漏区非一体成型。
一种晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201210175754.1有效
发明人：王巍;王敬;郭磊 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-05-30 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底中的凹槽，所述凹槽中填充有稀土氧化物；部分或全部位于所述稀土氧化物上沟道区；和位于所述沟道区两侧的源区和漏区。通过在半导体器件的源区和漏区下方形成稀土氧化物层，从而向CMOS器件的源漏区和沟道区引入类型和大小可调的应力，显著提升半导体器件的迁移率，并且，利用稀土氧化物的晶体特性，以晶体生长的方式形成应力源，极大地简化了工艺流程
半导体结构及其形成方法

[发明专利]显示设备-CN201910308766.9有效
发明人：金阳完;郭源奎;盧载斗;李在容 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种显示设备，包括：第一薄膜晶体管，包括第一半导体，第一半导体包括源区、漏区以及位于源区和漏区之间的沟道区；第一电极层，位于第一半导体上方并且与第一半导体的沟道区重叠；第二电极层，位于第一电极层上方，第二电极层的一部分与第一电极层重叠；数据线，位于第二电极层上方；以及第三屏蔽层，位于数据线与第一半导体之间的层中并且与第一半导体的源区和漏区之一的一部分重叠。
显示设备

[发明专利]LDMOS开关器件及其制作方法-CN202111372404.X在审
发明人：莫海锋 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：该LDMOS开关器件包括第一半导体衬底以及栅极、栅氧化层、漂移区和源/漏区，源/漏区中的漏区位于漂移区中，器件还包括半导体层，位于第一半导体衬底的一侧，半导体层具有远离第一半导体衬底一侧的第一表面，栅氧化层位于第一表面上，栅极位于栅氧化层远离第一表面的一侧，源/漏区位于栅极两侧的半导体层中；绝缘氧化层，位于半导体层与第一半导体衬底之间；电荷陷阱层，位于绝缘氧化层与第一半导体衬底之间。电荷陷阱层能够用于陷阱住漂移区感应产生的电荷，不会产生衬底和漂移区之间的电容，从而可以通过调整绝缘氧化层的厚度，使器件兼具较低的输出电容和较高的散热能力。
ldmos 开关器件及其制作方法

[发明专利]静电放电保护器件-CN01144554.8无效
发明人：林锡聪 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2001-12-20 - 公布日： 2002-11-13 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种静电放电保护器件,包括一半导体层、形成于半导体层内的一源极区、形成于半导体层内的一漏极区、形成于半导体层内且位于源极与漏极区之间的一信道区以及形成于信道区上的一栅极。漏极区中至少有一岛状物呈对称性或非对称性分布,此数个岛状物可由多晶硅或隔离氧化物所形成。
静电放电保护器件

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202110321049.7在审
发明人：张尚伟;魏珂;张昇;陈晓娟;张一川;郑英奎;黄森;王鑫华;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于在钝化处理过程中保护异质结构不受损伤，抑制栅极漏电，从而提高半导体器件的良率。所述半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的异质结构；异质结构具有源/漏极形成区和栅极形成区；源/漏极形成区和栅极形成区之间具有间隔；形成在源/漏极形成区的源/漏极；形成在栅极形成区和间隔上的钝化保护层；形成在钝化保护层位于栅极形成区的部分上的栅极所述半导体器件的制造方法用于制造所述半导体器件。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构及半导体结构的制作方法-CN202110973478.2在审
发明人：韩清华 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构的制作方法，包括：提供衬底；在衬底上形成半导体柱；在半导体柱的中部侧壁上形成栅极；在环绕有栅极的半导体柱的上部和下部进行与半导体柱反型的掺杂注入，以形成源区和漏区。由于先形成了环绕半导体柱的栅极，然后进行掺杂注入形成源区和漏区，从而可以保证掺杂注入获得精确的位置，以此提高半导体结构的制作精度，从而改善半导体结构的使用性能。
半导体结构制作方法

[发明专利]在半导体装置中的自调式隔离偏置-CN201610955317.X有效
发明人：张志宏;丹尼尔·布鲁姆伯格;程序;林欣;杨红凝;左江凯 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种装置包含：半导体衬底；掺杂式隔离障壁，该掺杂式隔离障壁被安置在该半导体衬底中以隔离该装置；漏极区，该漏极区被安置在该半导体衬底中且在操作期间将电压施加到该漏极区；以及耗尽阱区，该耗尽阱区被安置在该半导体衬底中且具有与该掺杂式隔离障壁以及该漏极区一样的导电类型该耗尽阱区被定位在该掺杂式隔离障壁与该漏极区之间以电耦合该掺杂式隔离障壁以及该漏极区，以使得该掺杂式隔离障壁在低于被施加到该漏极区的该电压的电压电平下被偏置。
半导体装置中的调式隔离偏置

[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管及其形成方法-CN200810205383.0有效
发明人：肖德元 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-12-31 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其形成方法。其中金属氧化物半导体场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极，位于栅极两侧的侧墙及位于栅极两侧半导体衬底内的源/漏极延伸区；在栅极两侧的半导体衬底内分别定义源极区及沿位线方向互相平行的至少两个漏极区；向源极区和漏极区注入离子，形成源极和至少两个漏极；于半导体衬底上形成层间绝缘层，且层间绝缘层覆盖栅极；在层间绝缘层内形成分别与源极、栅极及漏极连通的导电插塞。
金属氧化物半导体场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]一种改善输出电容的功率MOSFET器件-CN202310317766.1在审
发明人：任敏;张淑萍;陶霖;王彤阳;李泽宏;张波;母国才 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术，具体涉及一种改善输出电容的功率MOSFET器件，包括漏极金属、重掺杂第一导电类型半导体衬底、轻掺杂第二导电类型半导体外延层、轻掺杂第一导电类型半导体埋层、重掺杂第一导电类型半导体垂直沉片、栅极介质层、栅多晶硅电极、第二导电类型半导体体区、第一导电类型半导体漂移区、重掺杂第一导电类型半导体源区、重掺杂第二导电类型半导体欧姆接触区、绝缘介质层、源极金属；本发明所提供的一种改善输出电容的功率MOSFET器件结构通过在半导体体区下方引入埋层结构辅助耗尽外延层使得漏源之间PN结的耗尽区进一步展宽，进而减小漏源之间的结电容，从而改善器件输出电容。
一种改善输出电容功率 mosfet 器件